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상변이 물질을 포함하는 비휘발성 메모리 소자 및 그제조방법

  • 기술번호 : KST2015099845
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 저항이 바뀌는 상변이 재료의 크기를 나노 스케일 이하로 제작하여 기존의 소자에 비해 상변이를 유발하는 전류를 감소시키고 결정화 속도를 높이면서 충분한 센싱 마진을 확보할 수 있는 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 실시예에 따른 비휘발성 메모리 소자는, 반도체 기판 상에 형성되는 하부 전극, 상기 하부 전극과 대향하도록 형성되는 상부 전극, 및 상기 하부 전극 및 상기 상부 전극 사이에 위치하며 스페이서 형태를 갖는 상변이 물질을 포함한다. 상기 상변이 물질은 결정 상태에 따라 비저항이 변화되는 물질이다. 상변화(phase change), 비휘발성(non-volatile), 스페이서(spacer), 메모리(memory)
Int. CL H01L 27/115 (2011.01)
CPC H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01)
출원번호/일자 1020060025208 (2006.03.20)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0701157-0000 (2007.03.22)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070328) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020050120169   |   2005.12.08
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.03.20)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이승윤 대한민국 대전 유성구
2 류상욱 대한민국 대전 유성구
3 윤성민 대한민국 대전 서구
4 박영삼 대한민국 대전 서구
5 최규정 대한민국 대전 유성구
6 이남열 대한민국 대전 유성구
7 유병곤 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2006-0191880-85
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.12.05 수리 (Accepted) 9-1-2006-0082126-18
4 등록결정서
Decision to grant		 2007.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0114510-50
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
반도체 기판;상기 반도체 기판상에 형성되는 하부 전극;상기 하부 전극과 대향하도록 형성되는 상부 전극; 및상기 하부 전극 및 상기 상부 전극 사이에 위치하며 스페이서 형태를 갖는 상변이 물질을 포함하며,상기 상변이 물질은 결정 상태에 따라 비저항이 변화되는 물질인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 스페이서 형태의 상변이 물질은 일정 간격을 두고 다수개 존재하며,상기 각각의 상변이 물질 사이에 절연막이 개재되어 상기 상변이 물질의 양 측면이 상기 절연막과 접촉되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 하부 전극 또는 상기 상부 전극은 도핑된 실리콘막, 도핑된 폴리실리콘막, 도핑된 실리콘 게르마늄 및 상기 막들중 선택된 하나이상의 막을 적층시킨 막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
4 4
반도체 기판을 제공하는 단계;상기 반도체 기판 상부에 페데스탈 절연막 패턴을 형성하는 단계;상기 페데스탈 절연막 패턴의 양측벽에 상변이 물질로 된 스페이서를 형성하는 단계;상기 스페이서 측부의 공간이 매립되도록 소자 분리용 절연막을 증착하는 단계;상기 스페이서 표면이 노출되도록 소자 분리용 절연막, 스페이서 및 페데스탈 절연막 패턴을 화학적 기계적 연마하여 결과물 표면을 평탄화시키는 단계; 및상기 평탄화된 결과물 표면에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 비휘발성 메모리 소자의 제조방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 페데스탈 절연막 패턴은 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자의 제조방법
6 6
제 4 항에 있어서, 상기 상변이 물질로 된 스페이서를 형성하는 단계는,상기 페데스탈 절연막 패턴이 형성된 하부 전극 상부에 상변이 물질막을 증착하는 단계; 및상기 상변이 물질막을 비등방성 식각하는 단계를 포함하는 비휘발성 메모리 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.