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제 1 실리콘층, 제 1 절연막과 제 2 실리콘층이 순차적으로 적층된 SOI(Silicon on Insulator) 기판의 제 2 실리콘층 상부에 탐침을 형성하는 제 1 단계와; 상기 탐침을 포함하여 제 2 실리콘층의 상부에 제 2 절연막, 제 3 절연막, 폴리실리콘층과 포토레지스트막을 순차적으로 적층하고, 사진식각공정으로 상기 포토레지스트막을 제거하여 원자력 현미경용 캔틸레버의 제 1 마스크 패턴을 상기 폴리실리콘층 상부에 형성하는 제 2 단계와; 상기 제 1 마스크 패턴으로 마스킹하여, 폴리실리콘층에서 제 2 절연막까지 식각하여 상기 제 2 실리콘층 상부에 원자력 현미경용 캔틸레버의 제 2 마스크 패턴을 형성하는 제 3 단계와; 상기 제 2 마스크 패턴으로 마스킹하여 제 2 실리콘층에 제 1 불순물을 주입하고, 열처리하는 제 4 단계와; 상기 제 3 절연막의 측면 일부를 습식식각하고, 상기 폴리실리콘층을 제거하고, 상기 제 2 절연막의 측면 일부를 습식식각하고, 상기 제 3 절연막을 제거하여 상기 제 2 실리콘층 상부에 폭이 줄어든 제 2 절연막을 남기는 제 5 단계와; 상기 제 2 절연막으로 마스킹하여 제 2 불순물을 주입하고, 열처리하는 제 6 단계와; 상기 탐침, 제 1과 2 불순물이 주입된 영역들을 포함하는 형상을 갖는 제 2 실리콘층의 패턴을 형성하고, 그 형상의 하부를 제거하여 부상시켜 캔틸레버를 형성하는 제 7 단계와; 상기 제 7 단계의 공정이 수행된 캔틸레버를 카본을 포함하고 있는 챔버내에 삽입시킨 후, 상기 캔틸레버의 탐침에 전자빔을 조사하여 상기 탐침의 첨두에 카본팁을 형성하는 제 8 단계로 구성된 수직 종횡비가 큰 원자력 현미경용 전계 효과 트랜지스터 캔틸레버의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 챔버는, 전자 현미경의 챔버인 것을 특징으로 하는 수직 종횡비가 큰 원자력 현미경용 전계 효과 트랜지스터 캔틸레버의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 단계는, 제 1 실리콘층, 제 1 절연막과 제 2 실리콘층이 순차적으로 적층된 SOI(Silicon on Insulator) 기판의 제 2 실리콘층 상부에 탐침을 형성하기 위한 패턴을 형성하는 단계와; 상기 탐침을 형성하기 위한 패턴으로 마스킹하여 상기 제 2 실리콘층의 일부를 식각하여 실리콘층으로 이루어진 탐침 형상을 형성하는 단계와; 상기 탐침을 형성하기 위한 패턴을 제거하고, 상기 제 2 실리콘층 상부에 열산화막을 형성하고, 습식식각공정으로 상기 열산화막을 제거하여 상기 남아있는 제 2 실리콘층 상부에 뾰족한 형상의 탐침을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 수직 종횡비가 큰 원자력 현미경용 전계 효과 트랜지스터 캔틸레버의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 2 항에 있어서, 상기 절연막의 측면 식각은, 습식 식각으로 수행되는 것을 특징으로 하는 수직 종횡비가 큰 원자력 현미경용 전계 효과 트랜지스터 캔틸레버의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 2 항에 있어서, 상기 제 2 실리콘층에 p형 불순물이 도핑되어 있으며, 상기 제 1과 2 불순물은 n형 불순물인 것을 특징으로 하는 수직 종횡비가 큰 원자력 현미경용 전계 효과 트랜지스터 캔틸레버의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 2 항에 있어서, 상기 제 2 실리콘층에 n형 불순물이 도핑되어 있으며, 상기 제 1과 2 불순물은 p형 불순물인 것을 특징으로 하는 수직 종횡비가 큰 원자력 현미경용 전계 효과 트랜지스터 캔틸레버의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 2 항에 있어서, 상기 제 1과 2 불순물은 동종 전도성을 갖는 불순물이며, 상기 제 1 불순물은 n+ 또는 p+이고, 상기 제 2 불순물은 n++ 또는 p++인 것을 특징으로 하는 수직 종횡비가 큰 원자력 현미경용 전계 효과 트랜지스터 캔틸레버의 제조 방법
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지지부와, 상기 지지부로부터 연장되어 하부로부터 부상된 캔틸레버부와, 상기 캔틸레버부 선단의 탐침과, 상기 탐침 하부의 캔틸레버부에 형성된 채널과; 상기 채널의 양측면에 각각 형성된 소스 및 드레인으로 구성된 원자력 현미경용 전계 효과 트랜지스터를 갖는 캔틸레버를 형성하는 단계와; 상기 전계 효과 트랜지스터를 갖는 캔틸레버를 카본을 포함하고 있는 챔버내에 삽입시킨 후, 상기 캔틸레버의 탐침에 전자빔을 조사하여 상기 탐침의 첨두에 카본팁을 형성하는 단계로 구성된 수직 종횡비가 큰 원자력 현미경용 전계 효과 트랜지스터 캔틸레버의 제조 방법
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지지부와, 상기 지지부로부터 연장되어 하부로부터 부상된 캔틸레버부와, 상기 캔틸레버부 선단의 탐침과, 상기 탐침 하부의 캔틸레버부에 형성된 채널과; 상기 채널의 양측면에 각각 형성된 소스 및 드레인으로 구성된 원자력 현미경용 전계 효과 트랜지스터를 갖는 캔틸레버를 형성하는 단계와; 상기 전계 효과 트랜지스터를 갖는 캔틸레버를 카본을 포함하고 있는 챔버내에 삽입시킨 후, 상기 캔틸레버의 탐침에 전자빔을 조사하여 상기 탐침의 첨두에 카본팁을 형성하는 단계로 구성된 수직 종횡비가 큰 원자력 현미경용 전계 효과 트랜지스터 캔틸레버의 제조 방법
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