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SrRuO3 전극의 제조 방법, 캐패시터의 제조 방법, 및 반도체 소자
- 기술번호 : KST2015136271
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 본 발명은 SrRuO3 전극의 제조 방법, 캐패시터의 제조 방법, 및 반도체 소자에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 챔버 내에서 기판 상에 SrO 막을 형성하는 원자층증착 서브 싸이클을 m 회(m 은 1 이상의 정수임) 수행하는 제 1 단계; 및 상기 챔버와 동일 챔버 내에서, 상기 제 1 단계와 교번하여 상기 기판 상에 RuO2 막을 형성하는 화학기상증착 서브 싸이클을 n 회(n은 1 이상의 정수임) 수행하는 제 2 단계를 포함하는 슈퍼 싸이클을 적어도 l 회 이상 반복하는 SrRuO3 막의 제조 방법이 제공된다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 27/108 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01) |
| CPC | H01L 21/0228(2013.01) H01L 21/0228(2013.01) H01L 21/0228(2013.01) H01L 21/0228(2013.01) H01L 21/0228(2013.01) H01L 21/0228(2013.01) H01L 21/0228(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020120147637 (2012.12.17) |
| 출원인 | 서울대학교산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1428017-0000 (2014.08.01) |
| 공개번호/일자 | 10-2014-0092421 (2014.07.24) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20140811) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2012.12.17) |
| 심사청구항수 | 16 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 서울대학교산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 황철성 | 대한민국 | 서울 강남구 |
| 2 | 한정환 | 대한민국 | 서울특별시 금천구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김권석 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 논현로**, B동 *층(양재동, 삼호물산빌딩)(아이피맥스특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 서울대학교산학협력단 | 서울특별시 관악구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2012.12.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-1049678-46 |
| 2 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2012.12.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-1049526-15 |
| 3 | 보정요구서 Request for Amendment |
2013.01.02 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2013-0000149-28 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
| 5 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0098214-24 |
| 6 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2013.12.13 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0867699-16 |
| 7 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2014.02.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0144098-72 |
| 8 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2014.03.14 | 불수리 (Non-acceptance) | 1-1-2014-0245674-52 |
| 9 | 서류반려이유통지서 Notice of Reason for Return of Document |
2014.03.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2014-0044491-83 |
| 10 | 서류반려통지서 Notice for Return of Document |
2014.04.17 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2014-0064083-26 |
| 11 | 거절결정서 Decision to Refuse a Patent |
2014.04.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0278408-33 |
| 12 | [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration) |
2014.05.26 | 수리 (Accepted) | 7-1-2014-0019393-22 |
