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무선주파수 소자 및 그 제조방법

기술번호 : KST2015118707
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	무선주파수 소자 및 그 제조방법이 제공된다. 일 실시예에 따른 무선주파수 소자에 따르면, 제 1 영역 및 제 2 영역을 포함하는 기판이 제공된다. 반도체층은 상기 기판의 제 1 영역 상에 제공된다. 매몰 절연층은 상기 기판 및 상기 반도체층 사이에 제공된다. 복수의 인버젼 방지층들은 상기 기판의 제 2 영역 상에 제공된다. 가드링 콘택 플러그는 상기 복수의 인버젼 방지층들 중 적어도 하나를 관통하여 상기 기판에 연결된다.
Int. CL	H01L 29/06 (2006.01) H01L 29/66 (2006.01)
CPC	H01L 27/1203(2013.01) H01L 27/1203(2013.01) H01L 27/1203(2013.01)
출원번호/일자	1020100088688 (2010.09.10)
출원인	한국과학기술원
등록번호/일자	10-1131414-0000 (2012.03.22)
공개번호/일자	10-2012-0026670 (2012.03.20) 문서열기
공고번호/일자	(20120403) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2010.09.10)
심사청구항수	16

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	한국과학기술원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	김한흥	대한민국	경기도 부천시 원미구
2	임부택	대한민국	대전광역시 서구
3	이기성	대한민국	대전광역시 서구
4	유동은	대한민국	대전광역시 서구
5	이동욱	대한민국	대전광역시 유성구
6	강민호	대한민국	대전광역시 유성구
7	이병주	대한민국	대전광역시 서구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	김남식	대한민국	서울특별시 서초구 남부순환로**길 -, 층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2	한윤호	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로길 (삼성동) 명지빌딩, *층(선정국제특허법률사무소)
3	박기원	대한민국	서울 강남구 언주로 길 , 층, 층, 층, *층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)
4	양기혁	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로길 (삼성동) 명지빌딩, *층(선정국제특허법률사무소)
5	이인행	대한민국	서울특별시 서초구 남부순환로**길 -, 층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	한국과학기술원		대전광역시 유성구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2010.09.10	수리 (Accepted)	1-1-2010-0588630-16
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2011.08.11	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2011.09.20	수리 (Accepted)	9-1-2011-0077273-55
4	등록결정서 Decision to grant	2012.03.19	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0159437-75
5	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2013.02.01	수리 (Accepted)	4-1-2013-5019983-17
6	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2014-5158129-58
7	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2014-5157993-01
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2014-5157968-69
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.04.24	수리 (Accepted)	4-1-2019-5081392-49
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.05.15	수리 (Accepted)	4-1-2020-5108396-12
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.06.12	수리 (Accepted)	4-1-2020-5131486-63

