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기판 상에 반도체층 및 유전체층을 형성하는 단계;상기 유전체층 상에 포토레지스트를 도포하는 단계;마스크를 통해 상기 포토레지스트를 노광하는 단계; 상기 노광된 포토레지스트를 현상(development) 처리 또는 플라즈마 처리하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴을 포함하는 상기 기판 상에 금속 마스크층을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴을 제거하여, 금속 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 금속 마스크 패턴을 통해 상기 유전체층을 식각하는 단계;상기 금속 마스크 패턴을 제거하여 홀패턴을 형성하는 단계; 및상기 홀패턴을 통하여 반도체층을 성장시켜 3차원 구조체를 형성하는 단계;를 포함하는, 발광소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 마스크의 패턴 크기는 수 nm 이상이고, 상기 3차원 구조체는 1 nm 내지 10 ㎛ 밑면 직경 및 5 nm 내지 50 ㎛ 높이를 가지는 것인, 발광소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 현상 처리하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계는, 상기 현상 시간을 1 초 이상 적용하여 상기 포토레지스트 패턴의 크기를 조절하는 것인, 발광소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 플라즈마 처리는, 산소, 질소, 수소, 아르곤, 불화탄소(CxFy), 헬륨, 네온, 크립톤, 크세논 및 라돈으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나의 가스를 이용하여 수행하는 것이고,상기 플라즈마 처리는, 유도 결합형 플라즈마(inductively coupled plasma; ICP)를 이용하여 수행하는 것인, 발광소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 플라즈마 처리는, 마이크로파를 인가하여 발생시킨 플라즈마를 이용하여 상기 포토레지스트를 등방성 식각하는 것이고,상기 마이크로파는, 10 W 이상의 전력을 가지는 것인, 발광소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 3차원 구조체는, 원뿔, 다각형뿔, 원기둥, 다각형 기둥, 원형의 링, 다각형의 링, 평평한 상부를 갖도록 잘린 형태의 원뿔, 다각형뿔, 원형의 링 및 다각형의 링 형태의 나노패턴으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 발광소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기판은, 사파이어(Al2O3), Si, SiO2, SiC, GaN, GaP, InP, GaAs, ZnO, MgO, MgAl2O4, LiAlO2 및 LiGaO2로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 발광소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 반도체층은, GaN, InN, AlN, GaNP, GaNAs, GaNSb, AlGaN, InGaN, BAlGaN, GaAlNP, GaAlNAs, InAlGaN, GaAlNSb, GaInNP, GaInNAs 및 GaInNSb로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 발광소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 유전체층은, SiNx, SiOx, SixNy, SixONy, SiCx, Al2O3, TiO2, TiN, AlN, ZrO2, TiAIN 및 TiSiN로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 발광소자의 제조방법
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