| 13 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2014.06.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-5020629-81 |
| 14 | [명세서등 보정]보정서(재심사) Amendment to Description, etc(Reexamination) |
2014.06.23 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2014-5020716-55 |
| 15 | [출원서등 보정]보정서(납부자번호) [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number) |
2014.07.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0656469-27 |
| 16 | 보정요구서 Request for Amendment |
2014.07.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2014-0115714-13 |
| 17 | 등록결정서 Decision to Grant Registration |
2014.07.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0524416-58 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
| 20 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
| 21 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
| 22 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 챔버 내에서 기판 상에 SrO 막을 형성하는 원자층증착 서브 싸이클을 m 회(m은 1 이상의 정수임) 수행하는 제 1 단계; 및상기 챔버와 동일 챔버 내에서, 상기 제 1 단계와 교번하여 상기 기판 상에 RuO2 막을 형성하는 화학기상증착 서브 싸이클을 n 회(n은 1 이상의 정수임) 수행하는 제 2 단계를 포함하는 슈퍼 싸이클을 적어도 l 회 이상 반복하며,상기 원자층증착 서브 싸이클은,상기 기판 상으로 Sr 함유 전구체를 공급하는 단계;상기 챔버 내에 잔류하는 가스를 퍼지하는 단계;상기 기판 상으로 산소 함유 가스를 공급하는 단계; 및상기 챔버 내에 잔류하는 가스를 퍼지하는 단계를 포함하고,상기 화학기상증착 서브 싸이클은,상기 기판 상으로 Ru 함유 산화 전구체를 공급하여 상기 Ru 함유 산화 전구체의 열분해 또는 환원에 의해 상기 RuO2 막을 형성하는 단계; 및상기 챔버 내에 잔류하는 가스를 퍼지하는 단계를 포함하는 SrRuO3 막의 제조 방법 |
| 2 |
2 챔버 내에서 기판 상에 SrO 막을 형성하는 원자층증착 서브 싸이클을 m 회(m은 1 이상의 정수임) 수행하는 제 1 단계; 및상기 챔버와 동일 챔버 내에서, 상기 제 1 단계와 교번하여 상기 기판 상에 RuO2 막을 형성하는 화학기상증착 서브 싸이클을 n 회(n은 1 이상의 정수임) 수행하는 제 2 단계를 포함하는 슈퍼 싸이클을 적어도 l 회 이상 반복하며,상기 원자층증착 서브 싸이클은,상기 기판 상으로 Sr 함유 전구체를 공급하는 단계;상기 챔버 내에 잔류하는 가스를 퍼지하는 단계;상기 기판 상으로 산소 함유 가스를 공급하는 단계; 및상기 챔버 내에 잔류하는 가스를 퍼지하는 단계를 포함하고,상기 화학기상증착 서브 싸이클은,상기 기판 상으로 상기 RuO2 막의 형성이 가능한 Ru 함유 산화 전구체를 공급하는 단계; 및상기 챔버 내에 잔류하는 가스를 퍼지하는 단계를 포함하며,상기 Sr 함유 전구체는 Bis(Tris-isopropylcyclopentadienyl)Strontium 및 Sr(C11H19O2)2 중 어느 하나 또는 이들의 조합을 포함하며,상기 산소 함유 가스는 O2, H2O 및 O3 중 어느 하나 또는 이들의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 SrRuO3 막의 제조 방법 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서,상기 Ru 함유 산화 전구체는 Tris(2,4-octanedionato)ruthenium 및 RuO4 중 어느 하나 또는 이들의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 SrRuO3 막의 제조 방법 |
| 4 |
4 챔버 내에서 기판 상에 SrO 막을 형성하는 원자층증착 서브 싸이클을 m 회(m은 1 이상의 정수임) 수행하는 제 1 단계; 및상기 챔버와 동일 챔버 내에서, 상기 제 1 단계와 교번하여 상기 기판 상에 RuO2 막을 형성하는 화학기상증착 서브 싸이클을 n 회(n은 1 이상의 정수임) 수행하는 제 2 단계를 포함하는 슈퍼 싸이클을 적어도 l 회 이상 반복하며,상기 원자층증착 서브 싸이클은,상기 기판 상으로 Sr 함유 전구체를 공급하는 단계;상기 챔버 내에 잔류하는 가스를 퍼지하는 단계;상기 기판 상으로 산소 함유 가스를 공급하는 단계; 및상기 챔버 내에 잔류하는 가스를 퍼지하는 단계를 포함하고,상기 화학기상증착 서브 싸이클은,상기 기판 상으로 상기 RuO2 막의 형성이 가능한 Ru 함유 산화 전구체를 공급하는 단계; 및상기 챔버 내에 잔류하는 가스를 퍼지하는 단계를 포함하며,상기 m과 n의 비(m/n)의 크기를 조절하여 Sr과 Ru의 조성비를 제어하는 것을 특징으로 하는 SrRuO3 막의 제조 방법 |
| 5 |
