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캔틸레버 지지대; 상기 캔틸레버 지지대상에 위치하며 일측이 부상된 캔틸레버 아암; 상기 캔틸레버 아암 선단에 위치한 탐침; 상기 탐침 하부의 캔틸레버 아암에 위치한 채널; 상기 채널의 양측면에 각각 위치한 소스 및 드레인; 및 상기 탐침의 첨두부에 위치한 금속점 을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 액체에서 사용가능한 고 종횡비 단전자 트랜지스터 구조를 갖는 원자간력 현미경 캔틸레버
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제 1항에 있어서, 상기 캔틸레버 지지대는 제 1 실리콘층 및 상기 제 1 실리콘층 상부의 제 1 절연막을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 액체에서 사용가능한 고 종횡비 단전자 트랜지스터 구조를 갖는 원자간력 현미경 캔틸레버
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제 1항에 있어서, 상기 캔틸레버 아암은 서로 일정한 간격을 유지하면서 일정한 폭으로 평행하게 연장된 제 1 및 제 2 아암으로 구성되며 그 선단부에서 상기 제 1 및 제 2 아암이 V자형으로 연결되는 것을 특징으로 하는 액체에서 사용가능한 고 종횡비 단전자 트랜지스터 구조를 갖는 원자간력 현미경 캔틸레버
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제 1항에 있어서, 상기 탐침은 콘형 또는 피라미드 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 액체에서 사용가능한 고 종횡비 단전자 트랜지스터 구조를 갖는 원자간력 현미경 캔틸레버
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제 1항에 있어서, 상기 탐침은 상기 캔틸레버 아암 선단 상부에 위치한 실리콘; 첨두부를 제외한 상기 실리콘 상부에 위치한 열산화막; 및 상기 첨부두에 위치한 금속점 을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 액체에서 사용가능한 고 종횡비 단전자 트랜지스터 구조를 갖는 원자간력 현미경 캔틸레버
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제 1항에 있어서, 상기 금속점은 금으로 구성됨을 특징으로 하는 액체에서 사용가능한 고 종횡비 단전자 트랜지스터 구조를 갖는 원자간력 현미경 캔틸레버
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제 1항에 있어서, 상기 탐침의 높이는 3
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제 5항에 있어서, 상기 제 2 실리콘층이 상부에 형성된 열산화막의 두께는 100 nm 내지 110 nm 임을 특징으로 하는 액체에서 사용가능한 고 종횡비 단전자 트랜지스터 구조를 갖는 원자간력 현미경 캔틸레버
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액체에서 사용가능한 고 종횡비 단전자 트랜지스터 구조를 갖는 원자간력 현미경 캔틸레버 제조 방법에 있어서, (a) 캔틸레버 지지대의 상부에 탐침을 형성하는 단계; (b) 상기 캔틸레버 지지대의 상부에 다층막 형성후, 2회에 걸친 패턴 형성 및 불순물 주입으로 전계효과 트랜지스터의 채널 영역에 탐침이 위치하며 탐침의 양측 경사면에 소스 및 드레인 영역이 형성되도록 캔틸레버 아암을 형성하는 단계; (c) 상기 기판 상부에 포지티브 포토레지스트를 형성하여 탐침의 첨두부만 노출시키는 단계; (d) 상기 포지티브 포토레지스트 상부에 네거티브 포토레지스트를 도포한 후 패터닝하여 탐침의 첨두부의 상기 네거티브 포토레지스트를 제거하는 단계; (e) 상기 네거티브 포토레지스트가 제거된 탐침의 첨두부에만 금속점을 증착하는 단계; 및 (f) 상기 캔틸레버 아암의 일부를 제거하여 캔틸레버 아암을 부상시키는 단계 를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 액체에서 사용가능한 고 종횡비 단전자 트랜지스터 구조를 갖는 원자간력 현미경 캔틸레버 제조방법
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제 9항에 있어서, 상기 (a) 단계는 제 1 실리콘층, 제 1 절연막과 제 2 실리콘층이 순차적으로 적층된 SOI 기판의 제 2 실리콘층 상부에 탐침을 형성하기 위한 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 마스크 패턴으로 마스킹하여 상기 제 2 실리콘층의 일부를 식각하여 실리콘층으로 이루어진 탐침 형상을 형성하는 단계; 상기 마스크 패턴을 제거하는 단계; 및 상기 제 2 실리콘층 상부에 열산화막을 형성하고 습식식각공정으로 상기 열산화막을 제거하여 제 2 실리콘층 상부에 뾰족한 형상의 탐침을 형성하는 단계 를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 액체에서 사용가능한 고 종횡비 단전자 트랜지스터 구조를 갖는 원자간력 현미경 캔틸레버 제조방법
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제 9항에 있어서, 상기 (b) 단계는 상기 탐침을 포함하여 상기 캔틸레버 지지대의 상부에 제 2 절연막, 제 3 절연막, 폴리실리콘층과 포토레지스트를 순차적으로 적층한 후 폴리실리콘층에서 제 2 절연막까지 식각하여 캔틸레버 아암 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 캔틸레버 아암 마스크 패턴으로 마스킹하여 상기 캔틸레버 지지대에 제 1 불순물을 주입하고, 열처리하는 단계; 상기 캔틸레버 아암 마스크 패턴의 일부를 식각하여 채널 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 채널 마스크 패턴으로 마스킹하여 제 2 불순물을 주입하고, 열처리하는 단계; 및 상기 탐침, 제 1과 제 2 불순물이 주입된 영역들을 포함하는 형상을 갖는 제 2 실리콘층의 캔틸레버 아암을 형성하는 단계 를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 액체에서 사용가능한 고 종횡비 단전자 트랜지스터 구조를 갖는 원자간력 현미경 캔틸레버 제조방법
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제 9항에 있어서, 상기 (c) 단계는 탐침의 첨두부만 노출되도록 포지티브 포토레지스트를 수회 도포하거나 또는 포지티브 포토레지스트를 두껍게 도포한 후 애싱하여 탐침부의 첨두부를 노출하는 것을 특징으로 하는 액체에서 사용가능한 고 종횡비 단전자 트랜지스터 구조를 갖는 원자간력 현미경 캔틸레버 제조 방법
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제 12항에 있어서, 상기 (c) 단계의 애싱은 PE 타입의 애셔를 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 액체에서 사용가능한 고 종횡비 단전자 트랜지스터 구조를 갖는 원자간력 현미경 캔틸레버 제조 방법
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제 9항에 있어서, 상기 (d)단계의 금속막은 금, 철, 니켈 및 크롬 중 어느 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 액체에서 사용가능한 고 종횡비 단전자 트랜지스터 구조를 갖는 원자간력 현미경 캔틸레버 제조 방법
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제 9항에 있어서, 상기 (d)단계의 포토레지스트 제거는 리프트 오프 공정을 통해 수행함을 특징으로 하는 액체에서 사용가능한 고 종횡비 단전자 트랜지스터 구조를 갖는 원자간력 현미경 캔틸레버 제조 방법
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제 9항에 있어서, 상기 (d)단계의 포토레지스트 제거는 리프트 오프 공정을 통해 수행함을 특징으로 하는 액체에서 사용가능한 고 종횡비 단전자 트랜지스터 구조를 갖는 원자간력 현미경 캔틸레버 제조 방법
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