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 제 1 영역 및 제 2 영역을 포함하는 기판;상기 기판의 제 1 영역 상의 반도체층;상기 기판 및 상기 반도체층 사이의 매몰 절연층;상기 기판의 제 2 영역 상의 복수의 인버젼 방지층들; 및상기 복수의 인버젼 방지층들 중 적어도 하나의 인버젼 방지층을 관통하여 상기 기판에 연결된 가드링 콘택 플러그를 포함하는, 무선주파수 소자
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 반도체층의 측면 및 상기 복수의 인버젼 방지층들의 상면을 덮는 필드 절연층을 더 포함하는, 무선주파수 소자
3	3 제 1 항에 있어서, 상기 복수의 인버젼 방지층들은 상기 기판과 직접 접촉된, 무선주파수 소자
4	4 제 3 항에 있어서, 상기 기판은 상기 반도체층보다 높은 비저항을 갖고, 상기 적어도 하나의 인버젼 방지층 아래의 표면부에 불순물 도핑 영역을 포함하는, 무선주파수 소자
5	5 제 1 항에 있어서, 상기 복수의 인버젼 방지층들은 그 상면에 요홈을 포함하는, 무선주파수 소자
6	6 제 1 항에 있어서, 상기 복수의 인버젼 방지층들은 폴리실리콘을 포함하는, 무선주파수 소자
7	7 제 1 영역 및 상기 제 1 영역을 둘러싸는 제 2 영역을 포함하고, 상기 제 2 영역은 가드링 영역을 포함하는 기판;상기 기판의 제 1 영역 상의 반도체층;상기 기판 및 상기 반도체층 사이의 매몰 절연층;상기 기판의 제 2 영역 상의 복수의 인버젼 방지층들;상기 반도체층의 측면 및 상기 복수의 인버젼 방지층들의 상면을 덮는 필드 절연층; 및상기 복수의 인버젼 방지층들 중 상기 기판의 가드링 영역 상의 적어도 하나의 인버젼 방지층 및 상기 필드 절연층을 관통하여 상기 기판에 연결된 가드링 콘택 플러그를 포함하는, 무선주파수 소자
8	8 제 7 항에 있어서, 상기 기판은 상기 반도체층보다 높은 비저항을 갖고, 상기 적어도 하나의 인버젼 방지층 아래의 표면부에 불순물 도핑 영역을 포함하는, 무선주파수 소자
9	9 제 7 항에 있어서, 상기 복수의 인버젼 방지층들은 상기 기판과 직접 접촉되고, 그 상면에 요홈을 포함하는, 무선주파수 소자
10	10 제 1 영역 및 제 2 영역을 갖는 기판, 상기 기판 상의 매몰 절연층 및 상기 매몰 절연층 상의 반도체층의 적층 구조를 갖는 복합 기판을 제공하는 단계;상기 복합 기판 내부의 상기 기판의 제 2 영역의 일부분 상에 복수의 인버젼 방지층들을 형성하는 단계; 및상기 복수의 인버젼 방지층들 중 적어도 하나를 관통하여 상기 기판에 연결된 가드링 콘택 플러그를 형성하는 단계를 포함하는, 무선주파수 소자의 제조방법
11	11 제 10 항에 있어서, 상기 복수의 인버젼 방지층들을 형성하는 단계 전에,상기 가드링 콘택 플러그 아래의 상기 기판의 제 2 영역의 표면부에 선택적으로 불순물을 주입하는 단계를 더 포함하는, 무선주파수 소자의 제조방법
12	12 제 11 항에 있어서, 상기 기판은 상기 제 2 영역 내에 가드링 영역을 포함하고, 상기 가드링 콘택 플러그는 상기 가드링 영역에 연결되도록 형성하는, 무선주파수 소자의 제조방법
13	13 제 10 항에 있어서, 상기 가드링 콘택 플러그를 형성하기 전에,상기 복수의 인버젼 방지층들의 상면 및 상기 반도체층들의 측면을 덮는 필드 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 무선주파수 소자의 제조방법
14	14 제 10 항에 있어서, 상기 복수의 인버젼 방지층들은 폴리실리콘으로 형성하는, 무선주파수 소자의 제조방법
15	15 제 1 영역 및 제 2 영역을 갖는 기판, 상기 기판 상의 매몰 절연층 및 상기 매몰 절연층 상의 반도체층의 적층 구조를 갖는 복합 기판을 제공하는 단계;상기 기판의 제 2 영역의 일부분 상의 상기 매몰 절연층 및 상기 반도체층을 식각하여 복수의 트렌치들을 형성하는 단계;상기 복수의 트렌치들 중 상기 기판의 제 2 영역 내의 가드링 영역 내의 적어도 하나의 트렌치 아래의 상기 기판의 표면부에 불순물을 주입하는 단계;상기 복수의 트렌치들 내에 복수의 인버젼 방지층들을 형성하는 단계;상기 반도체층들이 상기 기판의 제 1 영역 상으로 한정되도록 상기 반도체층들을 식각하는 단계;상기 복수의 인버젼 방지층들의 상면 및 상기 반도체층의 측면을 덮는 필드 절연층을 형성하는 단계; 및상기 복수의 인버젼 방지층들 중 상기 적어도 하나의 트렌치 내의 적어도 하나의 인버젼 방지층 및 상기 필드 절연층을 관통하는 가드링 콘택 플러그를 형성하는 단계를 포함하는, 무선주파수 소자의 제조방법
16	16 제 15 항에 있어서, 상기 가드링 콘택 플러그를 형성하는 단계 전에,상기 기판의 제 1 영역 상의 상기 반도체층 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 및상기 필드 절연층 상에 레지스터를 형성하는 단계를 더 포함하는, 무선주파수 소자의 제조방법

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-1131414-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20100910 출원 번호 : 1020100088688 공고 연월일 : 20120403 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20120319 청구범위의 항수 : 16 유별 : H01L 29/06 발명의 명칭 : 무선주파수 소자 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20170323

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 한국과학기술원 대전광역시 유성구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	334,500 원	2012년 03월 22일	납입
제 4 년분	금 액	274,400 원	2014년 12월 01일	납입
제 5 년분	금 액	274,400 원	2015년 12월 24일	납입

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2010.09.10	수리 (Accepted)	1-1-2010-0588630-16
2	선행기술조사의뢰서	2011.08.11	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2011.09.20	수리 (Accepted)	9-1-2011-0077273-55
4	등록결정서	2012.03.19	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0159437-75
5	출원인정보변경(경정)신고서	2013.02.01	수리 (Accepted)	4-1-2013-5019983-17
6	출원인정보변경(경정)신고서	2014.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2014-5158129-58
7	출원인정보변경(경정)신고서	2014.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2014-5157993-01
8	출원인정보변경(경정)신고서	2014.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2014-5157968-69
9	출원인정보변경(경정)신고서	2019.04.24	수리 (Accepted)	4-1-2019-5081392-49
10	출원인정보변경(경정)신고서	2020.05.15	수리 (Accepted)	4-1-2020-5108396-12
11	출원인정보변경(경정)신고서	2020.06.12	수리 (Accepted)	4-1-2020-5131486-63

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