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안티몬과 셀레늄 금속합금을 이용한 상변화형 메모리소자및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015087681
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 낮은 녹는점과 빠른 결정화 속도를 가진 상변화재료로 이용한 상변화형 비휘발성 메모리소자 및 그 제조방법을 제공한다. 그 소자 및 방법은 포어에 의해 노출된 발열성 전극층과 접촉하면서, 포어를 매립하는 안티몬(Sb)-셀레늄(Se) 칼코게나이드인 SbxSe100-x 상변화재료층을 포함한다. 상변화재료층으로 SbxSe100-x를 사용함으로써, 종래의 GST 메모리소자에 비해 고속 및 저소비전력형 상변화형 메모리소자를 제조할 수 있다. 상변화, 비휘발성, 안티몬-셀레늄, 고속, 저소비전력
Int. CL H01L 27/115 (2006.01)
CPC H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01)
출원번호/일자 1020050083420 (2005.09.07)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0687750-0000 (2007.02.21)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070227) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.09.07)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤성민 대한민국 대전 서구
2 이남열 대한민국 대전 유성구
3 류상욱 대한민국 대전 유성구
4 이승윤 대한민국 대전 유성구
5 박영삼 대한민국 대전 서구
6 최규정 대한민국 대전 유성구
7 유병곤 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.09.07 수리 (Accepted) 1-1-2005-0501389-72
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.07.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.08.14 수리 (Accepted) 9-1-2006-0054079-58
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0573190-96
5 의견서
Written Opinion		 2006.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2006-0849250-31
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.11.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0849251-87
7 등록결정서
Decision to grant		 2007.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0059648-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
발열성 전극층; 상기 발열성 전극층의 일부를 덮으면서, 상기 발열성 전극층의 일면의 일부를 노출시키는 포어가 형성된 제1 절연층; 및상기 포어에 의해 노출된 상기 발열성 전극층과 접촉하면서, 상기 포어를 매립하는 안티몬(Sb)-셀레늄(Se) 칼코게나이드인 SbxSe100-x 상변화재료층을 포함하는 상변화형 메모리소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 포어의 크기는 500㎚보다 작은 것을 특징으로 하는 상변화형 메모리소자의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 SbxSe100-x 상변화재료층의 안티몬(Sb)의 조성(x)은 40~70인 것을 특징으로 하는 상변화형 메모리소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 SbxSe100-x 상변화재료층의 녹는점은 540~570℃인 것을 특징으로 하는 상변화형 메모리소자
5 5
제1항에 있어서, 상기 SbxSe100-x 상변화재료층의 녹는점은 Ge2Sb2Te5 상변화재료층의 녹는점에 비해 50~80℃ 낮은 것을 특징으로 하는 상변화형 메모리소자
6 6
제1항에 있어서, 상기 SbxSe100-x 상변화재료층의 결정화에 필요한 시간은 상기 안티몬의 조성(x)이 증가함에 따라 감소하는 것을 특징으로 하는 상변화형 메모리소자
7 7
제1항에 있어서, 상기 SbxSe100-x 상변화재료층의 결정화온도는 122℃에 비해 높은 것을 특징으로 하는 상변화형 메모리소자
8 8
기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 발열성 전극층을 형성하는 단계;상기 발열성 전극층의 일부를 덮으면서, 상기 발열성 전극층의 일면의 일부를 노출시키는 포어가 내재된 제1 절연층을 형성하는 단계; 및상기 포어에 의해 노출된 상기 발열성 전극층과 접촉하면서, 상기 포어를 매립하는 안티몬(Sb)-셀레늄(Se) 칼코게나이드인 SbxSe100-x 상변화재료층을 형성하는 단계를 포함하는 상변화형 메모리소자의 제조방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 SbxSe100-x 상변화재료층의 안티몬(Sb)의 조성(x)은 40~70인 것을 특징으로 하는 상변화형 메모리소자의 제조방법
10 10
제8항에 있어서, 상기 SbxSe100-x 상변화재료층은 건식식각에 의해 상기 포어를 중심으로 상변화에 필요한 영역에 한정되어 형성되는 것을 특징으로 하는 상변화형 메모리소자의 제조방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 SbxSe100-x 상변화재료층을 식각하는 챔버의 압력은 3~5 mTorr인 것을 특징으로 하는 상변화형 메모리소자의 제조방법
12 12
제10항에 있어서, 상기 SbxSe100-x 상변화재료층을 식각하는 식각가스는 아르곤(Ar)과 염소(Cl2)의 혼합가스인 것을 특징으로 하는 상변화형 메모리소자의 제조방법
13 13
제8항에 있어서, 상기 SbxSe100-x 상변화재료층을 형성하는 단계 이후에, 상기 상변화재료층을 덮는 제2 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화형 메모리소자의 제조방법
14 14
제13항에 있어서, 상기 제2 절연층은 ECR 플라즈마를 이용한 화학적 기상증착법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 상변화형 메모리소자의 제조방법
15 15
제13항에 있어서, 상기 제2 절연층은 상온에서 형성되는 것을 특징으로 하는 상변화형 메모리소자의 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN101258598 CN 중국 FAMILY
2 JP21507390 JP 일본 FAMILY
3 US07547913 US 미국 FAMILY
4 US20080237564 US 미국 FAMILY
5 USRE045356 US 미국 FAMILY
6 WO2007029938 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN101258598 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 JP2009507390 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JP2009507390 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP2009507390 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 US2008237564 US 미국 DOCDBFAMILY
6 US7547913 US 미국 DOCDBFAMILY
7 USRE45356 US 미국 DOCDBFAMILY
8 WO2007029938 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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