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플라즈마 처리 장치의 프로세스 챔버에 배치되되,금속 또는 유전체 물질로 형성되고, 내부가 관통되어 공간이 형성된 실드 바디와; 유전체 물질로 형성되고, 상기 실드 바디의 상부에 안착되는 실드 라이너를 포함하는 클리닝 실드;상기 프로세스 챔버의 내부 공간 상에서 상기 실드 라이너를 인출하거나 인입하기 위해 상기 프로세스 챔버의 측면 일부분을 개방 또는 폐쇄하는 프로세스 챔버 개폐수단; 및상기 실드 라이너의 교체를 위해 상기 프로세스 챔버 개폐수단을 통해 상기 프로세스 챔버의 내부 공간 상에서 상기 실드 라이너를 인출하거나 인입하는 라이너 교체 수단을 포함하며,상기 실드 바디에 상기 실드 라이너가 안착되어 형성되는 상기 클리닝 실드의 내부 공간은 상기 프로세스 챔버에 인입된 기판이 위치되는 공간과 상기 기판의 상부에 형성되는 플라즈마 유효 공간을 포함하여, 상기 클리닝 실드가 기판의 플라즈마 공정 수행에 따른 상기 프로세스 챔버의 오염을 방지하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버의 오염 방지 장치
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제 1 항에 있어서,상기 프로세스 챔버 개폐수단에 의해 상기 프로세스 챔버의 내부 공간과 개방 또는 폐쇄되는 내부 공간이 형성된 로드락 챔버를 더 포함하고,상기 라이너 교체 수단은 상기 로드락 챔버의 내부 공간에 위치되는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버의 오염 방지 장치
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제 3 항에 있어서,상기 라이너 교체 수단은, 상기 실드 라이너를 선택적으로 파지 또는 흡착하는 라이너 홀더와; 끝단에 상기 라이너 홀더가 연결되며 상기 프로세스 챔버 개폐수단을 통해 상기 프로세스 챔버의 내부 공간 상으로 신축 가능한 암을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버의 오염 방지 장치
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제 4 항에 있어서,다층 구조로 형성되며, 각 층마다 실드 라이너가 슬라이드 방식으로 삽입되어 보관되는 공간이 형성된 실드 라이너 보관대;상기 실드 라이너 보관대를 층 간격으로 상하 이동시키는 보관대 이송 수단; 및상기 로드락 챔버의 내부 공간과 상기 실드 라이너 보관대가 위치된 외부 공간 사이를 개방 또는 폐쇄하는 로드락 챔버 개폐수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버의 오염 방지 장치
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제 5 항에 있어서,상기 로드락 챔버는, 상기 프로세스 챔버의 양측면에 각각 연결되어 형성된 제1 로드락 챔버와 제2 로드락 챔버를 포함하며,상기 라이너 교체 수단은, 상기 제1 로드락 챔버에 위치된 제1 라이너 교체 수단과 상기 제2 로드락 챔버에 위치된 제2 라이너 교체 수단을 포함하며,상기 프로세스 챔버 개폐수단은, 상기 프로세스 챔버의 내부 공간과 상기 제1 로드락 챔버의 내부 공간을 개방 또는 폐쇄하는 제1 프로세스 챔버 개폐수단과 상기 프로세스 챔버의 내부 공간과 상기 제2 로드락 챔버의 내부 공간을 개방 또는 폐쇄하는 제2 프로세스 챔버 개폐수단을 포함하며,상기 실드 라이너 보관대는, 상기 제1 로드락 챔버에 대응되어 위치된 제1 실드 라이너 보관대와 상기 제2 로드락 챔버에 대응되어 위치된 제2 실드 라이너 보관대를 포함하며,상기 로드락 챔버 개폐수단은, 상기 제1 로드락 챔버의 내부 공간과 상기 제1 실드 라이너 보관대가 위치된 외부 공간 사이를 개방 또는 폐쇄하는 제1 로드락 챔버 개폐수단과 상기 제2 로드락 챔버의 내부 공간과 상기 제2 실드 라이너 보관대가 위치된 외부 공간 사이를 개방 또는 폐쇄하는 제2 로드락 챔버 개폐수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버의 오염 방지 장치
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제 1 항에 있어서,상기 실드 라이너는,세라믹(Ceramic) 또는 유리로 형성되며,상기 실드 바디는,금속, 세라믹(Ceramic) 또는 유리로 형성된 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버의 오염 방지 장치
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제 1 항, 제 3 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 실드 라이너는, RF 윈도우의 하면에 근접 또는 밀착되어 위치된 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버의 오염 방지 장치
