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원자간력 현미경용 캔틸레버 탐침 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015146342
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 포토리소그라피 공정을 이용하여 다양한 형태의 원자간력 현미경용 캔틸레버의 탐침 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명에 따른 원자간력 현미경용 캔틸레버 탐침은 반도체 기판으로 형성된 핸들링부, 핸들링부의 저면에 막대형상으로 연장 형성된 캔틸레버부, 캔틸레버부의 일측면에 연장 형성되어 수직으로 돌출된 첨두 형상으로 이루어진 탐침부, 탐침부의 첨두에 형성되어 분석 대상물의 표면과 접하는 탐침을 포함한다.따라서, 본 발명은 일반적인 포토리소그라피 공정을 통하여 다양한 형태의 수백 나노미터의 탐침을 용이하게 형성할 수 있는 이점이 있으며, 이와 더불어 캔틸레버의 두께를 용이하게 설정할 수 있어, 설계상의 캔틸레버의 자연 공명 진동수를 용이하게 얻을 수 있다.캔틸레버, 탐침, 포토리소그라피
Int. CL G01Q 60/38 (2011.01) G01N 37/00 (2011.01) H01L 21/02 (2011.01) G01Q 60/24 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020060066245 (2006.07.14)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2008-0006911 (2008.01.17) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.07.14)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서문석 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 신진국 대한민국 서울특별시 강남구
3 이철승 대한민국 경기 성남시 분당구
4 이경일 대한민국 서울특별시 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서천석 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로**길 **, *층 (서초동, 서초다우빌딩)(특허법인세하)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2006-0503826-15
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.05.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.06.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0033551-06
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0421152-20
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.09.05 수리 (Accepted) 1-1-2007-0644521-47
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.09.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0644518-10
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0054386-22
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.03.04 수리 (Accepted) 1-1-2008-0158022-99
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.03.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0158027-16
10 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2008.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0402412-41
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.09.04 수리 (Accepted) 1-1-2008-0628560-87
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.09.04 보정각하 (Rejection of amendment) 1-1-2008-0628558-95
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2009.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0035123-87
14 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment
2009.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0035110-94
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
원자간력 현미경용 캔틸레버 탐침에 있어서,반도체 기판으로 형성된 핸들링부;상기 핸들링부의 저면에 막대형상으로 연장 형성된 캔틸레버부;상기 캔틸레버부의 일측면에 연장 형성되어 수직으로 돌출된 첨두 형상으로 이루어진 탐침부; 및상기 탐침부의 첨두에 형성되어 분석 대상물의 표면과 접하는 탐침을 포함하는 원자간력 현미경용 캔틸레버 탐침
2 2
제 1 항에 있어서,상기 반도체 기판은 SOI 기판 또는 SIMOX 기판인 원자간력 현미경용 캔틸레버 탐침
3 3
제 1 항에 있어서,상기 탐침은 수 내지 수백의 고종횡비 구조물인 원자간력 현미경용 캔틸레버 탐침
4 4
제 1 항에 있어서,상기 탐침은 양측면이 돌출된 구조물인 원자간력 현미경용 캔틸레버 탐침
5 5
제 3 항에 있어서,상기 탐침은 상기 탐침부의 중앙으로부터 일정한 각도로 휘어진 원자간력 현미경용 캔틸레버 탐침
6 6
제 5 항에 있어서,상기 각도는 12°내지 20°인 원자간력 현미경용 캔틸레버 탐침
7 7
제1 반도체 기판의 상부에 층간 절연막과 제2 반도체 기판이 순차적으로 형성되어 있는 기판의 상부에 다층 절연막을 형성하는 제1단계;상기 다층 절연막의 상부에 탐침 및 탐침부 패턴을 형성하는 제2단계;상기 다층 절연막, 상기 제2 반도체 기판, 상기 층간 절연막을 순차적으로 식각하는 제3단계;상기 제1 반도체 기판을 선택적으로 식각하여 탐침 및 탐침부를 형성하는 제4단계;형성된 상기 탐침부의 일측 끝단에 캔틸레버부 패턴을 형성하는 제5단계;잔여 하는 상기 다층 절연막, 상기 제2 반도체 기판, 상기 층간 절연막 및 상기 제1 반도체 기판을 순차적으로 식각하여 캔틸레버부를 형성하는 제6단계;상기 반도체 기판의 전후면에 감광막을 도포하여 감광막 패시베이션층을 형성하는 제7단계;상기 제2 반도체 기판의 후면에 형성된 상기 감광막 패시베이션층을 패터닝하여 핸들링부 패턴을 형성하는 제8단계;상기 핸들링부 패턴을 이용하여 상기 제1 반도체 기판을 식각하는 제9단계; 및상기 기판의 전후면에 존재하는 상기 감광막 패시베이션을 제거하는 제10단계를 포함하는 원자간력 현미경용 캔틸레버 탐침의 제조방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 다층의 절연막은 실리콘 산화막과 실리콘 질화막을 교대로 증착하여 형성하는 원자간력 현미경용 캔틸레버 탐침의 제조방법
9 9
제 7 항에 있어서,상기 제3단계의 상기 다층의 절연막 식각은 선택적 습식 식각을 이용하는 원자간력 현미경용 캔틸레버 탐침의 제조방법
10 10
제 7 항에 있어서,상기 제4단계는 탐침의 릴리즈를 위하여 선택적 습식 식각을 이용하는 원자간력 현미경용 캔틸레버 탐침의 제조방법
11 11
제 7 항에 있어서,상기 제4단계와 상기 제5단계의 사이에 열산화 공정을 더 포함하는 원자간력 현미경용 캔틸레버 탐침의 제조방법
12 12
제 7 항에 있어서,상기 제6단계는 캔틸레버의 폭에 해당하는 두께로 상기 제1 반도체 기판, 상기 층간 절연막 및 상기 제2 반도체 기판을 식각하는 원자간력 현미경용 캔틸레버 탐침의 제조방법
13 13
제 10 항에 있어서,상기 습식 식각은 과산화 칼륨 또는 TMAH를 이용하는 원자간력 현미경용 캔틸레버 탐침의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20080011066 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2008011066 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.