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누설자장을 이용한 스핀 트랜지스터
- 기술번호 : KST2015121756
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 본 발명은, 채널층을 갖는 반도체 기판부와, 상기 기판부 상에 상기 채널의 길이 방향을 따라 소정간격 이격되어 배치된 제1 전극 및 제2 전극과, 상기 제1 전극과 제2 전극의 사이에 상기 채널의 길이 방향을 따라 소정간격 이격되어 배치되고 자화된 강자성체로 된 소스 및 드레인, 및 상기 소스와 드레인 사이의 상기 기판부 상에 형성되어 상기 채널을 통과하는 전자의 스핀 방향을 조절하는 게이트를 포함하며, 상기 채널층을 지나는 전자의 스핀은 상기 소스하부에서 상기 소스의 누설자장에 의해 정렬되고, 상기 드레인 하부에서 상기 드레인의 누설자장에 의해 필터링되는 것을 특징으로 하는 누설자장을 이용한 스핀 트랜지스터를 제공한다. 스핀 트랜지스터(spin transistor), 전극(electrode), 채널(channel) |
|---|---|
| Int. CL | H01L 29/78 (2006.01) |
| CPC | G11C 11/16(2013.01) G11C 11/16(2013.01) G11C 11/16(2013.01) G11C 11/16(2013.01) G11C 11/16(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020070000888 (2007.01.04) |
| 출원인 | 한국과학기술연구원 |
| 등록번호/일자 | 10-0832583-0000 (2008.05.20) |
| 공개번호/일자 | |
| 공고번호/일자 | (20080527) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2007.01.04) |
| 심사청구항수 | 23 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술연구원 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 구현철 | 대한민국 | 서울 성북구 |
| 2 | 엄종화 | 대한민국 | 서울 송파구 |
| 3 | 한석희 | 대한민국 | 서울 노원구 |
| 4 | 장준연 | 대한민국 | 서울 성북구 |
| 5 | 김형준 | 대한민국 | 대구 남구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인씨엔에스 | 대한민국 | 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술연구원 | 서울특별시 성북구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 Patent Application |
2007.01.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0008449-17 |
| 2 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2007.12.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0691321-50 |
| 3 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2008.02.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0130338-66 |
| 4 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2008.02.21 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2008-0130339-12 |
| 5 | 등록결정서 Decision to grant |
2008.05.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0261941-63 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2009.12.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5247056-16 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5022002-69 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 채널층을 갖는 반도체 기판부;상기 기판부 상에 상기 채널의 길이 방향을 따라 소정간격 이격되어 배치된 제1 전극 및 제2 전극;상기 제1 전극과 제2 전극의 사이에 상기 채널의 길이 방향을 따라 소정간격 이격되어 배치되고 자화된 강자성체로 된 소스 및 드레인; 및상기 소스와 드레인 사이의 상기 기판부 상에 형성되어 상기 채널을 통과하는 전자의 스핀 방향을 조절하는 게이트를 포함하며,상기 채널층을 지나는 전자의 스핀은 상기 소스하부에서 상기 소스의 누설자장에 의해 정렬되고, 상기 드레인 하부에서 상기 드레인의 누설자장에 의해 필터링되는 것을 특징으로 하는 누설자장을 이용한 스핀 트랜지스터 |
| 2 |
2 제1항에 있어서,상기 소스와 드레인의 사이에는 스핀정렬과 스핀 필터링을 위한 공간을 확보하도록 상기 소스 및 드레인과 각각 소정간격 이격되어 배치된 연자성 물질을 더 포함하며, 상기 연자성 물질은 상기 게이트와 채널층 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 누설자장을 이용한 스핀 트랜지스터 |
| 3 |
3 제2항에 있어서,상기 연자성 물질은,뮤메탈인 것을 특징으로 하는 누설자장을 이용한 스핀 트랜지스터 |
| 4 |
4 제1항에 있어서, 상기 기판부는,상기 채널의 길이방향에 따라 양측부의 일부가 컷아웃된 리지 구조를 갖고, 상기 리지 구조에 의해 채널의 폭이 한정되는 것을 특징으로 하는 누설자장을 이용한 스핀 트랜지스터 |
| 5 |
5 제4항에 있어서,상기 리지 구조의 컷아웃된 양측부에는 평탄화를 위한 절연막이 형성된 것을 특징으로 하는 누설자장을 이용한 스핀 트랜지스터 |
