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스트럭처드 주문형 반도체의 레이어 리소그래피 방법, 설계 방법 및 이에 사용되는 타일 마스크 셋

  • 기술번호 : KST2014047049
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 선택적으로 패터닝되는 타일 마스크 셋 및 마스킹 마스크를 이용하는 스트럭처드 ASIC의 레이어 리소그래피 방법이 개시된다. 스트럭처드 ASIC의 레이어를 리소그래피하기 위하여, N개의 마스크 쌍들을 결정하며, 상기 N개의 마스크 쌍 중 타겟 마스크 쌍을 선택한다. 상기 타겟 마스크 쌍의 마스킹 마스크를 통해 1차 노광하고, 상기 타겟 마스크 쌍의 타일 마스크 셋을 통해 2차 노광한다. 상기 1차 노광 및 2차 노광된 웨이퍼를 식각하여 레이어를 선택적으로 리소그래피한다. 따라서, 디자인의 특성에 맞게 복수의 타일들을 적절히 배치하여 종래의 스트럭처드 ASIC의 비용 절감 효과를 유지하면서 성능을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 21/027 (2006.01) G03F 7/20 (2006.01)
CPC H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01)
출원번호/일자 1020100113142 (2010.11.15)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1164787-0000 (2012.07.05)
공개번호/일자 10-2012-0051832 (2012.05.23) 문서열기
공고번호/일자 (20120711) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.11.15)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신영수 대한민국 대전광역시 유성구
2 백돈규 대한민국 대전광역시 유성구
3 신인섭 대한민국 대전광역시 유성구
4 백승훈 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박영우 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, *층 **세기특허법률사무소 (역삼동, 세일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.11.15 수리 (Accepted) 1-1-2010-0742264-77
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.08.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.09.20 수리 (Accepted) 9-1-2011-0077640-19
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0697758-55
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견] 의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0058821-67
6 [명세서등 보정] 보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.01.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0058829-21
7 등록결정서
Decision to grant		 2012.07.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0386516-42
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
N 개의 마스킹 마스크들과, 상기 N 개의 마스킹 마스크들 각각과 대응하는 M 개의 타일 마스크 셋 중의 제1 내지 제N 타일 마스크 셋을 제1 내지 제N 마스크 쌍들로 결정하는 단계(M은 2 이상의 자연수, N은 M이하의 2 이상의 자연수);상기 제1 내지 제N 마스크 쌍들 중 타겟 마스크 쌍을 선택하는 단계;상기 타겟 마스크 쌍의 마스킹 마스크를 사용하여 음성 감광제를 통해 웨이퍼의 제1 타일부와 제2 타일부 중 상기 제2 타일부를 선택적으로 제1 노광하는 단계;상기 타겟 마스크 쌍의 타일 마스크 셋을 사용하여 상기 음성 감광제를 통해 상기 웨이퍼를 제2 노광하는 단계; 및상기 제2 노광된 제1 타일부를 식각하는 단계를 포함하는 스트럭처드 ASIC(application specific integrated circuit)의 레이어를 리소그래피하는 방법에 있어서, 상기 제1 타일부는 상기 제2 노광에 의하여 패터닝되는 타일들을 포함하고, 상기 제2 타일부는 상기 패터닝되지 않는 타일들을 포함하는 스트럭처드 ASIC의 레이어를 리소그래피하는 방법
2 2
제1 항에 있어서, 상기 마스킹 마스크는, 및 의 관계를 만족하며, 상기 x 는 상기 타겟 마스크 쌍의 상기 제1 타일부에 존재하는 패턴에서부터 상기 제1 타일부의 타일 경계까지의 최소거리이고, 상기 y는 상기 마스킹 마스크의 노광 영역에서부터 상기 제1 타일부의 타일 경계까지의 최소거리이며, 상기 d는 주어진 리소그래피 장비에서 상기 마스킹 마스크와 상기 웨이퍼 사이의 거리에 따른 빛의 회절 범위이며, 상기 a는 상기 마스킹 마스크와 상기 웨이퍼 사이의 정렬 오차인 것을 특징으로 하는 스트럭처드 ASIC의 레이어를 리소그래피하는 방법
