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수직자기이방성을 가지는 코발트-철-보론 박막 제조 방법 및 이를 이용하여 제조한 자기 랜덤 액세스 메모리

  • 기술번호 : KST2015132067
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 수직자기이방성을 가지는 코발트-철-보론 박막 제조 방법 및 이를 이용하여 제조한 자기 랜덤 액세스 메모리에 관한 것으로, 기판 상부에 1.5 ~ 2nm 두께의 두꺼운 CoFeB 박막을 형성하되, 상기 CoFeB 박막의 상부 또는 하부에 5 ~ 20nm 두께의 Pd층을 형성하고, 150 ~ 400℃의 온도에서 열처리 공정을 수행하여 수직자기이방성이 큰 코발트-철-보론 박막을 제조함으로써, 자성 구조물의 우수한 열적 안정성을 확보할 수 있도록 하고, 완전한 스핀 분극이 일어날 수 있도록 하여, 고밀도 스핀 토크(STT) 자기 랜덤 액세스 메모리 제조 및 활용을 용이하게 할 수 있도록 하는 발명에 관한 것이다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) G11C 11/15 (2006.01)
CPC H01L 27/228(2013.01) H01L 27/228(2013.01) H01L 27/228(2013.01) H01L 27/228(2013.01)
출원번호/일자 1020100003615 (2010.01.14)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1093976-0000 (2011.12.07)
공개번호/일자 10-2011-0083404 (2011.07.20) 문서열기
공고번호/일자 (20111215) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.01.14)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임상호 대한민국 서울특별시 성북구
2 이성래 대한민국 서울특별시 강남구
3 정종호 대한민국 서울특별시 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2010-0025810-23
2 보정요구서
Request for Amendment		 2010.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0008252-06
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0051258-84
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.04.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.05.17 수리 (Accepted) 9-1-2011-0042299-22
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.05.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0277009-47
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0570301-79
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.07.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0570302-14
10 등록결정서
Decision to grant		 2011.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0707094-27
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상부에 형성된 MgO층;상기 MgO층 상부에 형성된 CoFeB 박막;및상기 CoFeB 박막 상부에 형성된 Pd층을 포함하며, 열처리된 수직자기이방성 CoFeB 박막
2 2
제 1 항에 있어서,상기 기판은 실리콘 기판, 유리 기판, 사파이어 기판 및 산화마그네슘 기판 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 수직자기이방성 CoFeB 박막
3 3
제 1 항에 있어서,상기 CoFeB 박막은 CoxFeyBz(원자%, x+y+z=100)의 조성을 갖되, 상기 x=45~60이고, y=16~31이고, z=24인 것을 특징으로 하는 수직자기이방성 CoFeB 박막
4 4
제 1 항에 있어서,상기 CoFeB 박막은 CoxFeyBz(원자%, x+y+z=100)의 조성을 갖되, 상기 x=43~58이고, y=15~30이고, z=27인 것을 특징으로 하는 수직자기이방성 CoFeB 박막
5 5
제 1 항에 있어서,상기 Pd층의 두께는 5 ~ 20nm인 것을 특징으로 하는 수직자기이방성 CoFeB 박막
6 6
제 1 항에 있어서,상기 수직자기이방성 CoFeB 박막은 150 ~ 400℃에서 열처리되어 형성되는 것을 특징으로 하는 수직자기이방성 CoFeB 박막
7 7
(a) 기판 상부에 MgO층을 형성하는 단계;(b) 상기 MgO층 상부에 1
8 8
제 7 항에 있어서,상기 CoFeB 박막은 CoxFeyBz(원자%, x+y+z=100)의 조성으로 형성하되, 상기 x=45~60이고, y=16~31이고, z=24인 것을 특징으로 하는 수직자기이방성 CoFeB박막 제조 방법
9 9
제 7 항에 있어서,상기 CoFeB 박막은 CoxFeyBz(원자%, x+y+z=100)의 조성으로 형성하되, 상기 x=43~58이고, y=15~30이고, z=27인 것을 특징으로 하는 수직자기이방성 CoFeB박막 제조 방법
10 10
제 7 항에 있어서,상기 Pd층의 두께는 5 ~ 15nm인 것을 특징으로 하는 수직자기이방성 CoFeB 박막 제조 방법
11 11
제 7 항에 있어서,상기 열처리하는 단계는 150 ~ 350℃의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 수직자기이방성 CoFeB 박막 제조 방법
12 12
(a`) 기판 상부에 시드층을 형성하는 단계;(b`) 상기 시드층 상부에 Pd층을 형성하는 단계;(c`) 상기 Pd층 상부에 1
13 13
제 12 항에 있어서,상기 시드층은 Al 또는 Ta로 형성하는 것을 특징으로 하는 수직자기이방성 CoFeB 박막 제조 방법
14 14
제 12 항에 있어서,상기 CoFeB 박막은 CoxFeyBz(원자%, x+y+z=100)의 조성으로 형성하되, 상기 x=45~60이고, y=16~31이고, z=24인 것을 특징으로 하는 수직자기이방성 CoFeB박막 제조 방법
15 15
제 12 항에 있어서,상기 CoFeB 박막은 CoxFeyBz(원자%, x+y+z=100)의 조성으로 형성하되, 상기 x=43~58이고, y=15~30이고, z=27인 것을 특징으로 하는 수직자기이방성 CoFeB박막 제조 방법
16 16
제 12 항에 있어서,상기 Pd층의 두께는 14 ~ 20nm인 것을 특징으로 하는 수직자기이방성 CoFeB 박막 제조 방법
17 17
제 12 항에 있어서,상기 열처리하는 단계는 250℃의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 수직자기이방성 CoFeB 박막 제조 방법
18 18
상기 제7항 내지 제17항 중에서 선택되는 하나의 방법으로 제조되는 수직자기이방성 CoFeB 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한양대학교 IT산업원천기술개발사업 수직자화 STT-MRAM 구동 모델링 및 셀 최적화 기술개발