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전도성 고분자의 자기조립과 박막 형성을 동시에 유도하는 전도성 고분자 박막 제조방법(Manufacturing method for the conductive polymer thin film of simultaneously inducing the self-assembly and thin film of the conductive polymer)

  • 기술번호 : KST2017017921
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전도성 고분자 P3HT의 자기조립과 박막 형성을 동시에 유도하는 P3HT박막 제조방법에 관한 것으로, 전도성 고분자 박막 제조방법에 있어서, (i) 전도성 고분자를 제1 용매에 용해시켜 전도성 고분자 용액을 제조하는 단계; (ii) 상기 (i) 단계에서 제조된 전도성 고분자 용액을 제2 용매 위에 떨어뜨리는 단계; (iii) 상기 제1 용매를 증발시켜 전도성 고분자 박막을 형성하는 단계; 를 포함하여 이루어지고, 상기 (iii) 단계에서 제1 용매가 증발하면서 상기 전도성 고분자가 자기조립이 유도됨과 동시에 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 박막 제조방법을 제공한다. 상기 본 발명에 따른 전도성 고분자 박막 제조방법은 공정을 단순화하고 나노수준에서의 모폴로지 조절이 가능하고 박막의 균일도를 증가시킨다.
Int. CL H01L 21/027 (2016.06.26) C08L 65/00 (2016.06.26) C08L 79/08 (2016.06.26) H01L 51/52 (2016.06.26)
CPC H01L 21/0271(2013.01) H01L 21/0271(2013.01) H01L 21/0271(2013.01) H01L 21/0271(2013.01) H01L 21/0271(2013.01) H01L 21/0271(2013.01)
출원번호/일자 1020160062416 (2016.05.20)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0131135 (2017.11.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.05.20)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김용재 대한민국 전라북도 군산시
2 전환진 대한민국 대전광역시 유성구
3 안치원 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한상수 대한민국 서울시 서초구 효령로**길 ** *층 (브릿지웰빌딩)(에이치앤피국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2016-0488323-09
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.05.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.07.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0103683-06
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.07.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0489642-18
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.09.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0891147-46
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2017-0891053-53
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2018.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0071145-25
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전도성 고분자 박막 제조방법에 있어서,(i) 전도성 고분자를 제1 용매에 용해시켜 전도성 고분자 용액을 제조하는 단계;(ii) 상기 (i) 단계에서 제조된 전도성 고분자 용액을 제2 용매 위에 떨어뜨리는 단계;(iii) 상기 제1 용매를 증발시켜 전도성 고분자 박막을 형성하는 단계; 를 포함하여 이루어지고,상기 (iii) 단계에서 제1 용매가 증발하면서 상기 전도성 고분자가 자기조립이 유도됨과 동시에 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 박막 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 제2 용매는 상기 제1 용매의 용해도가 낮은 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 박막 제조방법
3 3
청구항 1에 있어서,상기 (iii) 단계에서 제1 용매의 증발속도를 감소시켜, 형성되는 전도성 고분자 박막의 균일도를 증가시키는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 박막 제조방법
4 4
청구항 1에 있어서,상기 전도성 고분자는 폴리아세틸렌(polyacetylene: PA), 폴리티오펜(polythiophene: PT), 폴리(3-알킬)티오펜(poly(3-alkyl)thiophene: P3AT), 폴리피롤(polypyrrole: PPY), 폴리이소시아나프탈렌(polyisothianapthelene: PITN), 폴리에틸렌 디옥시티오펜(polyethylene dioxythiophene: PEDOT), 폴리파라페닐렌 비닐렌(polyparaphenylene vinylene: PPV), 폴리(2,5-디알콕시)파라페닐렌 비닐렌 (poly(2,5-dialkoxy)paraphenylene vinylene), 폴리파라페닐렌(polyparaphenylene: PPP), 페릴렌테트라카복실산디이미드(perylene tetracarboxylic diimide: PTCDI), 폴리파라페닐렌설파이드(polyparaphenylene sulphide: PPS), 폴리헵타디엔(polyheptadiyne: PHT), 폴리(3-헥실)티오펜(poly(3-hexyl)thiophene: P3HT), 폴리아닐린(polyaniline: PANI) 및 이들의 유도체를 포함하여 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 박막 제조방법
5 5
청구항 4에 있어서,상기 전도성 고분자는 P3HT 또는 PTCDI인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 박막 제조방법
6 6
청구항 5에 있어서,상기 (i) 단계에서의 제1 용매는 클로로폼(chloroform), 톨루엔(toluene), THF(tetrahydrofuran)중 하나 이상인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 박막 제조방법
7 7
청구항 6에 있어서,상기 (i) 단계에서의 전도성 고분자 용액의 농도는 상기 톨루엔 또는 상기 THF의 경우 0
8 8
청구항 6에 있어서,상기 (i) 단계에서의 전도성 고분자 용액의 농도는 상기 클로로폼의 경우 1 ~ 2
9 9
청구항 5에 있어서,상기 제2 용매는 증류수인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 박막 제조방법
10 10
전도성 고분자 박막 제조방법에 있어서, (a) 실리콘 기판의 표면을 개질하는 단계;(b) 상기 표면이 개질된 실리콘 기판 위에 제2 용매를 퍼뜨리는 단계;(c) 전도성 고분자를 제1 용매에 용해시켜 전도성 고분자 용액을 제조하는 단계;(d) 상기 (c) 단계에서 제조된 전도성 고분자 용액을 상기 제2 용매 위에 떨어뜨리는 단계;(e) 상기 제1 용매를 증발시켜 전도성 고분자 박막을 형성하는 단계;(f) 상기 제2 용매를 증발시키는 단계; 를 포함하여 이루어지고,상기 (e) 단계에서 제1 용매가 증발하면서 자기조립이 유도됨과 동시에 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 박막 제조방법
11 11
청구항 1 내지 청구항 10중 어느 한 항의 방법으로 제조되는 전도성 고분자 박막
12 12
청구항 11의 전도성 고분자 박막을 포함하는 유기박막소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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3 미래창조과학부 나노종합기술원 원천기술개발사업〉나노· 소재 기술개발사업〉나노안전성기술지원센터 표준나노물질의 특성평가를 위한 저온 이미징 기술개발