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박막증착방법

  • 기술번호 : KST2015134861
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 박막증착장치와 이를 이용한 박막증착방법이 개시된다. 챔버는 내부에 수용부가 형성되며, 챔버의 내표면에는 하프늄 산화물이 형성되도록 한다. 서셉터는 챔버의 내부에 설치되며, 기판이 안착된다. 가스 분사장치는 서셉터의 상부에 설치되며, 챔버 내부로 가스를 공급한다. 본 발명에 따르면, GST는 하프늄 산화물 상에서 거의 증착되지 않으므로 하프늄 산화물이 형성된 챔버 내표면에 GST 박막이 증착되지 않게 된다. 따라서 원하지 않는 박막이 챔버 내표면에 증착되어 발생하는 박리현상이 발생하지 않게 된다. 박리, 챔버실드, GST, 세정
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01) C23C 16/455 (2006.01.01)
CPC H01L 21/02181(2013.01) H01L 21/02181(2013.01) H01L 21/02181(2013.01) H01L 21/02181(2013.01) H01L 21/02181(2013.01)
출원번호/일자 1020080081657 (2008.08.21)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1060606-0000 (2011.08.24)
공개번호/일자 10-2010-0023075 (2010.03.04) 문서열기
공고번호/일자 (20110831) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.08.21)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황철성 대한민국 경기 성남시 분당구
2 최병준 대한민국 서울 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)
2 박보경 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0594377-96
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.05.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.06.17 수리 (Accepted) 9-1-2010-0037891-90
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0318691-16
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.09.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0577483-32
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.09.06 수리 (Accepted) 1-1-2010-0577448-44
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2010.12.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0588412-16
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.02.14 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-0101960-69
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0101946-29
10 등록결정서
Decision to grant		 2011.08.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0471971-30
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
수용부가 형성되어 있는 챔버; 상기 챔버의 내부에 설치되며, 기판이 안치되는 서셉터; 및 상기 서셉터의 상부에 설치되며, 상기 챔버 내부로 가스를 공급하는 가스 분사장치;를 포함하며, 상기 챔버의 내표면에 하프늄 산화물(HfO2)이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막증착장치를 이용하는 박막증착방법으로서, 상기 서셉터 상면에 기판을 안치하는 단계; 및 상기 기판 상에 Ge, Sb 및 Te 중 적어도 두 개가 포함된 박막을 증착하는 단계를 포함하여, 상기 챔버의 내표면에 원하지 않는 박막이 증착되어 발생하는 박리현상이 발생하지 않도록 하는 것을 특징으로 하는 박막증착방법
2 2
수용부가 형성되어 있는 챔버; 상기 챔버의 내부에 설치되며, 기판이 안치되는 서셉터; 상기 서셉터의 상부에 설치되며, 상기 챔버 내부로 가스를 공급하는 가스 분사장치; 및 상기 챔버의 내부에 설치되며, 표면에 하프늄 산화물이 형성되어 있는 챔버실드;를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치를 이용하는 박막증착방법으로서, 상기 서셉터 상면에 기판을 안치하는 단계; 및 상기 기판 상에 Ge, Sb 및 Te 중 적어도 두 개가 포함된 박막을 증착하는 단계를 포함하여, 상기 챔버의 내표면에 원하지 않는 박막이 증착되어 발생하는 박리현상이 발생하지 않도록 하는 것을 특징으로 하는 박막증착방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 챔버는 내표면에 하프늄 산화물이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막증착방법
4 4
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 서셉터의 표면에 하프늄 산화물이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막증착방법
5 5
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 가스 분사장치의 표면에 하프늄 산화물이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막증착방법
6 6
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