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불순물이 도핑된 GaAs, InP, ZnSe, GaN의 화합물 반도체층; 상기 화합물 반도체층 상에 구비되어 고융점 금속을 함유하는 금속접촉층; 상기 금속접촉층 상에 구비된 확산방지층; 및 상기 확산방지층 상에 구비된 Au를 함유하는 프로빙층을 포함하되, 상기 확산방지층의 미세구조가 비정질의 매트릭스에 결정립이 분산된 형태를 띠고, 상기 비정질의 매트릭스는 실질적으로 천이금속의 산화물로 이루어지고 상기 결정립은 실질적으로 금속산화물로 이루어진 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 금속접촉층과 상기 불순물 반도체층 사이에는 오믹접촉 또는 쇼트키 접촉이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 비정질의 매트릭스는 천이금속의 산화물로 이루어지되, Ti, Pd, Ni, W, Pt, Ta, Mo, V, Cr, Zr 또는 Bn의 산화물을 함유하고 있는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 결정립은 CeO2, RuO2, MgO, Al2O3, SiO2, Ga2O3, In2O3, CaO, BaO 또는 RaO를 함유하고 있는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 천이금속과 산소와의 결합력이 접촉물질 내의 금속과 산소의 결합력보다 큰 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 결정립은 비정질 매트릭스에 나노 또는 마이크로 레벨로 분산되어 있는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자
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불순물이 도핑된 GaAs, InP, ZnSe, GaN의 화합물 반도체층 상에 고융점 금속을 함유하는 금속접촉층을 형성하는 단계; 천이금속과 금속산화물을 타겟으로 사용하는 스퍼터링 방법으로 상기 금속접촉층 상에 확산방지층을 형성하는 단계; 상기 확산방지층 상에 Au를 함유하는 프로빙층을 형성하는 단계; 및 상기 금속접촉층과 화합물 반도체 기판 사이에 오믹접촉 또는 쇼트키 접촉을 형성하기 위해 상기 프로빙층이 형성된 결과물을 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 확산방지층은 그 미세구조가 비정질 매트릭스에 결정립이 분산된 형태를 띠고, 상기 매트릭스는 실질적으로 천이금속의 산화물로 이루어지고 상기 결정립은 금속산화물로 이루어진 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 확산방지층은 천이금속 타겟과 금속산화물 타겟을 동시에 이용하는 코스퍼터링 방법 또는 금속산화물 타겟에 천이금속 타겟을 올려 놓고 스퍼터링하는 방법에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 천이금속 타겟은 Ti, Pd, Ni, W, Pt, Ta, Mo, V, Cr, Zr 및 Bn으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 금속산화물 타겟은 CeO2, RuO2, MgO, Al2O3, SiO2, Ga2O3, In2O3, CaO, BaO 및 RaO로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 금속산화물 타겟은 CeO2, RuO2, MgO, Al2O3, SiO2, Ga2O3, In2O3, CaO, BaO 및 RaO로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자의 제조방법
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