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a) 확산 방지막과 하부전극이 형성된 반도체 기판을 준비하는 단계; b) 상기 반도체 기판에 Ba 소오스 가스, Sr 소오스 가스 및 Ti 소오스 가스를 공급하는 단계; c) 상기 소오스 가스들의 공급을 차단하고 상기 소오스 가스들을 반응시켜 상기 반도체 기판 상에 BST박막을 형성하는 단계; d) 상기 b) 및 c) 단계를 일정기간을 주기로 순차적으로 반복하여 BST 유전막을 형성하는 단계; 및 상기 BST 유전막상에 상부전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 b) 단계는 20 내지 120초간 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 c) 단계는 20 내지 60초간 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 b) 내지 d) 단계는 산소 분위기하에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 b) 내지 d) 단계가 400∼600℃의 온도에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 b) 내지 d) 단계가 0
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제1항에 있어서, 상기 BST 박막은 Ba와 Sr을 포함하는 페로브스카이트 구조의 유전막인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 Ba 소오스 가스는 Ba(TMHD)2 인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 Sr 소오스 가스는 Sr(TMHD)2인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 Ti 소오스 가스는 Ti(o-i-C3H8)4 또는 Ti(o-i-C3H8)2(TMHD)2 인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 b) 내지 d)단계가 화학기상증착법에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 하부전극 재질은 Pt, Ir, IrO2 또는 RuO2인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 형성방법
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