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다공성 절연물질 및 상기 다공성 절연물질의 일면 또는 양면에 형성되는 고분자 박막을 포함하며, 상기 고분자 박막은 iCVD공정에 의해 형성되며, 두께는 0 ~ 10 nm이고,상기 고분자 박막에 의해 상기 다공성 절연물질의 표면 부분의 기공이 실링 되며, 유전상수 k의 변화율이 하기 식 1을 만족하는 다공성 복합절연물질
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제 1항에 있어서,상기 고분자 박막은 최소 하나 이상의 비닐기를 포함하는 불소계 단량체, 아크릴계 단량체, 실란계 단량체, 실록산계 단량체, 실라잔계 단량체 및 비닐계 단량체로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 또는 둘 이상의 단량체로부터 유도된 중합체로 이루어진 것인 다공성 복합절연물질
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제 1항에 있어서,상기 다공성 절연물질은 기공의 크기가 2nm ~ 50nm인 것인 다공성 복합 절연물질
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제 1항, 제 4항 및 제 5항에서 선택되는 어느 한 항에 따른 다공성 복합절연물질을 포함하는 반도체 소자
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a) iCVD 챔버의 기판에 다공성 절연물질을 위치시키는 단계;b) 상기 챔버에 기화된 단량체 또는 단량체 및 개시제를 주입하면서 일정 시간 유지하여 상기 다공성 절연물질 표면 및 내부의 기공에 단량체를 흡착시키는 단계;c) 상기 챔버에 기화된 단량체 및 개시제를 주입하면서 열을 가해, 연쇄중합 반응을 유도하여 상기 다공성 절연물질 표면 부분의 단량체를 고분자화 하여 고분자 박막을 형성하는 단계; d) 상기 고분자 박막이 형성된 다공성 복합절연물질을 상기 고분자 박막 형성 시 기판의 온도 이상 내지 400℃이하의 온도로 열처리 하는 단계; 및e) 상기 b)단계, c)단계 및 d)단계를 순차적으로 수행한 경우를 1 사이클로 할 때, 2 사이클 이상 반복하는 단계;를 포함하며, 상기 고분자 박막의 두께는 0 ~ 10 nm인 다공성 복합 절연물질의 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 b)단계 및 c)단계에서, 다공성 절연물질이 위치하는 기판 온도는 10 ~ 100℃이고, 챔버 내 압력이 10 ~ 1000 mTorr인 것인 다공성 복합 절연물질의 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 b)단계 및 c)단계에서, 단량체 또는 단량체 및 개시제 주입 시, 불활성가스를 사용하는 것인 다공성 복합 절연물질의 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 e)단계는 굴절율의 변동 폭 nrof가 하기 식 3을 만족하는 시점에서 반복을 종료하는 것인 다공성 복합 절연물질의 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 d)단계는 다공성 복합절연 물질을 상기 챔버 내에 유지하거나 또는 다공성 복합절연 물질을 별도의 열처리 챔버로 이송하여 수행하는 것인 다공성 복합 절연물질의 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 d)단계에서 상기 다공성 복합절연물질을 상기 챔버 내에 유지하는 경우, 개시제 및 단량체의 공급을 중단하고 진공 배기 또는 불활성가스를 이용해 퍼지한 후, 열처리를 수행하는 것인 다공성 복합 절연물질의 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 d)단계에서 열처리 시, 진공, 상압 불활성가스 분위기 및 감압된 불활성가스 분위기에서 수행하는 것인 다공성 복합 절연물질의 제조방법
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제 9항 또는 제 13항에 있어서,상기 불활성가스는 Ar, N2 및 He에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상인 다공성 복합 절연물질의 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 d)단계에서 열처리 온도는 40 ~ 400℃에서 수행하는 것인 다공성 복합 절연물질의 제조방법
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