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제1 방향으로 소정 길이를 갖는 나노와이어를 다수로 포함하고, 상기 다수의 나노와이어가 제2 방향을 따라 평행하게 배열된, 나노와이어 멤브레인; 및상기 나노와이어 멤브레인를 지지하여 상기 나노와이어 멤브레인을 공중 부유시키는, 브릿지;를 포함하는, 볼로미터
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제 1 항에 있어서,상기 나노와이어는 C 타입 채널 구조를 갖고,상기 나노와이어는 감지층, 상기 감지층을 덮는 흡수층 및 상기 감지층과 상기흡수층 사이에 배치된 절연층을 포함하는, 볼로미터
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제 1 항에 있어서, 상기 나노와이어는,베이스층과 상기 베이스층의 양 끝에서 각각 연장된 측벽을 갖는 감지층; 상기 감지층의 베이스층과 측벽 상에 배치된 흡수층; 및상기 감지층과 상기 흡수층 사이에 배치된 절연층;을 포함하는, 볼로미터
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4
제 3 항에 있어서,상기 베이스층 상에 배치된 흡수층의 두께는, 상기 측벽 상에 배치된 흡수층의 두께보다 작은, 볼로미터
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5
제 1 항에 있어서, 상기 브릿지는, 지지부; 및상기 지지부의 일 측면에서 연장되고, 상기 나노와이어 멤브레인과 연결되는 연장부를 포함하는, 볼로미터
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6
제 5 항에 있어서, 상기 브릿지는 제1 브릿지와 제2 브릿지를 포함하고,상기 나노와이어 멤브레인은 상기 제1 브릿지와 상기 제2 브릿지 사이에 연결되고, 상기 제1 브릿지와 상기 제2 브릿지 각각은 상기 지지부와 상기 연장부를 포함하고,상기 연장부는, 상기 지지부의 일 측면으로부터 상기 제1 방향으로 연장된 제1 연장부; 상기 제1 연장부로부터 상기 제2 방향으로 연장되고, 다수의 상기 나노와이어가 연결된 제2 연장부; 및 상기 제2 연장부로부터 연장된 제3 연장부;를 포함하는, 볼로미터
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7
제 6 항에 있어서,상기 제1 브릿지의 제3 연장부는, 상기 제2 브릿지의 지지부로부터 소정 간격 이격되고, 상기 제2 브릿지의 지지부의 측면 형상에 대응되는 형상을 갖는, 볼로미터
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8
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항의 볼로미터가 다수의 행과 열 방향을 따라 다수로 배열된, 볼로미터 어레이 소자
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9
상면에 형성된 요철부를 포함하는 나노 그레이팅 기판 상에 제1 포토레지스트층을 형성하고, 상기 제1 포토레지스트층을 패터닝하는, 제1 패터닝 단계;패터닝된 상기 제1 포토레지스트층과 상기 나노 그레이팅 기판 상에 감지층 형성 물질을 증착하는, 제1 증착 단계;상기 제1 포토레지스트층을 제거하여 상기 나노 그레이팅 기판의 일부 영역을 제외한 나머지 영역 상에 형성된 감지층 형성 물질을 제거하는, 제1 제거 단계;상기 나노 그레이팅 기판과 증착된 상기 감지층 형성 물질 상에 제2 포토레지스트층을 형성하고, 상기 제2 포토레지스트층을 패터닝하는, 제2 패터닝 단계;패터닝된 상기 제2 포토레지스트층, 증착된 상기 감지층 형성 물질 및 상기 나노 그레이팅 기판 상에 브릿지 형성 물질을 증착하는, 제2 증착 단계;상기 제2 포토레지스트층을 제거하여 상기 감지층 형성 물질과 상기 나노 그레이팅 기판의 일 부분을 제외한 나머지 부분 상의 브릿지 형성 물질을 제거하는, 제2 제거 단계; 증착된 상기 감지층 형성 물질, 상기 브릿지 형성 물질 및 상기 나노 그레이팅 기판 상에 제3 포토레지스트층을 형성하고, 상기 감지층 형성 물질이 노출되도록 상기 제3 포토레지스트층을 패터닝하는, 제3 패터닝 단계; 상기 감지층 형성 물질과 패터닝된 상기 제3 포토레지스트층 상에 절연층 형성 물질과 흡수층 형성 물질을 증착하는, 제3 증착 단계;상기 제3 포토레지스트층을 제거하여 상기 절연층 및 흡수층 형성 물질, 상기 감지층 형성 물질과 상기 나노 그레이팅 기판의 일부분을 제외한 나머지 부분 상의 절연층 및 흡수층 형성 물질을 제거하는, 제3 제거 단계; 및상기 나노 그레이팅 기판에서, 상기 감지층 형성 물질 아래에 배치된 부분을 제거하여 상기 감지층 형성 물질을 상기 나노 그레이팅 기판으로부터 공중 부유시키는, 제4 제거 단계;를 포함하는, 볼로미터 제조 방법
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10
제 9 항에 있어서, 상기 제1 증착 단계는,상기 나노 그레이팅 기판의 요철부에 상기 감지층 형성 물질을 경사 증착 방법으로 증착하는, 볼로미터 제조 방법
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