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기판 상에 형성된 게이트전극;
상기 기판상에서 상기 게이트전극을 덮도록 형성된 게이트절연층;
상기 게이트절연층 상에서 메탈특성 보다 반도체특성이 우세한 탄소나노튜브층과 유기반도체층이 적층된 적층막을 포함하는 활성층; 및
상기 활성층 상에서 서로 이격되어 형성된 소스전극 및 드레인전극
을 포함하는 박막 트랜지스터
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삭제
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제1항에 있어서,
상기 탄소나노튜브층은 단위면적당(㎛2) 0
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제1항에 있어서,
상기 탄소나노튜브층은 단일벽 탄소나노튜브, 이중벽 탄소나노튜브, 다중벽 탄소나노튜브 및 다발형 탄소나노튜브로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나 또는 2종 이상을 포함하는 박막 트랜지스터
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제1항, 제3항 또는 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 탄소나노튜브는 0
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제1항에 있어서,
상기 유기반도체층은 펜타센(pentacene)을 포함하는 박막 트랜지스터
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7
제1항에 있어서,
상기 게이트절연층은 소수성 표면을 갖는 박막 트랜지스터
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제7항에 있어서,
상기 게이트절연층은 무기절연물질 또는 유기절연물질로 이루어진 단일층이거나, 또는 무기절연물질과 유기절연물질이 혼합된 복합층인 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,
상기 기판은 플랙서블 기판인 박막 트랜지스터
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10
기판상에 게이트전극을 형성하는 단계;
상기 기판상에 상기 게이트전극을 덮도록 게이트절연층을 형성하는 단계;
상기 게이트절연층 상에 메탈특성 보다 반도체특성이 우세한 탄소나노튜브층을 형성하는 단계;
상기 탄소나노튜브층을 포함하는 상기 게이트절연층 상에 유기반도체층을 형성하는 단계; 및
상기 탄소나노튜브층과 상기 유기반도체층이 적층된 적층막을 포함하는 활성층 상에 소스전극 및 드레인전극을 형성하는 단계
를 포함하는 박막 트랜지스터 제조방법
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제10항에 있어서,
상기 탄소나노튜브층을 형성하는 단계는,
분산용액에 탄소나노튜브가 분산된 탄소나노튜브 분산용액을 준비하는 단계;
상기 탄소나노튜브 분산용액을 상기 게이트절연층 상에 도포하는 단계; 및
상기 게이트절연층 상에 도포된 상기 탄소나노튜브 분산용액에서 분산용액을 제거하여 상기 게이트절연층 상에 탄소나노튜브를 잔류시키는 단계
를 포함하는 박막 트랜지스터 제조방법
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제11항에 있어서,
상기 탄소나노튜브 분산용액 내 탄소나노튜브의 농도는 25mg/ℓ ~ 35mg/ℓ 범위를 갖는 박막 트랜지스터의 제조방법
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13
제11항에 있어서,
상기 탄소나노튜브는 단일벽 탄소나노튜브, 이중벽 탄소나노튜브, 다중벽 탄소나노튜브 및 다발형 탄소나노튜브로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나 또는 2종 이상을 포함하는 박막 트랜지스터 제조방법
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제11항에 있어서,
상기 탄소나노튜브는 0
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제11항에 있어서,
상기 탄소나노튜브 분산용액을 상기 게이트절연층 상에 도포하는 단계는,
단위면적당(㎛2) 0
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제11항에 있어서,
상기 탄소나노튜브 분산용액을 상기 게이트절연층 상에 도포하는 단계는, 스핀코팅법(spin coating), 슬릿코팅법(slit coating), 드럽캐스팅법(drop casting), 딥케스팅법(dip casting), 잉크젯법(ink jet), 프린팅법(printing) 또는 임프린트법(imprint) 중 어느 한 방법을 사용하여 실시하는 박막 트랜지스터 제조방법
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제10항에 있어서,
상기 유기반도체층은 펜타센(pentacene)을 포함하는 박막 트랜지스터 제조방법
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제10항에 있어서,
상기 게이트절연층은 무기절연물질 또는 유기절연물질을 사용하여 단일층으로 형성하거나, 또는 무기절연물질과 유기절연물질을 혼합하여 복합층으로 형성하는 박막 트랜지스터 제조방법
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제18항에 있어서,
상기 무기절연물질을 사용하여 게이트절연층을 형성하는 경우, 게이트절연층 상에 폴리머 코팅을 실시하거나, 상기 게이트절연층 표면을 플라즈마 처리하여 상기 게이트절연층의 표면이 소수성을 갖도록 형성하는 박막 트랜지스터 제조방법
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