5 챔버 내에서 기판 상에 SrO 막을 형성하는 원자층증착 서브 싸이클을 m 회(m은 1 이상의 정수임) 수행하는 제 1 단계; 및상기 챔버와 동일 챔버 내에서, 상기 제 1 단계와 교번하여 상기 기판 상에 RuO2 막을 형성하는 화학기상증착 서브 싸이클을 n 회(n은 1 이상의 정수임) 수행하는 제 2 단계를 포함하는 슈퍼 싸이클을 적어도 l 회 이상 반복하며,상기 원자층증착 서브 싸이클은,상기 기판 상으로 Sr 함유 전구체를 공급하는 단계;상기 챔버 내에 잔류하는 가스를 퍼지하는 단계;상기 기판 상으로 산소 함유 가스를 공급하는 단계; 및상기 챔버 내에 잔류하는 가스를 퍼지하는 단계를 포함하고,상기 화학기상증착 서브 싸이클은,상기 기판 상으로 상기 RuO2 막의 형성이 가능한 Ru 함유 산화 전구체를 공급하는 단계; 및상기 챔버 내에 잔류하는 가스를 퍼지하는 단계를 포함하며,상기 m과 n의 비(m/n)는 3 내지 9의 범위 내인 것을 특징으로 하는 SrRuO3 막의 제조 방법 |
| 6 |
6 챔버 내에서 기판 상에 SrO 막을 형성하는 원자층증착 서브 싸이클을 m 회(m은 1 이상의 정수임) 수행하는 제 1 단계; 및상기 챔버와 동일 챔버 내에서, 상기 제 1 단계와 교번하여 상기 기판 상에 RuO2 막을 형성하는 화학기상증착 서브 싸이클을 n 회(n은 1 이상의 정수임) 수행하는 제 2 단계를 포함하는 슈퍼 싸이클을 적어도 l 회 이상 반복하며,상기 원자층증착 서브 싸이클은,상기 기판 상으로 Sr 함유 전구체를 공급하는 단계;상기 챔버 내에 잔류하는 가스를 퍼지하는 단계;상기 기판 상으로 산소 함유 가스를 공급하는 단계; 및상기 챔버 내에 잔류하는 가스를 퍼지하는 단계를 포함하고,상기 화학기상증착 서브 싸이클은,상기 기판 상으로 상기 RuO2 막의 형성이 가능한 Ru 함유 산화 전구체를 공급하는 단계; 및상기 챔버 내에 잔류하는 가스를 퍼지하는 단계를 포함하며,상기 m과 n의 비(m/n)는 6인 것을 특징으로 하는 SrRuO3 막의 제조 방법 |
| 7 |
7 챔버 내에서 기판 상에 SrO 막을 형성하는 원자층증착 서브 싸이클을 m 회(m은 1 이상의 정수임) 수행하는 제 1 단계; 및상기 챔버와 동일 챔버 내에서, 상기 제 1 단계와 교번하여 상기 기판 상에 RuO2 막을 형성하는 화학기상증착 서브 싸이클을 n 회(n은 1 이상의 정수임) 수행하는 제 2 단계를 포함하는 슈퍼 싸이클을 적어도 l 회 이상 반복하며,상기 원자층증착 서브 싸이클은,상기 기판 상으로 Sr 함유 전구체를 공급하는 단계;상기 챔버 내에 잔류하는 가스를 퍼지하는 단계;상기 기판 상으로 산소 함유 가스를 공급하는 단계; 및상기 챔버 내에 잔류하는 가스를 퍼지하는 단계를 포함하고,상기 화학기상증착 서브 싸이클은,상기 기판 상으로 상기 RuO2 막의 형성이 가능한 Ru 함유 산화 전구체를 공급하는 단계; 및상기 챔버 내에 잔류하는 가스를 퍼지하는 단계를 포함하며,상기 Sr의 조성비는 45% 보다는 크고 60% 이하의 범위 내인 것을 특징으로 하는 SrRuO3 막의 제조 방법 |
| 8 |
8 제 1 항, 제 2 항, 및 제 4 항 내지 제 7 항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 제 1 단계의 공정 온도는 200 ℃ 내지 250 ℃의 범위 내인 것을 특징으로 하는 SrRuO3 막의 제조 방법 |
| 9 |
9 제 1 항, 제 2 항, 및 제 4 항 내지 제 7 항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 제 2 단계의 공정 온도는 상기 제 1 단계의 공정 온도의 윈도우 범위 내인 것을 특징으로 하는 SrRuO3 막의 제조 방법 |
| 10 |
10 제 2 항, 및 제 4 항 내지 제 7 항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 Ru 함유 산화 전구체는 열분해 또는 환원에 의해 상기 RuO2 막을 형성하는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 SrRuO3 막의 제조 방법 |
| 11 |
11 제 1 항, 제 2 항, 및 제 4 항 내지 제 7 항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 슈퍼 싸이클을 수행하기 이전에, 상기 기판 상에 결정질의 RuO2 버퍼막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 SrRuO3 막의 제조 방법 |
| 12 |
12 제 1 항, 제 2 항, 및 제 4 항 내지 제 7 항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 슈퍼 싸이클이 완료된 이후에, 결과물이 형성된 기판을 열처리하여 다결정질의 SrRuO3 막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 SrRuO3 막의 제조 방법 |
| 13 |
13 제 12 항에 있어서,상기 열처리는 550 ℃ 내지 750 ℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 SrRuO3 막의 제조 방법 |
| 14 |
14 제 12 항에 있어서,상기 열처리는 비산화성 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 SrRuO3 막의 제조 방법 |
| 15 |
15 제 1 항, 제 2 항, 및 제 4 항 내지 제 7 항 중 어느 하나의 항의 기재의 SrRuO3 막의 제조 방법에 의해 SrRuO3 막을 포함하는 하부 전극을 형성하는 단계;상기 SrRuO3 막을 열처리하여 결정화시키는 단계;상기 결정화된 SrRuO3 막 상에 SrTiO3 막을 원자층증착에 의해 형성하는 단계; 및상기 SrTiO3 막 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 캐패시터의 제조 방법 |
| 16 |
16 제 15 항에 있어서,상기 SrTiO3 막은 인-시츄 결정화되는 것을 특징으로 하는 캐패시터의 제조 방법 |
| 17 |
17 삭제 |
| 18 |
18 삭제 |
| 19 |
19 삭제 |
| 20 |
20 삭제 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 지식경제부 | 서울대학교 산학협력단 | 산업융합원천기술개발사업 | 양산성이 우수한 차세대 DRAM 커패시터 |
