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기판 표면을 따라 제1 방향으로 연장되게 배치된 제1 전극;상기 제1 전극 상에서 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 제2 전극; 및 반데르발스 접합을 통해 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 고정되고, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극에 인가되는 전압차를 기초로 전류의 흐름을 제어하는 스위칭 입자를 포함하는, 전자 소자
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제1항에 있어서, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 각각 서로 독립적으로 탄소나노뷰트 또는 금속 나노와이어로 형성된 것을 특징으로 하는, 전자 소자
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제1항에 있어서, 상기 스위칭 입자는 전기 전도성을 갖는 금속 코어 입자 및 상기 금속 코어 입자의 표면을 피복하는 절연막을 포함하는 것을 특징으로 하는, 전자 소자
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제3항에 있어서, 상기 금속 코어 입자는 금(Au), 은(Ag), 니켈(Ni), 구리(Cu) 및 알루미늄(Al)으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나의 금속으로 형성되고,상기 절연막은 전기 절연성을 갖는 금속산화물, 금속질화물 또는 유기재료로 형성된 것을 특징으로 하는, 전자 소자
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5
제4항에 있어서,상기 절연막은 상기 금속 코어 입자를 이루는 금속의 산화물로 형성된 것을 특징으로 하는, 전자 소자
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제3항에 있어서, 상기 금속 코어 입자는 10 nm 내지 1000 nm의 직경을 가지고,상기 절연막은 1 nm 내지 100 nm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는, 전자 소자
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제1항에 있어서,상기 스위칭 입자는 양자점을 포함하는 것을 특징으로 하는, 전자 소자
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기판 표면을 따라 제1 방향으로 연장된 선형 제1 전극을 형성하는 제1 단계; 상기 제1 전극 상에 스위칭 입자를 형성하는 제2 단계; 및 상기 스위칭 입자 상에 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 제2 전극을 형성하는 제3 단계를 포함하는, 전자 소자의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 스위칭 입자들은 전기화학적 증착 공정을 통해 상기 제1 전극 상에 금속 코어 입자를 형성하는 단계 및 상기 금속 코어 입자를 산화시키는 단계를 통해 형성되는 것을 특징으로 하는, 전자 소자의 제조방법
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10
제8항에 있어서, 상기 스위칭 입자들은 양자점이 분산된 용액을 상기 제1 전극 상에 도포한 후 건조하여 형성되는 것을 특징으로 하는, 전자 소자의 제조방법
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11
제8항에 있어서, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 각각 서로 독립적으로 건식 전사의 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는, 전자 소자의 제조방법
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기판 표면을 따라 제1 방향으로 연장되게 배치된 제1 전극;상기 제1 전극 상에서 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 제2 전극; 및 반데르발스 접합을 통해 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 접합되고, 시스 이성질체(cis-isomer) 및 트랜스 이성질체(trans-isomer) 사이의 가역적으로 변환함으로써 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 흐르는 전류의 흐름을 제어하는 스위칭 분자를 포함하는, 전자 소자
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제12항에 있어서, 상기 스위칭 분자는 아조벤제(Azobenzene)을 포함하는 것을 특징으로 하는, 전자 소자
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제13항에 있어서, 상기 스위칭 분자의 입체구조는 분자 양단에 인가되는 전압차 또는 인가되는 광의 파장에 의해 변환되는 것을 특징으로 하는, 전자 소자
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