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기판;상기 기판 상에 배치되며 양의 커패시턴스(capacitance)를 가지는 제 1 유전체 층;상기 제 1 유전체 층 상부 또는 상기 기판과 상기 제 1 유전체 층 사이에 배치되며 음의 커패시턴스를 가지는 제 2 유전체 층을 포함하는 커패시터 소자
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 유전체 층은 강유전체와 상유전체가 고용체를 이루어 상온의 동작 온도에서 음의 커패시턴스를 가지는 커패시터 소자
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3
제 1 항에 있어서,상기 제 2 유전체 층은 격자상수가 같은 결정구조를 가지는 강유전체와 상유전체가 고용체를 이루어 음의 커패시턴스를 가지는 커패시터 소자
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4
제 1 항에 있어서,상기 제 2 유전체 층은 강유전체와 동일 또는 유사한 결정구조를 가지는 상유전체가 고용체를 이루어 음의 커패시턴스를 가지는 커패시터 소자
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5
제 1 항에 있어서,상기 제 2 유전체 층은 페로브스카이트(Perovskite) 결정구조를 가지는 강유전체와 페로브스카이트 결정구조를 가지는 상유전체가 고용체를 이루어 음의 커패시턴스를 가지는 커패시터 소자
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6
제 1 항에 있어서,상기 제 2 유전체 층은 강유전체 물질인 BaTiO3와 상유전체 물질인 SrTiO3이 고용체를 이루어 음의 커패시턴스를 가지는 커패시터 소자
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7
제 1 항에 있어서,상기 제 2 유전체 층은 산화물 베이스에 양이온을 가지는 산화물이 도핑(doping)되어 음의 커패시턴스를 가지는 커패시터 소자
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8
제 1 항에 있어서,상기 제 2 유전체 층은 하프늄 옥사이드(HfO2) 베이스에 양이온을 가지는 산화물이 도핑되어 음의 커패시턴스를 가지는 커패시터 소자
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9
제 1 항에 있어서,상기 제 2 유전체 층은 하프늄 옥사이드(HfO2) 베이스에 +4가의 양이온을 가지는 산화물이 도핑되어 음의 커패시턴스를 가지는 커패시터 소자
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10
제 1 항에 있어서,상기 제 2 유전체 층은 하프늄 옥사이드(HfO2) 베이스에 SiO2 또는 Al2O3 또는 ZrO2가 도핑되어 음의 커패시턴스를 가지는 커패시터 소자
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11
제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 하나에 있어서,상기 제 2 유전체 층 상에 복수의 유전체 층들이 배치되는 것을 포함하는 커패시터 소자
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12
제 1 항에 있어서,전체 커패시턴스는 상기 제 1 유전체 층의 커패시턴스 또는 상기 제 2 유전체 층의 커패시턴스보다 큰 것을 포함하는 커패시터 소자
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