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스트론튬, 납 또는 티탄산을 포함하는 전구물질을 수득하는 공정; 전구물질을 0 내지 800℃ 및 1x10-9 내지 100기압의 조건에서 반도체 기판위에, 건식증착법 또는 습식증착법에 의하여 증착하는 공정; 및, 증착된 박막을 열처리하는 공정을 포함하는 스트론튬-납 티탄산 박막의 제조방법
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제 5항에 있어서, 건식증착법인 경우에, 전구물질은 각각 스트론튬, 납 및 티타늄이거나; 또는, 스트론튬을 포함하는 금속화합물, 납을 포함하는 금속화합물 및 티타늄을 포함하는 금속화합물로 구성된 그룹으로부터 선택되는 하나 또는 둘 이상의 물질인 것을 특징으로 하는 스트론튬-납 티탄산 박막의 제조방법
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제 5항에 있어서, 습식증착법인 경우에, 전구물질은 각각 스트론튬, 납 또는 티타늄을 포함하는 금속화합물을 탄소를 1개 내지 10개를 함유하는 유기용매에 용해시켜 수득하는 것을 특징으로 하는 스트론튬-납 티탄산 박막의 제조방법
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제 7항에 있어서, 유기용매는 메탄올(methanol), 에탄올(ethanol), 프로판올(propanol), 이소프로판올(i-propanol), 부탄올(butanol), 2-메톡시에탄올(2-methoxyethanol), 톨루엔(toluene), 벤젠(benzene), 페놀(phenol), 2-에틸헥사논산(2-ethylhexanoic acid), 아세톤(acetone) 및 아세틸아세토네이트(acetylacetonate)으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 물질인 것을 특징으로 하는 스트론튬-납 티탄산 박막의 제조방법
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제 5항에 있어서, 증착은 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 철(Fe), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 백금(Pt), 니켈(Ni), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au) 또는 이들 금속의 산화물 위에 이루어지는 것을 특징으로 하는 스트론튬-납 티탄산 박막의 제조방법
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제 5항에 있어서, 열처리공정의 분위기 기체는 대기(air), 수증기, 비활성기체(inert gas), 산소(O2), 오존(O3), 질소(N2), 아산화질소(N2O), 일산화질소(NO), 이산화질소(NO2), 암모니아(NH3), 황화수소(H2S) 또는 일산화탄소(CO)인 것을 특징으로 하는 스트론튬-납 티탄산 박막의 제조방법
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제 5항에 있어서, 열처리는 1 내지 600℃/분의 속도로, 0 내지 800℃까지 상승 또는 하강시켜 수행되는 것을 특징으로 하는 스트론튬-납 티탄산 박막의 제조방법
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