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지지부에 연장되어 부상되며, 절연층 및 금속층이 적층되어 형성된 캔틸레버부;상기 캔틸레버부로부터 돌출되어, 절연층, 금속층이 적층되고, 첨두에는 강유전체가 적층되어 형성된 탐침부를 포함하는 강유전체를 이용한 원자간력 현미경 캔틸레버의 탐침
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제 1항에 있어서,상기 강유전체는 180°의 도메인을 가지는 것을 특징으로 하는 강유전체를 이용한 원자간력 현미경 캔틸레버의 탐침
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제 1항에 있어서,상기 강유전체는 PZT를 사용하는 것을 특징으로 하는 강유전체를 이용한 원자간력 현미경 캔틸레버의 탐침
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제1 실리콘 기판의 일정부분에 제1 산화막을 증착하고 이방성 식각하는 단계;상기 제1 실리콘 기판에 강유전체와 제1 금속층을 순차적으로 증착하고 제1 산화막을 제거하는 단계;포토리소그래피 공정으로 패턴을 형성하여 제2 금속층을 증착하는 단계;절연층을 증착한 후, 제2 실리콘 기판을 본딩하는 단계;상기 제2 실리콘 기판 위에 제2 산화막을 증착하는 단계;포토리소그래피 공정으로 패턴을 형성하여 상기 제2 산화막을 식각하는 단계; 및상기 제1 실리콘 기판과 제2 실리콘 기판을 식각하는 단계를 포함하는 강유전체를 이용한 원자간력 현미경 캔틸레버의 탐침 제조방법
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제 4항에 있어서,상기 제1 금속층은 백금, 티탄 및 티탄나이트라이드 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 강유전체를 이용한 원자간력 현미경 캔틸레버의 탐침 제조방법
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제 4항에 있어서,상기 제2 금속층은 백금, 티탄 및 티탄나이트라이드 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 강유전체를 이용한 원자간력 현미경 캔틸레버의 탐침 제조방법
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제 4항에 있어서,상기 제1 실리콘 기판과 제2 실리콘 기판의 식각은 습식으로 동시에 하는 것을 특징으로 하는 강유전체를 이용한 원자간력 현미경 캔틸레버의 탐침 제조방법
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SOI 기판의 상부와 하부에 제1 산화막과 제2 산화막을 증착하고 이방성 식각하는 단계;상기 제1 산화막을 제거하고 열산화 공정을 하는 단계;상기 제2 산화막과 열산화 공정시 형성된 제3 산화막을 제거하는 단계;포토리소그래피 공정으로 패턴을 형성하여 제2 금속층을 증착한 후, 제4 산화막을 증착하는 단계;포토리소그래피 공정으로 패턴을 형성하여 제4 산화막을 식각한 후, 포토레지스트를 제거하는 단계;강유전체를 증착하고 제4 산화막을 제거하는 단계;포토리소그래피 공정으로 패턴을 형성한 후, SOI 기판의 제2 실리콘의 일측을 식각하는 단계; 및포토리소그래피 공정으로 패턴을 형성한 후, SOI 기판의 제1 실리콘을 벌크 식각하는 단계를 포함하는 강유전체를 이용한 원자간력 현미경 캔틸레버의 탐침 제조방법
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제 8항에 있어서,상기 이방성 식각은 TMAH 용액 또는 KOH 용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 강유전체를 이용한 원자간력 현미경 캔틸레버의 탐침 제조방법
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제 8항에 있어서,상기 제2 산화막과 제3 산화막은 불산으로 제거하는 것을 특징으로 하는 강유전체를 이용한 원자간력 현미경 캔틸레버의 탐침 제조방법
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