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헤테로다인 간섭 리소그래피 장치, 그 장치를 이용한 미세패턴 형성방법, 웨이퍼 및 반도체 소자

  • 기술번호 : KST2015115323
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 헤테로다인 간섭 리소그래피 장치 및 그 장치를 이용한 미세패턴 형성방법에 대한 것이다. 두 개 또는 그 이상의 각기 다른 파장을 생성할 수 있는 레이저를 이용하여 간접 현상을 일으켜 나노패턴을 형성하고, 맥놀이 현상에 의한 마이크로 패턴을 동시에 형성할 수 있는 간섭 리소그래피 장치 및 패턴 형성방법에 관한 것이다. 이를 위해 서로 다른 파장을 갖는 레이저 빔을 발생시키는 멀티 레이져 광원부(100); 레이저 빔을 투과시키거나 반사시키는 편광식빔분리기(200); 투과된 서로 다른 파장의 상기 레이저 빔을 서로 공간적으로 분리하는 공간식빔분리기(300); 반전된 레이저 빔을 확장시키는 빔 확장기(400); 및 확장된 레이저 빔과 확장된 레이저 빔의 반사에 의해 서로 간섭을 일으킴으로써 제1패턴을 형성하고, 서로 다른 파장에 의한 파동의 간섭에 의해 새로운 합성파를 생성함으로써 제2패턴을 형성하는 패턴 생성부(500);를 포함하는 것을 특징으로 하는 헤테로다인 간섭 리소그래피 장치가 개시된다.
Int. CL H01L 21/027 (2006.01) G03F 7/20 (2006.01)
CPC G03F 7/2006(2013.01) G03F 7/2006(2013.01) G03F 7/2006(2013.01) G03F 7/2006(2013.01)
출원번호/일자 1020110084000 (2011.08.23)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1229786-0000 (2013.01.30)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20130205) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.08.23)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양민양 대한민국 대전광역시 유성구
2 강봉철 대한민국 대전광역시 유성구
3 이주형 대한민국 대전광역시 유성구
4 김건우 대한민국 대전광역시 유성구
5 노지환 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김문종 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길*, *층(대치동 삼성빌딩)(특허법인 아이퍼스)
2 손은진 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길*, *층(대치동 삼성빌딩)(특허법인 아이퍼스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.08.23 수리 (Accepted) 1-1-2011-0653671-15
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.04.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.05.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0038761-11
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.09.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0534685-22
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0740124-16
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.09.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0740125-62
7 등록결정서
Decision to grant
2013.01.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0030396-90
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1
서로 다른 파장을 갖는 레이저 빔을 발생시키는 멀티 레이저 광원부(100);상기 레이저 빔을 투과시키거나 반사시키는 편광식빔분리기(200);투과된 서로 다른 파장의 상기 레이저 빔의 광경로를 분리하는 공간식빔분리기(300);반전된 레이저 빔을 확장시키는 빔 확장기(400); 및확장된 레이저 빔과 상기 확장된 레이저 빔의 반사에 의해 서로 간섭을 일으킴으로써 제1패턴을 형성하고, 상기 서로 다른 파장에 의한 파동의 간섭에 의해 새로운 합성파를 생성함으로써 제2패턴을 형성하는 패턴 생성부(500);를 포함하는 것을 특징으로 하는 헤테로다인 간섭 리소그래피 장치
2 2
제 1 항에 있어서,상기 제1패턴은 간섭무늬에 의한 나노 크기의 패턴인 것을 특징으로 하는 헤테로다인 간섭 리소그래피 장치
3 3
제 1 항에 있어서,상기 합성파는 고주파 성분과 저주파 성분을 포함하며,상기 제2패턴은 상기 저주파 성분에 의해 형성되는 마이크로 패턴인 것을 특징으로 하는 헤테로다인 간섭 리소그래피 장치
4 4
제 1 항에 있어서,상기 서로 다른 파장은 복간섭 주파수가 생성되도록 하는 파장인 것을 특징으로 하는 헤테로다인 간섭 리소그래피 장치
5 5
제 1 항에 있어서,상기 편광식빔분리기(200)는,P편광의 빔은 투과시키고, S편광의 빔은 반사시키는 것을 특징으로 하는 헤테로다인 간섭 리소그래피 장치
6 6
제 1 항에 있어서,상기 편광식빔분리기(200)는,상기 반전된 레이저 빔을 반사시키는 것을 특징으로 하는 헤테로다인 간섭 리소그래피 장치
7 7
제 1 항에 있어서,상기 공간식빔분리기(300)는,상기 서로 다른 파장을 갖는 레이저 빔의 강도를 조절함으로써, 상기 조절된 강도에 따라 다양한 간섭무늬가 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 헤테로다인 간섭 리소그래피 장치
8 8
제 1 항에 있어서,상기 공간식빔분리기(300)는,투과된 상기 레이저 빔의 편광성분을 반전시키는 것을 특징으로 하는 헤테로 다인 간섭 리소그래피 장치
9 9
멀티 레이저 광원부(100)가 서로 다른 파장을 갖는 레이저 빔을 발생시키는 단계(S610);편광식빔분리기(200)가 상기 레이저 빔을 투과시키는 단계(S620);공간식빔분리기(300)가 투과된 레이저 빔의 편광성분을 반전시키는 단계(S630);상기 편광식빔분리기(200)가 반전된 레이저 빔을 반사시키는 단계(S640); 및빔 확장기(400)가 반사된 레이저 빔을 확장시키는 단계(S650);를 포함함으로써확장된 레이저 빔과 상기 확장된 레이저 빔의 반사에 의해 서로 간섭을 일으킴으로써 제1패턴을 형성하고, 상기 서로 다른 파장에 의한 파동의 간섭에 의해 새로운 합성파를 생성함으로써 제2패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 헤테로다인 간섭 리소그래피 장치를 이용한 패턴 형성방법
10 10
제 9 항에 있어서,상기 제1패턴은 간섭무늬에 의한 나노 크기의 패턴인 것을 특징으로 하는 헤테로다인 간섭 리소그래피 장치를 이용한 패턴 형성방법
11 11
제 9 항에 있어서,상기 합성파는 고주파 성분과 저주파 성분을 포함하며,상기 제2패턴은 상기 저주파 성분에 의해 형성되는 마이크로 패턴인 것을 특징으로 하는 헤테로다인 간섭 리소그래피 장치를 이용한 패턴 형성방법
12 12
제 9 항에 있어서,상기 서로 다른 파장은 복간섭 주파수가 생성되도록 하는 파장인 것을 특징으로 하는 헤테로다인 간섭 리소그래피 장치를 이용한 패턴 형성방법
13 13
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1 WO2013027900 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 WO2013027900 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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