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1428017-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20121217 출원 번호 : 1020120147637 공고 연월일 : 20140811 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20140731 청구범위의 항수 : 16 유별 : H01L 21/8242 발명의 명칭 : SrRuO3 전극의 제조 방법, 캐패시터의 제조 방법, 및 반도체 소자 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 334,500 원 | 2014년 08월 01일 | 납입 |
| 제 4 - 6 년분 | 금 액 | 782,040 원 | 2016년 02월 24일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 364,620 원 | 2020년 08월 20일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [출원서등 보정]보정서 | 2012.12.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-1049678-46 |
| 2 | [특허출원]특허출원서 | 2012.12.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-1049526-15 |
| 3 | 보정요구서 | 2013.01.02 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2013-0000149-28 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
| 5 | [출원서등 보정]보정서 | 2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0098214-24 |
| 6 | 의견제출통지서 | 2013.12.13 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0867699-16 |
| 7 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2014.02.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0144098-72 |
| 8 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2014.03.14 | 불수리 (Non-acceptance) | 1-1-2014-0245674-52 |
| 9 | 서류반려이유통지서 | 2014.03.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2014-0044491-83 |
| 10 | 서류반려통지서 | 2014.04.17 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2014-0064083-26 |
| 11 | 거절결정서 | 2014.04.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0278408-33 |
| 12 | [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2014.05.26 | 수리 (Accepted) | 7-1-2014-0019393-22 |
| 13 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2014.06.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-5020629-81 |
| 14 | [명세서등 보정]보정서(재심사) | 2014.06.23 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2014-5020716-55 |
| 15 | [출원서등 보정]보정서(납부자번호) | 2014.07.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0656469-27 |
| 16 | 보정요구서 | 2014.07.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2014-0115714-13 |
| 17 | 등록결정서 | 2014.07.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0524416-58 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
| 20 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
| 21 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
| 22 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1415122184 |
|---|---|
| 세부과제번호 | KI002178 |
| 연구과제명 | 양산성이 우수한 차세대 DRAM 커패시터 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2012 |
| 연구기간 | 200903~201302 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
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중요키워드
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| 심판사항 정보가 없습니다 |
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