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제 1 항, 제 3 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 실드 라이너는,상기 클리닝 실드의 내부 공간으로 반응 가스를 주입시키기 위한 적어도 하나 이상의 관통홀이 형성된 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버의 오염 방지 장치
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제 1 항, 제 3 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 실드 라이너는,평판 형태로 형성되며,상기 실드 바디의 하부에 상기 클리닝 실드의 내부 공간으로 반응 가스를 주입시키기 위한 가스 주입로가 형성된 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버의 오염 방지 장치
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제 1 항, 제 3 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 실드 라이너는,RF 윈도우의 하부에 위치되며 평판 형태로 형성된 제1 실드 라이너와;상기 제1 실드 라이너의 하부에 이격되어 위치되며 상기 클리닝 실드의 내부 공간으로 반응 가스를 주입시키기 위한 적어도 하나 이상의 관통홀이 형성된 제2 실드 라이너를 포함하며,상기 제1 실드 라이너와 상기 제2 실드 라이너 간의 이격 공간으로 가스 유동로가 형성된 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버의 오염 방지 장치
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제 4 항 또는 제 5 항의 프로세스 챔버의 오염 방지 장치를 이용하여,로드락 챔버의 내부 공간에 깨끗한 교체 실드 라이너를 준비하는 교체 실드 라이너 준비 단계;프로세스 챔버 개폐수단이 프로세스 챔버의 내부 공간과 로드락 챔버의 내부 공간 사이를 개방시키고, 라이너 교체 수단이 상기 프로세스 챔버의 내부 공간에 위치된 오염된 실드 라이너를 인출하여 상기 로드락 챔버의 내부 공간으로 이송하는 오염된 실드 라이너 인출 단계; 및상기 라이너 교체 수단이 상기 로드락 챔버의 내부 공간에 보관된 교체 실드 라이너를 상기 프로세스 챔버의 내부 공간에 위치시키고, 상기 프로세스 챔버 개폐수단이 상기 프로세스 챔버의 내부 공간을 폐쇄시키는 교체 실드 라이너 안착 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버의 오염 방지 방법
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제 12 항에 있어서,상기 오염된 실드 라이너 인출 단계는,상기 프로세스 챔버 개폐수단이 상기 프로세스 챔버의 내부 공간을 개방시키기 전에 상기 로드락 챔버의 내부 공간을 진공 상태로 형성시키는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버의 오염 방지 방법
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제 13 항에 있어서,제 5 항의 프로세스 챔버의 오염 방지 장치를 이용하는 경우,상기 교체 실드 라이너 준비 단계 이전에, 상기 실드 라이너 보관대에 깨끗한 교체 실드 라이너가 적어도 하나 이상 삽입되어 보관되는 교체 실드 라이너 보관 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버의 오염 방지 방법
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제 14 항에 있어서,상기 교체 실드 라이너 안착 단계 이후에,로드락 챔버 개폐수단이 상기 로드락 챔버의 내부 공간과 상기 실드 라이너 보관대가 위치된 외부 공간 사이를 개방시키고, 상기 라이너 교체 수단이 상기 로드락 챔버의 내부 공간에 보관된 오염된 실드 라이너를 인출하여 상기 실드 라이너 보관대의 빈 층에 상기 오염된 실드 라이너를 삽입하여 보관시키는 단계; 및상기 라이너 교체 수단이 상기 실드 라이너 보관대에 보관된 교체 실드 라이너를 인출하여 상기 로드락 챔버의 내부 공간으로 이송하고, 상기 로드락 챔버 개폐수단이 상기 로드락 챔버의 내부 공간과 상기 실드 라이너 보관대가 위치된 외부 공간 사이를 폐쇄시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버의 오염 방지 방법
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제 15 항에 있어서,상기 오염된 실드 라이너를 삽입하여 보관시키는 단계의 수행 후, 상기 라이너 교체 수단이 상기 실드 라이너 보관대에 보관된 다음번의 교체 실드 라이너의 인출이 가능하도록 상기 실드 라이너 보관대를 층 간격으로 이송시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버의 오염 방지 방법
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제 14 항에 있어서,상기 교체 실드 라이너 보관 단계는,상기 실드 라이너 보관대의 첫번째 층 또는 마지막 층을 제외한 각 층에 깨끗한 교체 실드 라이너가 삽입되어 보관되는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버의 오염 방지 방법
