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MgB2합금의 원료 분말과 도핑용 이종원소 분말을 혼합하여 혼합 분말을 만드는 단계;
상기 혼합 분말에 대하여 기계적 합금법을 실시하는 단계; 및
기계적 합금법을 실시한 혼합 분말에 대하여 열처리를 실시하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이종원소가 도핑된 MgB2 초전도체 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 열처리 단계를 실시하기에 앞서 기계적 합금법을 실시한 혼합 분말을 성형하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이종원소가 도핑된 MgB2 초전도체 제조방법
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제2항에 있어서,
상기 혼합 분말을 성형하는 단계에서 상기 혼합 분말을 금속관에 분말 상태로 장입한 뒤에 스웨이징 또는 인발 가공을 통해 선재로 성형하는 것을 특징으로 하는 이종원소가 도핑된 MgB2 초전도체 제조방법
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제2항에 있어서,
상기 혼합 분말을 성형하는 단계에서 상기 혼합 분말을 가압하여 봉 형태로 만들어 금속관에 삽입한 뒤에 스웨이징 또는 인발 가공을 통해 선재로 성형하는 것을 특징으로 하는 이종원소가 도핑된 MgB2 초전도체 제조방법
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제2항에 있어서,
상기 혼합 분말을 성형하는 단계에서 상기 혼합 분말을 분말 상태 그대로 금속관에 삽입한 뒤에 스웨이징 또는 인발 가공을 통해 선재로 성형하는 것을 특징으로 하는 이종원소가 도핑된 MgB2 초전도체 제조방법
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제3항 또는 제4항에 있어서,
상기 스웨이징 및 인발 가공이 5~20%의 단계별 감소율로 반복 실시되는 것을 특징으로 하는 이종원소가 도핑된 MgB2 초전도체 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 혼합 분말을 만드는 단계에서 MgB2합금의 원료 분말이 MgB2 분말 또는 Mg 와 B를 1:2의 몰 비로 혼합한 분말인 것을 특징으로 하는 이종원소가 도핑된 MgB2 초전도체 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 혼합 분말을 만드는 단계에서 상기 도핑용 이종원소 분말이 C, 탄소계 화합물, Al 또는 Ti 분말 중에서 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 이종원소가 도핑된 MgB2 초전도체 제조방법
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제8항에 있어서,
상기 탄소계 화합물이 흑연, 탄소나노튜브, 공업용 다이아몬드 또는 비정질 카본인 것을 특징으로 하는 이종원소가 도핑된 MgB2 초전도체 제조방법
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제8항에 있어서,
상기 혼합 분말을 만드는 단계에서, 상기 도핑용 이종원소 분말이 10 at% 이하 혼합되는 것을 특징으로 하는 이종원소가 도핑된 MgB2 초전도체 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 기계적 합금법이 쉐이커 밀법, 어트리션 밀법 및 유성형 볼밀법 중에서 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 이종원소가 도핑된 MgB2 초전도체 제조방법
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제11항에 있어서,
상기 기계적 합금법이 100~3000 rpm의 회전 속도로 실시되는 것을 특징으로 하는 이종원소가 도핑된 MgB2 초전도체 제조방법
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제11항에 있어서,
상기 기계적 합금법이 밀링 볼과 혼합 분말을 중량비 10:1 내지 50:1의 범위로 용기에 장입하여 25~200시간 동안 실시되는 것을 특징으로 하는 이종원소가 도핑된 MgB2 초전도체 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 열처리를 실시하는 단계에서 상기 혼합분말을 500~1050℃의 온도로 열처리 하는 것을 특징으로 하는 이종원소가 도핑된 MgB2 초전도체 제조방법
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