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전계 효과 트랜지스터가 내장된 원자간력 현미경 캔틸레버및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015145323
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조방법에 관한 것으로 더욱 상세하게는 포토리소그라피 공정으로 제작된 유효 채널 길이가 나노 스캐일인 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 원자간력 현미경 캔틸레버 제조방법에 관한 것이다.따라서, 본 발명은 유효채널의 길이를 정밀하게 제어할 수 있어, 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 원자간력 현미경 캔틸레버를 제조하기 위한 시뮬레이션을 용이하게 할 수 있으며, 저가의 포토리소그라피 장비를 적용하여 수십 내지 수백 나노미터 이하의 유효채널을 가지는 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 원자간력 현미경 캔틸레버를 제조할 수 있어 제조 공정의 정확성 및 수율을 향상시키고 공정비용을 대폭 절감할 수 있는 효과가 있다. 전계 효과 트랜지스터, 원자간력 현미경 캔틸레버, 포토리소그라피
Int. CL G01Q 60/38 (2011.01) G01N 37/00 (2011.01) H01L 21/02 (2011.01) G01Q 60/24 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020060068546 (2006.07.21)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-0771851-0000 (2007.10.25)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20071031) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.07.21)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서문석 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 신진국 대한민국 서울특별시 강남구
3 이철승 대한민국 경기 성남시 분당구
4 이경일 대한민국 서울특별시 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서천석 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로**길 **, *층 (서초동, 서초다우빌딩)(특허법인세하)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2006-0521402-82
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.05.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.06.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0033578-27
4 등록결정서
Decision to grant
2007.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0422820-90
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
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번호 청구항
1 1
제1 반도체 기판의 상부에 층간 절연막과 제2 반도체 기판이 순차적으로 형성되어 있는 기판의 상부에 다층 절연막을 형성하는 제1단계;상기 다층 절연막을 순차적으로 식각한 후, 상기 제2 반도체 기판과 다른 타입의 이온을 주입하여 소스/드레인 및 채널을 형성하는 제2단계;상기 제2 반도체 기판을 식각하여 탐침 및 탐침부를 형성하는 제3단계;상기 탐침 및 탐침부를 제외한 영역에 절연막을 형성한 후, 소스/드레인 및 채널 영역의 상부에 금속 전극을 형성하는 제4단계;잔여의 상기 다층 절연막, 상기 제2 반도체 기판, 상기 절연막 및 상기 제1 반도체 기판을 순차적으로 식각하여 캔틸레버부를 형성하는 제5단계; 및 상기 제1 반도체 기판을 후면 식각하여 핸들링부를 형성하는 제6단계를 포함하는 전계 효과 트랜지스터가 내장된 원자간력 현미경 캔틸레버 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 제1단계의 상기 다층의 절연막은 실리콘 산화막과 실리콘 질화막을 교대로 증착하여 형성하는 전계 효과 트랜지스터가 내장된 원자간력 현미경 캔틸레버 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 제2단계와 상기 제3단계 사이에 급속 열처리(RTA) 공정을 더 포함하는 전계 효과 트랜지스터가 내장된 원자간력 현미경 캔틸레버 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 제3단계는,상기 제2 반도체 기판의 상부에 절연막을 형성하는 공정;포토리소그라피 공정을 수행하여 탐침 및 탐침부 형성을 위한 감광막 패턴을 형성하는 공정;상기 감광막 패턴을 이용하여 상기 절연막 및 상기 제2 반도체 기판을 식각하여 탐침 및 탐침부를 형성하는 공정; 상기 탐침의 저면에 존재하는 상기 층간 절연막을 식각하여 상기 탐침을 릴리즈시키는 공정; 및 상기 탐침 및 탐침부 형성을 위한 감광막 패턴을 제거하는 공정을 포함하는 전계 효과 트랜지스터가 내장된 원자간력 현미경 캔틸레버 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 제4단계는,포토리소그라피 공정을 수행하여 상기 금속 전극이 형성될 영역을 제외한 영역에 감광막 패턴을 형성하는 공정;상기 금속 전극 물질을 증착하는 공정; 및 상기 감광막 패턴을 제거하여 상기 소스/드레인 및 채널영역의 상부에 금속 전극을 형성하는 공정을 포함하는 전계 효과 트랜지스터가 내장된 원자간력 현미경 캔틸레버 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 제5단계는,캔틸레버의 폭에 해당하는 두께로 상기 제2 반도체 기판, 상기 층간 절연막 및 상기 제1 반도체 기판을 식각하는 전계 효과 트랜지스터가 내장된 원자간력 현미경 캔틸레버 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 제6단계는,상기 제1 반도체 기판의 전후면에 감광막을 도포하여 감광막 패시베이션층을 형성하는 공정;상기 제1 반도체 기판의 후면에 형성된 상기 감광막 패시베이션층을 패터닝하여 핸들링부 패턴을 형성하는 공정;상기 핸들링부 패턴을 이용하여 상기 제1 반도체 기판을 식각하는 공정; 및상기 제1 반도체 기판의 전후면에 존재하는 상기 감광막 패시베이션을 제거하는 공정을 포함하는 전계 효과 트랜지스터가 내장된 원자간력 현미경 캔틸레버 제조방법
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제 2 항에 있어서,상기 다층의 절연막 식각은 선택적 습식 식각을 이용하는 전계 효과 트랜지스터가 내장된 원자간력 현미경 캔틸레버 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 금속 전극 물질은 금(Au) 또는 백금(Pt)인 전계 효과 트랜지스터가 내장된 원자간력 현미경 캔틸레버 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 금속 전극 물질은 부착력을 향상시키기 위하여 티탄(Ti)의 증착한 후 수행하는 전계 효과 트랜지스터가 내장된 원자간력 현미경 캔틸레버 제조방법
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전계 효과 트랜지스터가 내장된 원자간력 현미경 캔틸레버에 있어서,반도체 기판으로 형성된 핸들링부;상기 핸들링부의 저면에 막대형상으로 연장 형성된 캔틸레버부;상기 캔틸레버부의 일측면에 연장 형성되고, 첨두 형상으로 이루어진 탐침부; 및상기 탐침부의 첨두에 형성되어 분석 대상물의 표면과 접하는 탐침을 포함하며,상기 탐침의 하부 영역에는 채널 및 상기 채널과 접하여 상기 기판과 다른 타입의 불순물로 형성된 소스 및 드레인을 포함하는 전계 효과 트랜지스터가 내장된 원자간력 현미경 캔틸레버
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제 11 항에 있어서,상기 반도체 기판은 SOI 기판 또는 SIMOX 기판인 전계 효과 트랜지스터가 내장된 원자간력 현미경 캔틸레버
지정국 정보가 없습니다
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1 US07344908 US 미국 FAMILY
2 US20080016953 US 미국 FAMILY

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1 US2008016953 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US7344908 US 미국 DOCDBFAMILY
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