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제 6 항의 프로세스 챔버의 오염 방지 장치를 이용하여,제2 로드락 챔버의 내부 공간에 깨끗한 교체 실드 라이너를 준비하는 교체 실드 라이너 준비 단계;제1 프로세스 챔버 개폐수단이 프로세스 챔버의 내부 공간과 제1 로드락 챔버의 내부 공간 사이를 개방시키고, 제1 라이너 교체 수단이 상기 프로세스 챔버의 내부 공간에 위치된 오염된 실드 라이너를 인출하여 상기 제1 로드락 챔버의 내부 공간으로 이송하고, 상기 제1 프로세스 챔버 개폐수단이 상기 프로세스 챔버의 내부 공간과 상기 제1 로드락 챔버의 내부 공간 사이를 폐쇄시키는 오염된 실드 라이너 인출 단계; 및제2 프로세스 챔버 개폐수단이 상기 프로세스 챔버의 내부 공간과 상기 제2 로드락 챔버의 내부 공간 사이를 개방시키고, 제2 라이너 교체 수단이 상기 제2 로드락 챔버의 내부 공간에 보관된 교체 실드 라이너를 상기 프로세스 챔버의 내부 공간에 위치시키고, 상기 제2 프로세스 챔버 개폐수단이 상기 프로세스 챔버의 내부 공간과 상기 제2 로드락 챔버의 내부 공간 사이를 폐쇄시키는 교체 실드 라이너 안착 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버의 오염 방지 방법
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제 18 항에 있어서,상기 오염된 실드 라이너 인출 단계는,상기 제1 프로세스 챔버 개폐수단이 상기 프로세스 챔버의 내부 공간을 개방시키기 전에 상기 제1 로드락 챔버의 내부 공간을 진공 상태로 형성시키고,상기 교체 실드 라이너 안착 단계는,상기 제2 프로세스 챔버 개폐수단이 상기 프로세스 챔버의 내부 공간을 개방시키기 전에 상기 제2 로드락 챔버의 내부 공간을 진공 상태로 형성시키는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버의 오염 방지 방법
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제 19 항에 있어서,상기 오염된 실드 라이너 인출 단계 이후에,제1 로드락 챔버 개폐수단이 상기 제1 로드락 챔버의 내부 공간과 제1 제1 실드 라이너 보관대가 위치된 외부 공간 사이를 개방시키고, 상기 제1 라이너 교체 수단이 상기 제1 로드락 챔버의 내부 공간에 보관된 오염된 실드 라이너를 인출하여 상기 제1 실드 라이너 보관대의 빈 층에 상기 오염된 실드 라이너를 삽입하여 보관시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버의 오염 방지 방법
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제 20 항에 있어서,상기 제1 라이너 교체 수단이 상기 제1 실드 라이너 보관대에 다음번의 오염된 실드 라이너의 삽입이 가능하도록 상기 실드 라이너 보관대를 층 간격으로 이송시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버의 오염 방지 방법
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제 19 항에 있어서,상기 교체 실드 라이너 준비 단계 이전에, 제2 실드 라이너 보관대에 깨끗한 교체 실드 라이너가 적어도 하나 이상 삽입되어 보관되는 교체 실드 라이너 보관 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버의 오염 방지 방법
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제 22 항에 있어서,상기 교체 실드 라이너 안착 단계 이후에,상기 제2 로드락 챔버 개폐수단이 상기 제2 로드락 챔버의 내부 공간과 제2 실드 라이너 보관대가 위치된 외부 공간 사이를 개방시키고, 상기 제2 라이너 교체 수단이 상기 제2 실드 라이너 보관대에 보관된 교체 실드 라이너를 인출하여 상기 제2 로드락 챔버의 내부 공간으로 이송하고, 상기 제2 로드락 챔버 개폐수단이 상기 제2 로드락 챔버의 내부 공간과 상기 제2 실드 라이너 보관대가 위치된 외부 공간 사이를 폐쇄시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버의 오염 방지 방법
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제 23 항에 있어서,상기 제2 라이너 교체 수단이 상기 제2 실드 라이너 보관대에 보관된 다음번의 교체 실드 라이너의 인출이 가능하도록 상기 제2 실드 라이너 보관대를 층 간격으로 이송시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버의 오염 방지 방법
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제 12 항에 있어서,상기 오염된 실드 라이너 인출 단계부터 상기 교체 실드 라이너 안착 단계는, 상기 프로세스 챔버의 기판 교체시에 수행되는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버의 오염 방지 방법
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