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2층 이상의 유전체층을 포함하는 박막 적층 구조체로서,상기 박막 적층 구조체의유전체층 중 일 층은 다른 일 층 이상과 서로 다른 B/B' 조성비를 갖는 페로브스카이트형 결정구조의 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는, 박막 적층 구조체:003c#화학식 1003e#AB1-xB'xO3상기 식에서,A는 +2가의 양이온이고, B, B'는 서로 독립적으로 + 4가의 양이온이고, 0 ≤ x 003c# 1이다
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제1항에 있어서,상기 화합물은 페로브스카이트형 결정구조에서 서로 다른 O-B-O 화학결합 강도와 O-B'-O 화학결합 강도를 나타내는 B/B' 조성비를 조절하여 유전체층의 유전율이 조절되는, 박막 적층 구조체
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3
제1항에 있어서,상기 유전체층은 페로브스카이트형 결정구조에서 강유전성에서 상유전성으로 전이되는 전이온도가 상승되도록 B/B' 조성비를 조절하여 0 ℃ 내지 120 ℃에서 유전율이 증가되는, 박막 적층 구조체
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4
제1항에 있어서,상기 화합물은 BaTi1-zHfzO3, BaTi1-zZrzO3, SrTi1-zHfzO3, SrTi1-zZrzO3, CaTi1-zHfzO3, 또는 CaTi1-zZrzO3로부터 선택된 화합물을 포함하고, 여기서 z는 0 003c# z 003c# 1인, 박막 적층 구조체
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5
제1항에 있어서,상기 유전체층은 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 더 포함하는, 박막 적층 구조체:003c#화학식 2003e#A1-yAy'B1-xB'xO3 상기 식에서,A, A'는 서로 독립적으로 +2가의 양이온이고, B, B'는 서로 독립적으로 + 4가의 양이온이고, 0 003c# x 003c# 1, 0 003c# y 003c# 1이다
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6
제5항에 있어서,상기 화합물은 Ba1-wCawTi1-zHfzO3, Ba1-wSrwTi1-zHfzO3, Ba1-wCawTi1-zZrzO3, Ba1-wSrwTi1-zZrzO3, Sr1-wCawTi1-zHfzO3, 또는 Sr1-wCawTi1-zZrzO3로부터 선택된 화합물을 포함하고, 여기서 z는 0 003c# z 003c# 1이고 w는 0 003c# w 003c# 1인, 박막 적층 구조체
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7
제1항에 있어서,상기 박막 적층 구조체는 페로브스카이트형 결정구조의 전도성 화합물로 이루어진 제1 전극층 상에 형성된, 박막 적층 구조체
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8
제7항에 있어서,상기 전도성 화합물이 투명 전도성 산화물인, 박막 적층 구조체
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제7항에 있어서,상기 전도성 화합물이 Lax'Ba1-x'SnO3 (여기서, 0 003c# x' 003c# 1)를 포함하는, 박막 적층 구조체
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제9항에 있어서,상기 x'가 0 003c# x' ≤ 0
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11
제7항에 있어서,상기 제1 전극층은 금속성 또는 반도체성을 갖는, 박막 적층 구조체
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제1항에 있어서,상기 박막 적층 구조체는,상기 화학식 1로 표시되는 화합물에서 x=0인 화합물을 포함하는 제1 유전체층; 및상기 제1 유전체층의 양 면에 배치된 제2 유전체층 및 제3 유전체층을 포함하고, 상기 제2 유전체층 및 제3 유전체층은 서로 독립적으로 상기 화학식 1로 표시되는 화합물에서 0 003c# x 003c# 1인 화합물을 포함하는, 박막 적층 구조체
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13
제12항에 있어서,상기 제1 유전체층이 BaTiO3, SrTiO3, CaTiO3, BaHfO3, BaZrO3, SrHfO3, SrZrO3, CaHfO3, 또는 CaZrO3로부터 선택된 화합물을 포함하는, 박막 적층 구조체
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제12항에 있어서,상기 제2 유전체층 및 제3 유전체층이 서로 독립적으로 BaTi1-zHfzO3, BaTi1-zZrzO3, SrTi1-zHfzO3, SrTi1-zZrzO3, CaTi1-zHfzO3, 또는 CaTi1-zZrzO3로부터 선택된 화합물을 포함하고, 여기서 z는 0 003c# z 003c# 1인, 박막 적층 구조체
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15
제1항에 있어서,상기 제2 유전체층 및 제3 유전체층은 상기 박막 적층 구조체 전체 두께 100%를 기준으로 하여 10% 이하의 두께를 갖는, 박막 적층 구조체
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제1항에 있어서,상기 박막 적층 구조체는,제4 유전체층; 및상기 제4 유전체층의 양 면에 배치된 제5 유전체층 및 제6 유전체층;을 포함하고,상기 제4 유전체층, 제5 유전체층, 및 제6 유전체층은 서로 독립적으로 상기 화학식 1로 표시되는 화합물에서 0 003c# x 003c# 1인 화합물을 포함하고,상기 화합물은 제4 유전체층의 B 원소의 농도가 제5 유전체층 및 제6 유전체층의 B 원소의 농도보다 높은, 박막 적층 구조체
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제16항에 있어서,상기 제4 유전체층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물에서 x는 0
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제16항에 있어서,상기 화합물은 BaTi1-zHfzO3, BaTi1-zZrzO3, SrTi1-zHfzO3, SrTi1-zZrzO3, CaTi1-zHfzO3, 또는 CaTi1-zZrzO3로부터 선택된 화합물을 포함하고, 여기서 z는 0 003c# z 003c# 1인, 박막 적층 구조체
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제16항에 있어서,상기 제5 유전체층 및 제6 유전체층은 상기 박막 적층 구조체 전체 두께 100%를 기준으로 하여 10% 이하의 두께를 갖는, 박막 적층 구조체
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20
제1항 내지 제19항 중 어느 하나에 따른 박막 적층 구조체; 및 상기 박막 적층 구조체 상에 상기 제1 전극층과 마주하게 배치된 제2 전극층;을 포함하는, 집적 소자
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제20항에 있어서,상기 제2 전극층은 상기 제1 전극층의 전도성 화합물과 동일 또는 상이한 화합물로 이루어진, 집적 소자
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제20항에 있어서,상기 제2 전극층은 Lax'Ba1-x'SnO3 (여기서, 0 003c# x' 003c# 1)를 포함하는, 집적 소자
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제22항에 있어서,상기 제2 전극층은 하부 전극층과 Ba/Li 조성비가 동일하거나 또는 상이한, 집적 소자
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제20항에 있어서,상기 집적 소자는 메모리 소자 또는 로직(logic) 소자인, 집적 소자
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제20항에 있어서,상기 집적 소자는 커패시터 또는 트랜지스터를 포함하는, 집적 소자
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기판을 준비하는 단계; 및상기 기판 상에 제1항 내지 제6항 및 제12항 내지 제19항 중 어느 한 항에 따른 박막 적층 구조체를 형성하는 단계;를 포함하는 박막 적층 구조체의 제조방법
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제26항에 있어서,상기 박막 적층 구조체를 형성하는 단계는 PVD(physical vapor deposition), CVD(chemical vapor deposition), MBE(molecular beam epitaxy), ALD(atomic layer deposition), 또는 PLD(pulsed laser deposition) 방법을 사용하는, 박막 구조체의 제조방법
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