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제1 영률을 갖는 신축 기판; 상기 신축 기판 상에 상기 제1 영률보다 낮은 제2 영률을 갖는 신축성 물질이 코팅되는 신축성층; 및 상기 신축성층 상에 포토레지스트 혹은 UV경화성 수지의 코팅과, UV-경화를 통해 패터닝한 단단한 아일랜드 및 신축성 인터커넥터를 포함하는, 상기 제1 영률보다 높은 영률을 갖는 단단한 고정층; 을 포함하고,상기 신축성 인터커넥터는 상기 신축성층 상에 코팅되어 상기 신축성 인터커넥터의 일면이 상기 신축성층과 접촉하는 신축성 전자소자 플랫폼
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제1항에 있어서,상기 고정층 중 단단한 아일랜드 패턴에는 변형이 발생하지 않고, 상기 신축 기판 및 상기 신축성층에 변형이 집중되는 신축성 전자소자 플랫폼
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제2항에 있어서,전체 시스템에 인장이 가해질 때, 상기 신축성층의 영률이 작을수록, 단단한 아일랜드와 인터커넥터의 변형률 및 응력 분포가 줄어드는 신축성 전자소자 플랫폼
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제1항에 있어서, 상기 고정층을 형성한 후, 금속 및 유기 반도체를 증착하여 신축성 유기 광전 및 전자소자를 제작하는 신축성 전자소자 플랫폼
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제4항에 있어서, 유기 광전 및 전자 소자는 신축성 기판, 신축성층, 고정층이 견딜 수 있는 온도 범위내에서 증착이 가능한 도체 및 반도체, 부도체 등의 층으로 구성되는 다양한 전자 및 광전소자가 고정층의 단단한 아일랜드 상에 구성되는신축성 전자소자 플랫폼
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제1 영률을 갖는 신축 기판을 형성하는 단계; 상기 신축 기판 상에 상기 제1 영률보다 낮은 제2 영률을 갖는 신축성 물질을 코팅하여 신축성층을 형성하는 단계; 및 상기 신축성층 상에 포토레지스트 혹은 UV경화성 수지의 코팅과, UV-경화를 통해 패터닝한 단단한 아일랜드 및 신축성 인터커넥터를 포함하는, 상기 제1 영률보다 높은 영률을 갖는 단단한 고정층을 상기 신축성 인터커넥터가 상기 신축성층 상에 코팅되어 상기 신축성 인터커넥터의 일면이 상기 신축성층과 접촉하도록 형성하는 단계;를 포함하는 신축성 전자소자 플랫폼 제작 방법
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제6항에 있어서, 상기 고정층 중 단단한 아일랜드 패턴에는 변형이 발생하지 않고, 상기 신축 기판 및 상기 신축성층에 변형이 집중되는신축성 전자소자 플랫폼 제작 방법
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제7항에 있어서, 전체 시스템에 인장이 가해질 때, 상기 신축성층의 영률이 작을수록, 단단한 아일랜드와 인터커넥터의 변형률 및 응력 분포가 줄어드는 신축성 전자소자 플랫폼 제작 방법
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제6항에 있어서, 상기 고정층을 형성한 후, 금속 및 유기 반도체를 증착하여 신축성 유기 광전 및 전자소자를 제작하는 단계를 더 포함하는 신축성 전자소자 플랫폼 제작 방법
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제9항에 있어서, 유기 광전 및 전자 소자는 신축성 기판, 신축성층, 고정층이 견딜 수 있는 온도 범위내에서 증착이 가능한 도체 및 반도체, 부도체 등의 층으로 구성되는 다양한 전자 및 광전소자가 고정층의 단단한 아일랜드 상에 구성되는신축성 전자소자 플랫폼 제작 방법
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