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이중 금속 도파로 소자 및 이를 이용한 나노 플라즈모닉 집적회로

  • 기술번호 : KST2014027655
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이중 금속 도파로 소자 및 이를 이용한 나노 플라즈모닉 집적회로에 관한 것으로, 광 도파로로부터 입력받은 광 신호를 집속하고, 이를 표면 플라즈모닉 폴라리톤 신호로 변환하고 이를 적절한 크기로 변환, 입력하는 집속 입력 이중금속테이퍼, 집속된 표면 플라즈몬 플라리톤(SPP) 신호를 전송하기 위한 이중금속도파로, 표면 플라즈모닉 폴라리톤(SPP) 신호를 탈집속하고 광 신호로 변환하여 출력하는 출력 이중금속테이퍼를 포함하는 이중 금속 도파로 소자와 이를 이용한 나노 플라즈모닉 집적 회로 모듈을 제공함으로써 초소형, 저전력, 저비용의 고집적 광자 회로의 구현을 이루었다는 점에서 의의가 있다. 나노 플라즈모닉, 도파로, 테이퍼(Taper), 이중 금속
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) G02B 6/12 (2006.01)
CPC G02B 6/1226(2013.01) G02B 6/1226(2013.01) G02B 6/1226(2013.01) G02B 6/1226(2013.01)
출원번호/일자 1020090003057 (2009.01.14)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1055469-0000 (2011.08.02)
공개번호/일자 10-2010-0083595 (2010.07.22) 문서열기
공고번호/일자 (20110808) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.01.14)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이명현 대한민국 서울특별시 강남구
2 박해령 대한민국 경기도 화성시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김인철 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 **, 매강빌딩*층 에이치앤에이치 H&H 국제특허법률사무소 (서초동)
2 특허법인세하 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로**길 **, *층 (서초동, 서초다우빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2009-0024514-21
2 [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Sub-agent] Report on Agent (Representative)
2010.06.04 수리 (Accepted) 1-1-2010-0360275-19
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.07.16 수리 (Accepted) 9-1-2010-0045230-74
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0538842-18
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.01.24 수리 (Accepted) 1-1-2011-0055886-64
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.01.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0055866-51
8 등록결정서
Decision to grant
2011.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0412963-58
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
나노 플라즈모닉 집적 회로 모듈에 있어서, 광 도파로로부터 입력받은 광 신호를 집속하고, 이를 표면 플라즈모닉 폴라리톤 신호로 변환하고 이를 수에서 수십 마이크론 또는 나노 크기로 집속하는 입력 이중금속테이퍼(Taper); 상기 집속된 표면 플라즈몬 플라리톤 신호를 전송하기 위한 표면 플라즈모닉 폴라리톤 도파로; 상기 표면 플라즈모닉 폴라리톤 도파로를 통하여 전송되는 표면 플라즈몬 플라리톤 신호를 감지하고 처리하는 신호 감지 및 처리부; 및 상기 표면 플라즈모닉 폴라리톤 신호로 탈집속하고 이를 광 신호로 변환하여 출력하는 출력 이중금속테이퍼를 포함하되, 상기 입력 이중금속테이퍼 또는 상기 출력 이중금속테이퍼는, 제1 금속층; 상기 제1 금속층 상에 형성된 유전체층; 및 상기 유전체층 상에 형성되는 한편, 일단 및 타단을 포함하고, 상기 일단에서 상기 타단으로 갈수록 그 폭이 좁아지는 형태의 제2 금속층을 포함하되, 상기 제2 금속층의 일단에서는 광 신호와 SPP 광 신호 간 모드 변환이 이루어지며, 수 내지 서브 마이크론 크기의 SPP 광 신호가 상기 일단에서 타단으로 진행하면서 수에서 수십 마이크론 또는 나노 크기의 SPP 광 신호로 포커싱되는 것을 특징으로 하는 나노 플라즈모닉 집적 회로 모듈
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1 금속층 또는 제2 금속층은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al) 또는 구리(Cu) 중 어느 하나의 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노 플라즈모닉 집적 회로 모듈
4 4
제1항에 있어서, 상기 유전체층은 실리콘(Si), 석영(SiO2) 또는 폴리머(Polymer) 중 어느 하나의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노 플라즈모닉 집적 회로 모듈
5 5
제1항에 있어서, 상기 제1 금속층과 유전체층은 일단 및 타단을 포함하고, 상기 일단에서 상기 타단으로 갈수록 그 폭이 좁아지는 형태를 가지는 것을 특징으로 하는 나노 플라즈모닉 집적 회로 모듈
6 6
제1항에 있어서, 상기 제1 금속층과 유전체층은 스트립(Strip) 형태의 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 나노 플라즈모닉 집적 회로 모듈
7 7
제1항에 있어서, 상기 표면 플라즈모닉 폴라리톤 도파로는, 제1 금속층; 상기 제1 금속층 상에 형성된 유전체층; 및 상기 유전체층 상에 형성되는 제2 금속층으로 구성되는 이중 금속 도파로인 것을 특징으로 하는 나노 플라즈모닉 집적 회로 모듈
8 8
제1 금속층; 상기 제1 금속층 상에 형성된 유전체층; 및 상기 유전체층 상에 형성되는 한편, 일단 및 타단을 포함하고, 상기 일단에서 상기 타단으로 갈수록 그 폭이 좁아지는 형태의 제2 금속층을 포함하되, 상기 제2 금속층의 일단에서는 광 신호와 SPP 광 신호 간 모드 변환이 이루어지며, 수 내지 서브 마이크론 크기의 SPP 광 신호가 상기 일단에서 타단으로 진행하면서 수에서 수십 마이크론 또는 나노 크기의 SPP 광 신호로 포커싱되는 것을 특징으로 하는 이중 금속 도파로 소자
9 9
제8항에 있어서, 상기 제1 금속층 또는 제2 금속층은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al) 또는 구리(Cu) 중 어느 하나의 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 이중 금속 도파로 소자
10 10
제8항에 있어서, 상기 유전체층은 실리콘(Si), 석영(SiO2) 또는 폴리머(Polymer) 중 어느 하나의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 이중 금속 도파로 소자
11 11
제8항에 있어서, 상기 제1 금속층과 유전체층은 스트립(Strip) 형태의 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 이중 금속 도파로 소자
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 정보통신연구진흥원 성균관대학교 산학협력단 IT 원천기술개발사업 NPIC 기술 구현을 위한 금속 광도파로간 접속 기술 및 처리소자 기술 연구