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제 1 실리콘층, 제 1 절연막과 제 2 실리콘층이 순차적으로 적층된 SOI(Silicon on Insulator) 기판의 제 2 실리콘층 상부에 탐침을 형성하는 제 1 단계와; 상기 탐침을 포함하여 제 2 실리콘층의 상부에 제 2 절연막, 제 3 절연막, 폴리실리콘층과 포토레지스트막을 순차적으로 적층하고, 사진식각공정으로 상기 포토레지스트막을 제거하여 원자력 현미경용 캔틸레버의 제 1 마스크 패턴을 상기 폴리실리콘층 상부에 형성하는 제 2 단계와; 상기 제 1 마스크 패턴으로 마스킹하여, 폴리실리콘층에서 제 2 절연막까지 식각하여 상기 제 2 실리콘층 상부에 원자력 현미경용 캔틸레버의 제 2 마스크 패턴을 형성하는 제 3 단계와; 상기 제 2 마스크 패턴으로 마스킹하여 제 2 실리콘층에 제 1 불순물을 주입하고, 열처리하는 제 4 단계와; 상기 제 3 절연막의 측면 일부를 습식식각하고, 상기 폴리실리콘층을 제거하고, 상기 제 2 절연막의 측면 일부를 습식식각하고, 상기 제 3 절연막을 제거하여 상기 제 2 실리콘층 상부에 폭이 줄어든 제 2 절연막을 남기는 제 5 단계와; 상기 제 2 절연막으로 마스킹하여 제 2 불순물을 주입하고, 열처리하는 제 6 단계와; 상기 탐침, 제 1과 2 불순물이 주입된 영역들을 포함하는 형상을 갖는 제 2 실리콘층의 패턴을 형성하고, 그 형상의 하부를 제거하여 부상시켜 캔틸레버를 형성하는 제 7 단계로 구성된 원자력 현미경용 캔틸레버의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 단계는, 제 1 실리콘층, 제 1 절연막과 제 2 실리콘층이 순차적으로 적층된 SOI(Silicon on Insulator) 기판의 제 2 실리콘층 상부에 탐침을 형성하기 위한 패턴을 형성하는 단계와; 상기 탐침을 형성하기 위한 패턴으로 마스킹하여 상기 제 2 실리콘층의 일부를 식각하여 실리콘층으로 이루어진 탐침 형상을 형성하는 단계와; 상기 탐침을 형성하기 위한 패턴을 제거하고, 상기 제 2 실리콘층 상부에 열산화막을 형성하고, 습식식각공정으로 상기 열산화막을 제거하여 상기 남아있는 제 2 실리콘층 상부에 뾰족한 형상의 탐침을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 원자력 현미경용 캔틸레버의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 절연막의 측면 식각은, 습식 식각으로 수행되는 것을 특징으로 하는 원자력 현미경용 캔틸레버의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 2 실리콘층에 p형 불순물이 도핑되어 있으며, 상기 제 1과 2 불순물은 n형 불순물인 것을 특징으로 하는 원자력 현미경용 캔틸레버의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 2 실리콘층에 n형 불순물이 도핑되어 있으며, 상기 제 1과 2 불순물은 p형 불순물인 것을 특징으로 하는 원자력 현미경용 캔틸레버의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1과 2 불순물은 동종 전도성을 갖는 불순물이며, 상기 제 1 불순물은 n++ 또는 p++이고, 상기 제 2 불순물은 n+ 또는 p+인 것을 특징으로 하는 원자력 현미경용 캔틸레버의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2와 3 절연막들은, SiN막과 TEOS(Tetraethoxysilane) 산화막 중 선택된 어느 하나 인 것을 특징으로 하는 원자력 현미경용 캔틸레버의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2와 3 절연막들은, SiN막과 TEOS(Tetraethoxysilane) 산화막 중 선택된 어느 하나 인 것을 특징으로 하는 원자력 현미경용 캔틸레버의 제조 방법
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