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실리콘 함유 포토레지스트 물질 및 포토레지스트 조성물

  • 기술번호 : KST2015114153
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실리콘 함유 포토레지스트 물질 및 포토레지스트 조성물이 제공된다. 본 발명에 따른 실리콘 함유 포토레지스트 물질은 하기 식 (1)이며, (1)(상기 식에서 R1은 탄소수 1 내지 20의 탄화수소이며, Z는 아민기, 히드록실기, 또는 티올기이며, x, y 는 정수임)본 발명에 따른 포토레지스트는 레지스트 내부로 실릴화 물질이 흡수되지 않고 노광부의 표면에서만 화학반응을 일으키므로, 기존의 TSI 방법의 단점인 레지스트 프로파일 변형 및 콘트라스트(contrast) 악화를 방지할 수 있고, 또한 고해상도와 고종횡비의 레지스트 패턴을 얻을 수 있다. 즉, 본 발명에 따른 포토레지스트는 기존 TSI 방법에서 사용되는 헥사메틸실라잔 등의 실릴화제 대신, 실리콘 자체를 함유하는 고분자를 사용하며, 실리콘이 함유된 고분자 레지스트를 하부 레지스트 위에 스핀코팅하고, 노광부에서만 선택적으로 계면 상호반응이나 가교화 반응을 시키는 방식으로 미세 패턴을 형성한다. 또한, 본 발명은 빛에 의해서 반응하는 비화학증폭형 레지스트와 실리콘이 함유되어있는 고분자의 간단한 블렌딩 방법(blending method)을 통하여 패턴을 형성하므로, 실리콘의 함량 제한이 없이 실리콘을 일정한 비율로 사용할 수 있고, 단순한 레지스트 디자인이 가능하다. 더 나아가, 비화학증폭형 레지스트를 사용하므로, 화학증폭형 포토레지스트의 산의 손실이나 확산 등으로 인한 문제점을 해결할 수 있고, 베이킹 과정 없이 패턴을 형성할 수 있으므로 패턴화 공정수가 줄어드는 장점을 가지고 있다. 또한, 본 발명에 따른 디아조케토기를 포함하는 비화학증폭형 레지스트는 그 감도가 매우 우수하여 화학증폭형과 대등한 감도를 나타내며, 반응 중에 부산물로 질소만 생성되기 때문에 ArF 이머전 리소그래피(immersion lithography), 극자외선(EUV) 리소그래피 등 차세대 리소그래피 공정에서 매우 유용하다.
Int. CL C08L 83/16 (2006.01) C08G 77/60 (2006.01) G03F 7/075 (2006.01) H01L 21/027 (2006.01)
CPC C08G 77/60(2013.01) C08G 77/60(2013.01) C08G 77/60(2013.01) C08G 77/60(2013.01) C08G 77/60(2013.01)
출원번호/일자 1020100095723 (2010.10.01)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1339408-0000 (2013.12.03)
공개번호/일자 10-2012-0034280 (2012.04.12) 문서열기
공고번호/일자 (20131210) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.10.01)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김진백 대한민국 대전광역시 유성구
2 우승아 대한민국 부산광역시 연제구
3 박지영 대한민국 경상북도 구미시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 다해 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***, *층(삼성동,고운빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.10.01 수리 (Accepted) 1-1-2010-0634882-17
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.12.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0097019-33
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0058464-17
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.04.02 수리 (Accepted) 1-1-2012-0262988-57
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.04.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0343250-15
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.04.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0343251-50
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2012.09.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0789517-37
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0577478-29
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.10.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0639652-11
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.12.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-1074122-60
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2012-1074121-14
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
14 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.04.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0267610-68
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0351052-48
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.04.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0351061-59
17 등록결정서
Decision to Grant Registration
2013.09.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0649946-42
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 식 (1)의 아민기, 히드록실기, 또는 티올기를 갖는 실리콘 함유 중합체
2 2
상기 제 1항에 따른 실리콘 함유 중합체인 제 1 중합체와 디아조케토기가 측쇄에 공유결합된 제 2 중합체를 포함하는 포토레지스트 조성물로서, 상기 포토레지스트 조성물은, 제 1항에 따른 실리콘 함유 중합체인 제 1 중합체와 하기 식 (2)의 제 2 중합체를 포함하는 포토레지스트 조성물
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제2항에 있어서, 상기 제 1 중합체 및 제 2 중합체는 유기 용매에서 블렌딩되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물
7 7
제6항에 있어서, 상기 제 1 중합체를 고형 성분의 5 내지 60 중량%로 블렌딩하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물
8 8
기판에 이중층 포토레지스트의 하부층을 적층시키는 단계;상기 하부층에 제 2항, 제 6항 및 제 7항 중 어느 한 항에 따른 포토레지스트 조성물을, 상기 이중층 포토레지스트의 상부층으로 적층시키는 단계; 패터닝된 마스크를 통해 빛을 조사한 후, 상부층을 현상하는 단계; 및상기 이중층 포토레지스트의 하부층을 산소 반응성 이온 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세패턴 제조방법
9 9
제 8항에 있어서, 상기 하부층은 SU-8 레지스트인 것을 특징으로 하는 미세패턴 제조방법
10 10
제 8항에 있어서,상기 포토레지스트 조성물의 실리콘 함유 중합체는, 산소 반응성 이온 에칭에 의하여 실리콘이 경질화되는 것을 특징으로 하는 미세패턴 제조방법
11 11
제 10항에 따라 제조된 미세패턴
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.