| 6 |
6 제5항에 있어서,상기 절연막은 SiO2 또는 TaO2로 형성되는 것을 특징으로 하는 누설자장을 이용한 스핀 트랜지스터 |
| 7 |
7 제1항에 있어서,상기 기판부의 채널층은 2차원 전자 가스층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 누설자장을 이용한 스핀 트랜지스터 |
| 8 |
8 제7항에 있어서,상기 2차원 전자 가스층은 GaAs, InAs 및 InGaAs으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 재료로 형성된 것을 특징으로 하는 누설자장을 이용한 스핀 트랜지스터 |
| 9 |
9 제1항에 있어서,상기 기판부는, 상기 채널층의 상부 및 하부에 형성되는 상부 및 하부 클래딩층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 누설자장을 이용한 스핀 트랜지스터 |
| 10 |
10 제9항에 있어서,상기 상부 및 하부 클래드층 각각은 InGaAs층과 InAlAs층의 2층 구조를 갖는 2중 클래드층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 누설자장을 이용한 스핀 트랜지스터 |
| 11 |
11 제9항에 있어서,상기 기판부는,상기 하부 클래드층 아래에 형성된 InAlAs 전하 공급층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 누설자장을 이용한 스핀 트랜지스터 |
| 12 |
12 제9항에 있어서,상기 기판부는,상기 상부 클래드층 상에 형성된 InAs 캡핑층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 누설자장을 이용한 스핀 트랜지스터 |
| 13 |
13 제1항에 있어서,상기 소스 및 드레인 중 적어도 하나는 강자성 금속(ferromagnetic metal)으로 형성된 것을 특징으로 하는 누설자장을 이용한 스핀 트랜지스터 |
| 14 |
14 제13항에 있어서,상기 강자성 금속은, Fe, Co, Ni, CoFe, NiFe 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 누설자장을 이용한 스핀 트랜지스터 |
| 15 |
15 제1항에 있어서,상기 소스와 드레인 중 적어도 하나는 강자성 반도체(ferromagnetic semiconductor) 또는 묽은 자성 반도체(diluted magnetic semiconductor)로 형성된 것을 특징으로 하는 누설자장을 이용한 스핀 트랜지스터 |
| 16 |
16 제15항에 있어서,상기 강자성 반도체는 (Ga, Mn)As인 것을 특징으로 하는 누설자장을 이용한 스핀 트랜지스터 |
| 17 |
17 제1항에 있어서,상기 소스 및 드레인의 자화 방향은 상기 채널의 길이방향을 따라 서로 반대방향으로 형성되는 것을 특징으로 하는 누설자장을 이용한 스핀 트랜지스터 |
| 18 |
18 제1항에 있어서,상기 소스 및 드레인의 자화 방향은 상기 채널층의 표면에 수직한 방향으로 배치된 것을 특징으로 하는 누설자장을 이용한 스핀 트랜지스터 |
| 19 |
19 제18항에 있어서,상기 소스 및 드레인의 자화 방향은 동일한 것을 특징으로 하는 누설자장을 이용한 스핀 트랜지스터 |
| 20 |
20 제1항에 있어서,상기 스핀 트랜지스터의 온-오프 동작을 제어하기 위하여, 상기 게이트에 인가되는 전압에 의해 상기 드레인 하부에 도달한 전자의 스핀을 상기 드레인의 누설자장의 방향과 평행 또는 반평행하게 조절하는 것을 특징으로 하는 누설자장을 이용한 스핀 트랜지스터 |
| 21 |
21 제20항에 있어서,상기 드레인 하부에 도달한 전자의 스핀 방향이 상기 드레인의 누설자장의 방향과 평행이면 상기 트랜지스터는 온 상태에 있고,상기 드레인 하부에 도달한 전자의 스핀 방향이 상기 드레인의 누설자장의 방향과 반평행이면 상기 트랜지스터는 오프 상태에 있게 되는 것을 특징으로 하는 누설자장을 이용한 스핀 트랜지스터 |
| 22 |
22 채널층을 갖는 반도체 기판부;상기 기판부 상에 상기 채널의 길이 방향을 따라 소정간격 이격되어 배치되고 자화된 강자성체로 된 소스 및 드레인;상기 소스에 인접하게 형성되어 전류의 입력단자로 제공되는 하나의 전극; 및 상기 소스와 드레인 사이의 상기 기판부 상에 형성되어 상기 채널을 통과하는 전자의 스핀 방향을 조절하는 게이트를 포함하며,상기 채널층을 지나는 전자는 상기 소스하부에서 상기 소스의 누설자장에 의해 스핀이 정렬되고, 상기 드레인으로 직접 주입되는 것을 특징으로 하는 누설자장을 이용한 스핀 트랜지스터 |
| 23 |
23 채널층을 갖는 반도체 기판부;상기 기판부 상에 상기 채널의 길이 방향을 따라 소정간격 이격되어 배치되고 자화된 강자성체로 된 소스 및 드레인;상기 드레인에 인접하게 형성되어 전류의 출력단자로 제공되는 하나의 전극; 및 상기 소스와 드레인 사이의 상기 기판부 상에 형성되어 상기 채널을 통과하는 전자의 스핀 방향을 조절하는 게이트를 포함하며,상기 소스로부터 직접 주입된 전자는 상기 채널층을 지나 상기 드레인 하부에서 상기 드레인의 누설자장에 의해 필터링되는 것을 특징으로 하는 누설자장을 이용한 스핀 트랜지스터 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | EP01942527 | EP | 유럽특허청(EPO) | FAMILY |
| 2 | EP01942527 | EP | 유럽특허청(EPO) | FAMILY |
| 3 | JP04919893 | JP | 일본 | FAMILY |
| 4 | JP20166689 | JP | 일본 | FAMILY |
| 5 | US07608901 | US | 미국 | FAMILY |
| 6 | US20080169492 | US | 미국 | FAMILY |
| 7 | WO2008082051 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | EP1942527 | EP | 유럽특허청(EPO) | DOCDBFAMILY |
| 2 | EP1942527 | EP | 유럽특허청(EPO) | DOCDBFAMILY |
