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전계 효과 트랜지스터가 내장된 원자력 현미경용캔틸레버의 채널 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015145122
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전계 효과 트랜지스터가 내장된 원자력 현미경용 캔틸레버의 채널 형성 방법에 관한 것으로, 지지부에서 연장되어 부상된 캔틸레버의 선단에 형성된 탐침과, 상기 캔틸레버의 탐침 하부영역에 형성된 채널과, 채널에 접하여 형성된 소스 및 드레인을 구비한 전계 효과 트랜지스터가 내장된 원자력 현미경용 캔틸레버의 채널 형성 방법에 있어서, 상기 채널은, 상기 채널을 형성할 제 1 전도성 불순물이 도핑된 실리콘층 상부에 상호 이종물질로 이루어진 적어도 둘 이상의 절연막들을 적층하고, 이 적층된 절연막들의 상부에 폴리실리콘층을 형성한 다음, 상기 폴리실리콘층을 제외하고 순차적으로 절연막들의 측면을 식각하여, 상기 실리콘층 상면에 접한 절연막 폭을 줄이는 단계와; 상기 실리콘층 상면에 접한 절연막과 상기 실리콘층에 제 2 전도성 불순물을 주입하고, 상기 실리콘층 상면에 접한 절연막을 제거하여 상기 절연막 하부의 실리콘층에 채널을 형성하는 단계를 수행하여 형성하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명은 전계 효과 트랜지스트를 내장한 원자력 현미경용 캔틸레버의 채널폭을 100㎚ 이하로 줄일 수 있어, 테라 비트급 탐침형 정보 저장기기에 적용할 수 있는 효과를 갖는다. 채널, 폭, 극소, 측면식각, 원자력, 현미경, 전계효과, 트랜지스터
Int. CL G01Q 60/24 (2010.01) G01Q 60/38 (2010.01) G01N 37/00 (2010.01) H01L 21/02 (2010.01)
CPC G01Q 70/18(2013.01) G01Q 70/18(2013.01) G01Q 70/18(2013.01)
출원번호/일자 1020030057695 (2003.08.20)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-0515734-0000 (2005.09.12)
공개번호/일자 10-2005-0020052 (2005.03.04) 문서열기
공고번호/일자 (20050921) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.08.20)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서문석 대한민국 경기도안양시동안구
2 신진국 대한민국 서울특별시강남구
3 최영진 대한민국 경기도성남시분당구
4 이경일 대한민국 서울특별시서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조담 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2003-0307396-16
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5036534-08
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.06.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.07.15 수리 (Accepted) 9-1-2005-0043666-57
5 등록결정서
Decision to grant		 2005.09.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0445543-51
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
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번호 청구항
1 1
지지부에서 연장되어 부상된 캔틸레버의 선단에 형성된 탐침과, 상기 캔틸레버의 탐침 하부영역에 형성된 채널과, 채널에 접하여 형성된 소스 및 드레인을 구비한 전계 효과 트랜지스터가 내장된 원자력 현미경용 캔틸레버의 채널 형성 방법에 있어서, 상기 채널은, 상기 채널을 형성할 제 1 전도성 불순물이 도핑된 실리콘층 상부에 상호 이종물질로 이루어진 적어도 둘 이상의 절연막들을 적층하고, 이 적층된 절연막들의 상부에 폴리실리콘층을 형성한 다음, 상기 폴리실리콘층을 제외하고 순차적으로 절연막들의 측면을 식각하여, 상기 실리콘층 상면에 접한 절연막 폭을 줄이는 단계와; 상기 실리콘층 상면에 접한 절연막과 상기 실리콘층에 제 2 전도성 불순물을 주입하고, 상기 실리콘층 상면에 접한 절연막을 제거하여 상기 절연막 하부의 실리콘층에 채널을 형성하는 단계를 수행하여 형성하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터가 내장된 원자력 현미경용 캔틸레버의 채널 형성 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 절연막의 측면 식각은, 습식 식각으로 수행되는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터가 내장된 원자력 현미경용 캔틸레버의 채널 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 절연막들은, SiN막과 TEOS(Tetraethoxysilane) 산화막 중 선택된 어느 하나 인 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터가 내장된 원자력 현미경용 캔틸레버의 채널 형성 방법
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제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 전도성 불순물이 P형 불순물이면, 상기 제 2 전도성 불순물은 N형 불순물인 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터가 내장된 원자력 현미경용 캔틸레버의 채널 형성 방법
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제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 전도성 불순물이 N형 불순물이면, 상기 제 2 전도성 불순물은 P형 불순물인 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터가 내장된 원자력 현미경용 캔틸레버의 채널 형성 방법
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제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 전도성 불순물이 N형 불순물이면, 상기 제 2 전도성 불순물은 P형 불순물인 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터가 내장된 원자력 현미경용 캔틸레버의 채널 형성 방법
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