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레이저를 이용한 박막 트랜지스터 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015117538
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 목적은 레이저를 이용한 박막 트랜지스터의 제조 방법을 제공하는데 있다. 이를 위하여, 본 발명은 게이트 전극층을 포함하는 기판상에 절연층을 형성하는 단계(단계 1); 상기 절연층 상에 산화물 반도체층을 형성하는 단계(단계 2); 및 상기 산화물 반도체층에 레이저를 조사하여 상기 산화물 반도체층의 적어도 일부는 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계(단계 3)을 포함하는 레이저를 이용한 박막 트랜지스터 제조 방법을 제공한다. 또한, 본 발명은 레이저를 이용한 박막 트랜지스터 제조 방법으로 제조된 박막 트랜지스터를 제공한다. 본 발명에서는 단일 레이저를 조사하는 공정으로 다층(Multilayer) 전자 소자를 제공할 수 있다. 또한, 기존의 다수의 공정 단계를 단순화하여 비용을 절감할 수 있다. 또한, 절연층 및 산화물 반도체층에 포함된 나노입자의 농도와 용매, 조사하는 레이저의 에너지를 조절하여 박막 트랜지스터의 넓이 및 두께를 조절할 수 있으며, 대기중에서 공정이 가능하다. 나아가, 금속 산화물의 결합 에너지 차이 및 용매의 선정에 따라서 다양한 재료에 적용이 가능하며, 박막 트랜지스터뿐만 아니라, FPCB(Flexible printed circuit boad), 슈퍼 커패시터(Super capacitor), 배터리 등의 적층형 전자소자의 제작에 적용할 수 있다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) H01L 21/027 (2006.01)
CPC H01L 21/0275(2013.01) H01L 21/0275(2013.01)
출원번호/일자 1020140047264 (2014.04.21)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1605884-0000 (2016.03.17)
공개번호/일자 10-2015-0121739 (2015.10.30) 문서열기
공고번호/일자 (20160324) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.04.21)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양민양 대한민국 대전광역시 유성구
2 이후승 대한민국 대전광역시 유성구
3 한승용 대한민국 대전광역시 유성구
4 박종은 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2014-0375270-81
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.11.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.12.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0096787-15
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.08.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0549565-17
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.10.19 수리 (Accepted) 1-1-2015-1006461-19
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.10.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1006460-63
10 등록결정서
Decision to grant		 2016.02.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0096315-41
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
게이트 전극층을 포함하는 기판상에 용액 공정으로 절연층을 형성하는 단계(단계 1); 상기 절연층 상에 용액 공정으로 산화물 반도체층을 형성하는 단계(단계 2); 및상기 산화물 반도체층에 레이저를 조사하여 상기 산화물 반도체층의 적어도 일부는 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계(단계 3)을 포함하되,상기 용액 공정에서 사용되는 절연층 원료 용액의 용매의 표면장력은 상기 산화물 반도체층 원료 용액의 용매의 표면장력 보다 작은 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 박막 트랜지스터 제조 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 산화물 반도체층은 전도성 금속을 포함하는 산화물 반도체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 박막 트랜지스터 제조 방법
3 3
제 2항에 있어서, 상기 산화물 반도체층은 Cu2O, Ag2O, ZnO, SnO2 및 Fe2O3으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종의 전도성 금속인 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 박막 트랜지스터 제조 방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 절연층은 Al2O3, SiO2, 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리비닐페놀(PVP), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리옥시메틸렌(POM), 폴리염화비닐, 폴리불화비닐리덴, 폴리설폰, 폴리카보네이트(PC), 폴리이미드, BPGS, PSG, AsSG, PbSG, 산화 질화 실리콘(SiON), SOG, 저유전율 SiO계 재료로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종의 절연 특성을 가지는 물질인 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 박막 트랜지스터 제조 방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 절연층 및 상기 산화물 반도체층 형성을 위한 용액 공정은 스핀코팅(spin coating), 스프레이(spray), 딥 코팅(dip coating), 롤투롤 코팅(roll-to-roll coating), 슬롯다이 코팅(slot-die coating), 바코팅(bar-coating) 및 스크린 프린팅(screen printing)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종의 용액 공정으로 수행되는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 박막 트랜지스터 제조 방법
6 6
삭제
7 7
용액 공정을 통해 기판상에 절연층을 형성하는 단계(단계 1);상기 용액 공정을 통해 상기 절연층 상에 산화물 반도체층을 형성하는 단계(단계 2);상기 산화물 반도체층에 레이저를 조사하여 절연층 및 산화물 반도체층은 소결되고, 상기 산화물 반도체층의 적어도 일부는 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계(단계 3); 및상기 레이저 조사에 의해 소결이 이루어지지 않은 절연층 및 산화물 반도체층을 제거하는 단계(단계 4)를 포함하되,상기 용액 공정에서 사용되는 절연층 원료 용액의 용매의 표면장력은 상기 산화물 반도체층 원료 용액의 용매의 표면장력 보다 작은 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 박막 트랜지스터 제조 방법
8 8
제 7항에 있어서, 상기 절연층은 Al2O3, SiO2, 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리비닐페놀(PVP), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리옥시메틸렌(POM), 폴리염화비닐, 폴리불화비닐리덴, 폴리설폰, 폴리카보네이트(PC), 폴리이미드, BPGS, PSG, AsSG, PbSG, 산화 질화 실리콘(SiON), SOG, 저유전율 SiO계 재료로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종의 절연 특성을 가지는 물질인 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 박막 트랜지스터 제조 방법
9 9
제 7항에 있어서, 상기 산화물 반도체층은 전도성 금속을 포함하는 산화물 반도체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 박막 트랜지스터 제조 방법
10 10
제 9항에 있어서, 상기 산화물 반도체층은 Cu2O, Ag2O, ZnO, SnO2 및 Fe2O3으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종의 전도성 금속인 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 박막 트랜지스터 제조 방법
11 11
제 7항에 있어서, 상기 절연층 및 상기 산화물 반도체층은 스핀코팅(spin coating), 스프레이(spray), 딥 코팅(dip coating), 롤투롤 코팅(roll-to-roll coating), 슬롯다이 코팅(slot-die coating), 바코팅(bar-coating) 및 스크린 프린팅(screen printing)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종의 용액 공정으로 형성되는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 박막 트랜지스터 제조 방법
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13 13
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교과부 한국과학기술원 이공분야기초연구사업/중견연구자지원사업/도약(도전) 나노재료의 광열화학반응을 이용한 차세대 박막소자 제조 시스템 개발 및 응용