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카본나노튜브 함유 투명전극으로서,상기 카본나노튜브의 ID/IG 값이 0
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제1항에 있어서, 상기 카본나노튜브의 ID/IG 값이 0
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제1항에 있어서, 상기 카본나노튜브가 단일벽 카본나노튜브, 얇은 다중벽 카본나노튜브, 다중벽 카본나노튜브 혹은 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 카본나노튜브 함유 투명전극
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제1항에 있어서, 상기 카본나노튜브가 다발을 기준으로 평균길이가 0
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제1항에 있어서, 상기 카본나노튜브가 산처리, 초음파처리, 또는 산과 초음파를 동시 처리하여 얻어진 것을 특징으로 하는 카본나노튜브 함유 투명전극
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6
제1항에 있어서, 상기 카본나노튜브 함유 투명전극이 가요성인 것을 특징으로 하는 카본나노튜브 함유 투명전극
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7
제1항에 있어서, 상기 카본나노튜브 함유 투명전극의 두께가 5 내지 500nm인 것을 특징으로 하는 카본나노튜브 함유 투명전극
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8
카본나노튜브 분말을 용매에 분산시켜 카본나노튜브 잉크를 형성하는 단계;상기 카본나노튜브 잉크를 기판 상에 도포하여 카본나노튜브 필름을 형성하는 단계;얻어진 카본나노튜브 필름을 산처리, 초음파 처리 또는 산/초음파처리하는 단계;를 포함하는 카본나노튜브 함유 투명전극의 제조방법
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9
카본나노튜브 분말을 산처리, 초음파 처리 또는 산/초음파처리하는 단계;처리된 카본나노튜브 분말을 용매에 분산시켜 카본나노튜브 잉크를 형성하는 단계; 및상기 카본나노튜브 잉크를 기판 상에 도포하여 카본나노튜브 필름을 형성하는 단계;를 포함하는 카본나노튜브 함유 투명전극의 제조방법
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10
제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 산처리가 질산, 황산, 염산, 인산 또는 이들의 혼합물에 상기 카본나노튜브 분말 또는 카본나노튜브 필름을 침지하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 카본나노튜브 함유 투명전극의 제조방법
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제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 산처리가 교반과 함께 수행되는 것을 특징으로 하는 카본나노튜브 함유 투명전극의 제조방법
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본 발명의 일구현예예 따르면, 상기 초음파 처리는 10 내지 150kHz의 주파수를 1분 내지 100시간 동안 가하는 것을 특징으로 하는 카본나노튜브 함유 투명전극의 제조방법
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13
제8항 또는 제9항에 있어서, 산처리, 초음파처리 또는 산/초음파 처리에 의해 얻어진 카본나노튜브의 ID/IG 값이 0
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14
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 카본나노튜브 함유 투명전극을 구비하는 표시소자
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제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 카본나노튜브 함유 투명전극을 구비하는 전지
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