| 3 | JP2008166689 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
| 4 | JP4919893 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
| 5 | US2008169492 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 6 | US7608901 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 7 | WO2008082051 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
| 공개전문 정보가 없습니다 |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0832583-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20070104 출원 번호 : 1020070000888 공고 연월일 : 20080527 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20080516 청구범위의 항수 : 23 유별 : H01L 29/78 발명의 명칭 : 누설자장을 이용한 스핀 트랜지스터 존속기간(예정)만료일 : 20160521 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국과학기술연구원 서울 성북구... |
| 2 |
(의무자) 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구... |
| 2 |
(권리자) 한국산업기술진흥원 서울특별시 강남구... |
| 3 |
(의무자) 한국산업기술진흥원 서울특별시 강남구... |
| 3 |
(권리자) 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 550,500 원 | 2008년 05월 21일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 546,000 원 | 2010년 12월 30일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 546,000 원 | 2011년 12월 20일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 546,000 원 | 2013년 04월 30일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 974,000 원 | 2014년 05월 07일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 974,000 원 | 2015년 04월 30일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 | 2007.01.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0008449-17 |
| 2 | 의견제출통지서 | 2007.12.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0691321-50 |
| 3 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2008.02.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0130338-66 |
| 4 | [명세서등 보정]보정서 | 2008.02.21 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2008-0130339-12 |
| 5 | 등록결정서 | 2008.05.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0261941-63 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2009.12.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5247056-16 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5022002-69 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1350010547 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2E19270 |
| 연구과제명 | 신개념스핀전자소자기술개발 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 과학기술부 |
| 연구주관기관명 | 한국과학기술연구원 |
| 성과제출연도 | 2006 |
| 연구기간 | 200601~200612 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1415092143 |
|---|---|
| 세부과제번호 | INFRA11 |
| 연구과제명 | 특허경비지원 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가원 |
| 연구주관기관명 | 한국산업기술진흥협회 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200604~201103 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | 기타 |
| 과제고유번호 | 1350010547 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2E19270 |
| 연구과제명 | 신개념스핀전자소자기술개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 과학기술부 |
| 연구주관기관명 | 한국과학기술연구원 |
| 성과제출연도 | 2006 |
| 연구기간 | 200601~200612 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
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