맞춤기술찾기

이전대상기술

커패시터리스 디램 소자

  • 기술번호 : KST2015113631
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 메모리 소자 등에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 커패시터리스 디램 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 커패시터리스 디램은 일함수가 큰 게이트 전극을 이용한다. 이를 통해 낮은 전압으로 게이트 유도 드레인 누설전류(Gate Induced Drain Leakage)를 발생시켜 메모리의 상태를 구분한다. 낮은 전압 구동을 통해 전력 소모를 줄일 수 있을 뿐만 아니라 상태 검출 여유 또한 증가한다. 커패시터리스 디램(Capacitorless 1-T DRAM), 큰 일함수 게이트, 게이트 유도 드레인 누설전류(Gate Induced Drain Leakage), 핀(fin) 구조 부유 바디
Int. CL H01L 27/108 (2006.01) H01L 27/10 (2006.01)
CPC H01L 27/10802(2013.01) H01L 27/10802(2013.01) H01L 27/10802(2013.01) H01L 27/10802(2013.01)
출원번호/일자 1020090041183 (2009.05.12)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1064229-0000 (2011.09.05)
공개번호/일자 10-2010-0122243 (2010.11.22) 문서열기
공고번호/일자 (20110914) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.05.12)
심사청구항수 9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 최양규 대한민국 대전 유성구
2 문동일 대한민국 대전 유성구
3 한진우 대한민국 대전 유성구
4 최성진 대한민국 대전 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.05.12 수리 (Accepted) 1-1-2009-0283332-71
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.05.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.06.17 수리 (Accepted) 9-1-2010-0038824-19
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.02.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0074341-30
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0257825-72
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.04.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0257824-26
7 등록결정서
Decision to grant
2011.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0490430-42
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 형성된 정공 배리어 물질을 포함한 기판; 상기 정공 배리어 물질 상에 형성된 부유 바디; 상기 부유 바디 좌우에 형성된 소오스와 드레인; 및 상기 부유 바디 표면상에 형성된 게이트구조체를 포함하고, 상기 소오스와 드레인은 N형 도펀트가 도핑되어 형성되고, 상기 게이트구조체는 P형 폴리실리콘인, 커패시터리스 디램 소자
2 2
제 1항에 있어서, 정공 배리어 물질은 매립된 산화물(buried oxide), 매립된 n형 우물(buried n-well), 매립된 Si:C(buried Si:C) 또는 매립된 Si:Ge(buried Si:Ge) 중 어느 하나로 이루어진 커패시터리스 디램 소자
3 3
제 1항에 있어서, 상기 기판은 P형 실리콘 기판이고, 상기 게이트구조체는 상기 기판보다 도펀트의 농도가 높은 P형 폴리실리콘인, 커패시터리스 디램 소자
4 4
제 1항에 있어서, 부유 바디는 평면형 부유 바디로 이루어진 커패시터리스 디램 소자
5 5
제 1항에 있어서, 부유 바디는 핀(Fin)형 부유 바디로 이루어진 커패시터리스 디램 소자
6 6
제 4항에 있어서, 상기 평면형 부유 바디 하부의 기판은 백 게이트(back gate)로 작용하는 커패시터리스 디램 소자
7 7
제 5항에 있어서, 상기 핀(Fin)형 부유 바디의 좌측과 우측에 형성된 독립된 2개의 게이트를 더 포함하는 커패시터리스 디램 소자
8 8
기판 상에 형성된 정공 배리어 물질을 포함한 기판; 상기 정공 배리어 물질 상에 형성된 부유 바디; 상기 부유 바디 좌우에 형성된 소오스와 드레인; 및 상기 부유 바디 표면상에 형성된 게이트구조체를 포함하고, 상기 소오스와 드레인은 N형 도펀트가 도핑되어 형성되며, 상기 게이트구조체는 금속인, 커패시터리스 디램 소자
9 9
제 8항에 있어서, 상기 금속은 Ni, Ti, Au, Ta, W, Ag, TiN, TaN 중 어느 하나로 이루어진 커패시터리스 디램 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.