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반도체 성장용 기판;상기 기판 상에 형성되며, 상기 기판으로부터 상부를 향하여 성장된 복수의 주상 결정이 인접한 다른 주상 결정과 결정입계를 이루는 구조를 갖는 AlxInyGa1-x-yN층 (0 ≤ x 003c# 1, 0 003c# y 003c# 1);상기 AlxInyGa1-x-yN층 상에 순차적으로 형성된 제1 도전형 질화물 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 질화물 반도체층; 및상기 제1 및 제2 도전형 반도체층과 각각 전기적으로 연결된 제1 및 제2 전극;을 포함하며,상기 AlxInyGa1-x-yN층에서 상기 결정입계에 해당하는 영역에서의 In의 양은 상기 주상 결정에 해당하는 영역에서의 In의 양보다 많은 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제1항에 있어서,상기 AlxInyGa1-x-yN층에서 상기 기판과의 계면에 해당하는 영역 중 일부에는 캐비티가 형성되어 상기 기판과의 접촉 면적이 감소된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제1항에 있어서,상기 결정입계 중 적어도 일부는 상기 기판 상면에 대하여 수직으로 배치된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제1항에 있어서,상기 제1 도전형 반도체층은 GaN으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제1항에 있어서,상기 AlxInyGa1-x-yN층 중 적어도 일부 영역은 상기 기판에서 멀어지는 방향으로 갈수록 In의 양이 감소되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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6
제1항에 있어서,상기 복수의 주상 결정 중 적어도 하나는 내부에서의 In 분포가 불균일한 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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반도체 성장용 기판 상에 In을 포함하는 질화물로 이루어진 기저층을 형성하는 단계;상기 기저층 상에 상기 기판으로부터 상부를 향하여 성장된 복수의 주상 결정이 인접한 다른 주상 결정과 결정입계를 이루는 구조를 갖는 AlxGa1-xN층 (0 ≤ x 003c# 1)을 형성하는 단계;상기 AlxGa1-xN층 상에 상기 AlxGa1-xN층보다 높은 성장 온도에서 AlyGa1-yN층 (0 ≤ y 003c# 1)을 성장시키는 단계; 및상기 AlyGa1-yN층 상에 발광부를 형성하는 단계;를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법
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8
제7항에 있어서,상기 기저층은 InN으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법
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제7항에 있어서,상기 AlyGa1-yN층의 성장 과정에서 상기 기저층은 분해되어 In이 상기 AlxGa1-xN층으로 확산되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법
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10
제9항에 있어서,상기 AlxGa1-xN층으로 확산된 In은 상기 주상 결정보다 상기 결정입계에 더 많은 양이 분포하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법
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11
제9항에 있어서,상기 AlyGa1-yN층의 성장 과정에서 상기 기저층의 적어도 일부 영역은 캐비티로 변화되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법
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제11항에 있어서,상기 캐비티는 AlxGa1-xN층과 상기 기판의 계면에 해당하는 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법
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13
제7항에 있어서,상기 발광부는 제1 도전형 질화물 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 질화물 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법
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제7항에 있어서,상기 기저층은 450 ~ 650℃의 온도 조건에서 성장되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법
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제7항에 있어서,상기 AlxGa1-xN층은 450 ~ 650℃의 온도 조건에서 성장되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법
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제15항에 있어서,상기 AlyGa1-yN층은 1000℃ 이상의 온도 조건에서 성장되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법
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제7항에 있어서,상기 기저층은 아일랜드 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법
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제7항에 있어서,상기 AlxGa1-xN층은 GaN으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법
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제7항에 있어서,상기 AlyGa1-yN층은 GaN으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법
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