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나노 마스크를 이용한 소자의 표면처리 방법

  • 기술번호 : KST2015113888
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 나노 마스크를 이용한 소자의 표면 처리 방법에 대해 개시된다. 개시된 표면 처리 방법은 구조체 및 나노 입자들 사이에 정전기적 인력이 작용하도록 하여 구조체 표면에 나노 입자를 용이하게 결합하도록 하여 건식 식각 공정에 의해 구조체 표면에 굴곡 형상을 형성할 수 있다.
Int. CL H01L 31/04 (2014.01) H01L 21/027 (2006.01)
CPC H01L 21/31144(2013.01) H01L 21/31144(2013.01) H01L 21/31144(2013.01) H01L 21/31144(2013.01) H01L 21/31144(2013.01)
출원번호/일자 1020090136218 (2009.12.31)
출원인 삼성전자주식회사, 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1602412-0000 (2016.03.04)
공개번호/일자 10-2011-0079223 (2011.07.07) 문서열기
공고번호/일자 (20160310) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.11.27)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조용훈 대한민국 대전광역시 유성구
2 고영호 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
2 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2009-0822254-51
2 보정요구서
Request for Amendment
2010.01.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0000307-32
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2010.01.05 수리 (Accepted) 1-1-2010-0004875-43
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-1151937-62
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
10 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.06.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
11 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.08.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2015-0064272-15
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.09.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0599784-15
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.11.02 수리 (Accepted) 1-1-2015-1066201-40
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.11.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1066202-96
15 등록결정서
Decision to grant
2015.12.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0853589-00
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
소자의 표면 처리 방법에 있어서, 제 1극성의 표면을 지닌 구조체를 마련하는 단계; 상기 구조체에 제 2극성의 표면을 지닌 나노 입자를 공급하여 상기 구조체 표면에 상기 나노 입자를 결합시키는 단계; 및 상기 구조체 표면을 건식 식각 공정에 의해 식각하여 상기 구조체 표면에 굴곡 구조를 형성시키는 단계;를 포함하며, 상기 나노 입자의 표면은 상기 나노 입자를 구성하는 물질의 수하물을 포함하는 용액을 이용하여 제 2극성을 지니도록 표면처리되는 나노 마스크를 이용한 소자의 표면 처리 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 나노 입자는 금속 나노 입자 또는 SiO2 비드를 포함하는 나노 마스크를 이용한 소자의 표면 처리 방법
3 3
제 2항에 있어서, 상기 나노 입자의 직경은 5nm 내지 2㎛ 범위인 나노 마스크를 이용한 소자의 표면 처리 방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 건식 식각은 ICP-RIE(Inductively Coupled Plasma-Reactive Ion Etching), 플라즈마 식각, 마그네트론식각, 자기장지지반응성 이온식각(MERIE), ECR(Electron Cyclotron Resonance) 또는 Helicon 공정으로 실시하는 나노 마스크를 이용한 소자의 표면 처리 방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 구조체는 아민기 또는 알데하이드기를 부착하여 표면 처리를 하는 나노 마스크를 이용한 소자의 표면 처리 방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 구조체는 Si, Ge, GaN, GaAs, SiO2, Si3N4 또는 Al2O3 인 나노 마스크를 이용한 소자의 표면 처리 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.