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(a) 기판상에 하나 이상의 실리콘계 나노선을 배열하는 단계;(b) 상기 실리콘계 나노선의 상부에 마스크 패턴을 형성시키는 단계;(c) 상기 마스크 패턴의 상부에 스퍼터링방법 또는 원자층 증착법에 의하여 금속박막을 적층시키는 단계; 및(d) 상기 금속박막을 열처리하여 금속 규화물층을 형성하고 상기 마스크 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 실리콘계 나노선 표면의 선택적 금속규화물화 방법
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제 1항에 있어서, 상기 (d)단계 이후에, 습식식각공정을 통해, 반응에 참여하지 않은 금속을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘계 나노선 표면의 선택적 금속규화물화 방법
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제 1항에 있어서, 상기 마스크 패턴을 형성하는 물질은 규소산화물 또는 규소질화물인 것을 특징으로 하는 실리콘계 나노선 표면의 선택적 금속규화물화 방법
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제 3항에 있어서, 상기 규소산화물 또는 규소질화물을 사용하여 마스크 패턴을 형성하는 단계는 상기 실리콘계 나노선의 상부에 규소산화물 또는 규소질화물을 증착하여 막을 형성한 후 포토레지스트를 코팅하여 노광하고 현상함으로써 포토레지스트 패턴을 형성하고 식각공정을 통해 마스크 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘계 나노선 표면의 선택적 금속규화물화 방법
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제 1항에 있어서, 하나 이상의 실리콘계 나노선을 배열하는 단계는 복수개의 실리콘계 나노선이 동일방향으로 일정한 간격을 가지도록 배열하는 것을 특징으로 하는 실리콘계 나노선 표면의 선택적 금속규화물화 방법
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제 1항에 있어서,상기 원자층 증착법은 금속전구체를 흡착시키는 단계, 및 반응가스를 공급하여 상기 금속전구체와 반응함으로써 금속막을 원자층 단위로 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘계 나노선 표면의 선택적 금속규화물화 방법
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제 1항에 있어서,상기 열처리 온도는 금속과 실리콘이 반응하여 금속규화물로 상전이를 일으키는 온도인 것을 특징으로 하는 실리콘계 나노선 표면의 선택적 금속규화물화 방법
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제 6항에 있어서, 상기 금속전구체는 MX 또는 MX3이되, 상기 M은 티타늄, 니켈, 코발트, 텅스텐 또는 탄탈륨이고 X는 음이온성 리간드인 것을 특징으로 하는 실리콘계 나노선 표면의 선택적 금속규화물화 방법
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제 8항에 있어서,상기 X는 H, 탄소수 1 내지 10의 알킬, 탄소수 2 내지 10의 알케닐, 탄소수 1 내지 8의 알콕시, 탄소수 6 내지 12의 아릴, β-디케토네이트, 사이클로펜타디에닐, 탄소수 1 내지 8의 알킬사이클로펜타디에닐 및 이들에 할로겐족 원소가 치환된 유도체로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘계 나노선 표면의 선택적 금속규화물화 방법
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제 6항에 있어서,상기 반응가스는 히드라진, 디메틸히드라진, 암모니아, NH2R, NHR2 , NR3, 탄소수 1 내지 10의 알킬히드라진, 탄소수 1 내지 10의 디알킬히드라진 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나이되, 상기 R은 탄소수 1 내지 10의 알킬, 탄소수 2 내지 10의 알케닐, 탄소수 1 내지 8의 알콕시 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴인 것을 특징으로 하는 실리콘계 나노선 표면의 선택적 금속규화물화 방법
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제 1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 의해 표면이 선택적으로 금속규화물화된 실리콘계 나노선을 이용하여 제조된 반도체 소자
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