3 3
스트럭처드 ASIC의 레이어를 웨이퍼에 리소그래피 하는 데 사용하는 복수 그룹의 타일 마스크 셋에 있어서,상기 각 그룹의 상기 타일 마스크 셋 각각은 상기 스트럭처드 ASIC의 내부 소자를 형성하는 웨이퍼 타일들을 패터닝하기 위하여 일정한 크기를 가지면서 규칙적으로 배열되는 복수의 마스크 타일들을 포함하고, 상기 타일 마스크 셋은 상기 복수의 마스크 타일들의 배열을 구현하기 위한 각각 적어도 하나 이상의 액티브 마스크, 폴리 실리콘 마스크 및 메탈 마스크를 포함하고,상기 복수 그룹의 타일 마스크 셋들 중 조합 회로를 구현하기 위한 타일 마스크 셋에 포함되는 상기 복수의 마스크 타일들 각각은 제1 방향과 상기 제1 방향의 제1 길이와 상기 제1 방향과 직각인 제2 방향의 제2 길이로 정의되는 크기를 가지고, 상기 복수 그룹의 타일 마스크 셋들 중 순차 회로를 구현하기 위한 타일 마스크 셋에 포함되는 상기 복수의 마스크 타일들 각각은 상기 제1 방향의 제3 길이와 상기 제2 방향의 제4 길이로 정의되는 크기를 가지며, 상기 제3 길이는 상기 제1 길이의 두 배이고, 상기 제4 길이는 상기 제2 길이와 동일한 것을 특징으로 하는 타일 마스크 셋
4 4
삭제
5 5
제3 항에 있어서, 상기 웨이퍼 타일들 각각은 상기 제1 방향의 제5 길이와 상기 제2 방향의 제6 길이로 정의되는 크기를 가지며, 상기 제1 길이는 상기 제5 길이와 동일하고 상기 제2 길이는 상기 제6 길이와 동일한 것을 특징으로 하는 타일 마스크 셋
6 6
서로 다른 M(M은 2 이상의 자연수)개의 타일 마스크 셋에서, 타일 마스크 셋들의 타일 레이아웃들에 기초한 게이트 라이브러리에서 상기 타일 마스크 셋들로 구현되는 각 논리 게이트의 정보를 출력하는 단계; 상기 논리 게이트의 정보를 기초로, 상기 각 논리 게이트 사이를 연결하는 정보가 포함된 논리 넷 리스트를 생성하는 단계;상기 논리 넷 리스트를 기초로 타일 넷 리스트를 생성하는 단계;상기 타일 넷 리스트를 기초로 타일의 배치를 결정하는 단계; 및상기 결정된 타일의 배치에 따라 상기 타일들을 연결하는 배선 구조를 결정하는 단계를 포함하는 스트럭처드 ASIC을 설계하는 방법
7 7
제6 항에 있어서,상기 논리 넷 리스트를 기초로 상기 타일 넷 리스트를 생성하는 단계는,상기 논리 넷 리스트의 상기 논리 게이트들을 구현하기 위한 N (N은 M 이하 2 이상의 자연수) 개의 타일 마스크 셋들을 결정하는 단계;상기 논리 넷 리스트의 상기 논리 게이트들이 하나의 타일 영역을 점유하도록 제1 마스크 셋부터 제N 마스크 셋의 상기 논리 게이트들을 순차적으로 상기 타일 영역 상의 제1 타일 영역들부터 제N 타일 영역들에 배치하는 단계; 및상기 제N 타일 영역들부터 상기 제1 타일 영역들을 순차적으로 패킹하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 스트럭처드 ASIC의 설계 방법
8 8
제7 항에 있어서,상기 제N 타일 영역들부터 상기 제1 타일 영역들을 순차적으로 패킹하는 단계는,상기 제N 내지 제1 타일 마스크 셋 각각에 대하여, 상기 제N 내지 제1 타일 마스크 셋 각각이 포함하는 상기 논리 게이트 숫자에 상응하는 개수의 상기 타일 영역을 포함하는 패킹 패턴들을 생성하여 상기 각 패킹 패턴들의 우선 순위를 정하는 단계; 및상기 제N 내지 제1 타일 마스크 셋들의 상기 패킹 패턴들의 우선 순위에 따라 인접한 상기 타일 영역을 상기 하나의 타일 단위로 병합하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 스트럭처드 ASIC을 설계하는 방법
9 9
제6 항에 있어서,상기 배선 구조를 결정하는 단계는,상기 타일들 내부의 배선을 위하여, 제1 방향으로 배치되는 제1 배선 메탈들 및 상기 제1 방향과 직각인 제2 방향으로 배치되는 제2 배선 메탈들을 상기 타일들에 배열하는 단계;상기 타일들 사이의 배선을 위하여, 상기 제1 방향으로 배치되어 상기 제1 배선 메탈들을 연결하는 제1 메탈 세그멘트들 및 상기 제2 방향으로 배치되어 상기 제2 배선 메탈들을 연결하는 제2 메탈 세그멘트들을 배열하는 단계;상기 제1 배선 메탈들, 제2 배선 메탈들, 제1 메탈 세그멘트들 및 제2 메탈 세그멘트들 상에서 상기 제1 방향 또는 제2 방향의 경로로 나타나는 제1 배선 구조를 결정하는 단계;상기 제1 배선 구조를 기초로 상기 제1 배선 메탈들, 제2 배선 메탈들, 제1 메탈 세그멘트들 및 제2 메탈 세그멘트들을 결정하여 제2 배선 구조를 결정하는 단계; 및상기 제2 배선 구조를 기초로 상기 제1 배선 메탈들, 제2 배선 메탈들, 제1 메탈 세그멘트들 및 제2 메탈 세그멘트들 사이의 필요한 위치에 삽입되는 비아(via)를 결정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 스트럭처드 ASIC을 설계하는 방법
10 10
제6 항에 있어서,상기 배선 구조를 결정하는 단계는,상위 K(K는 1 이상의 정수)개의 긴 지연시간을 갖는 경로의 배선을 우선적으로 결정하는 것을 특징으로 하는 스트럭처드 ASIC을 설계하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국연구재단 KAIST 일반연구자지원사업 선택적 부분 패터닝을 이용한 마스크 제작 없는 집적회로 제조 및 설계 (Maskless IC Manufacturing and Design Using Selective Patterning)