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(ⅰ) Ce/(Ce+Bi)가 0
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제 1항에 있어서, 습식 증착방법은 유기용매를 이용한 액적화학증착법(LSMCD, liquid source misted chemical deposition), 졸-겔법(sol-gel) 또는 유기금 속분해법(MOD, metalorganic decomposition)인 것을 특징으로 하는 비스무스-세리움 티탄산([Bi,Ce]4Ti3O12) 박막의 제조방법
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제 2항에 있어서, 유기용매는 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 부탄올, 2-메톡 시에탄올, 톨루엔, 벤젠, 페놀, 2-에틸헥사논산, 아세톤 또는 아세틸 아세토네이트인 것을 특징으로 하는 비스무스-세리움 티탄산([Bi,Ce]4Ti3O12) 박막의 제조방법
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제 1항에 있어서, 건식 증착방법은 유기금속기상화학증착법(MOCVD, metalorganic chemical vapor deposition), 레이저 어블레이션법(laser ablation), 휘발법(evaporation) 또는 스퍼터링법(sputtering)인 것을 특징으로 하는 비스무스-세리움 티탄산([Bi,Ce]4Ti3O12) 박막의 제조방법
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제 1항에 있어서, 기판은 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 철(Fe), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 백금(Pt), 니켈(Ni), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au) 또는 전기 금속의 산화물이 80 내지 120nm 두께로 코팅된 실리콘(Si) 웨이 퍼(wafer)인 것을 특징으로 하는 비스무스-세리움 티탄산([Bi,Ce]4Ti3O12) 박막의 제조방법
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제 1항에 있어서, 열처리는 공기, 산소, 질소, 수증기, 비활성기체, 아산화질소, 오존, 암모니아, 일산화질소, 이산화질소, 황화수소 또는 일산화탄소로 포화 된 대기에서 수행하는 것을 특징으로 하는 비스무스-세리움 티탄산([Bi,Ce]4Ti3O12) 박막의 제조방법
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제 1항의 방법에 의하여 제조된 비스무스-세리움 티탄산 박막에, La, Pr, Nd, Sm 또는 Eu을 증착시키는 공정을 추가로 포함하는 비스무스-세리움 티탄산([Bi,Ce]4Ti3O12) 박막의 제조방법
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제 1항의 방법에 의하여 제조된 비스무스-세리움 티탄산 박막을 반응성 이온 플라즈마 또는 저압 고밀도 플라즈마를 이용하여 처리하는 공정을 추가로 포함하는 비스무스-세리움 티탄산([Bi,Ce]4Ti3O12) 박막의 제조방법
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제 1항의 방법으로 제조된 비휘발성 강유전체 랜덤 억세스 메모리의 캐패시터용 비스무스-세리움 티탄산([Bi,Ce]4Ti3O12) 박막
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제 7항의 방법으로 제조된 비휘발성 강유전체 랜덤 억세스 메모리의 캐패시터용 비스무스-세리움 티탄산([Bi,Ce]4Ti3O12) 박막
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11
제 8항의 방법으로 제조된 비휘발성 강유전체 랜덤 억세스 메모리의 캐패시터용 비스무스-세리움 티탄산([Bi,Ce]4Ti3O12) 박막
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