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서로 마주하는 제1 전극과 제2 전극, 그리고상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 활성층을 포함하고,상기 활성층은복수의 중공을 가지고 결정성 산화물 반도체를 포함하는 광 산란체와 상기 광 산란체로부터 뻗은 복수의 나노체를 포함하는 광 전극, 그리고상기 광 전극의 표면에 위치하는 광 흡수체를 포함하는 태양 전지
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제1항에서,상기 복수의 나노체는 상기 광 산란체로부터 상기 중공의 내부로 뻗어 있는 태양 전지
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제1항에서,상기 나노체의 아스펙트 비(aspect ratio)는 1 보다 큰 태양 전지
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제3항에서,상기 나노체는 나노와이어, 나노로드, 나노튜브, 나노니들 또는 이들의 조합을 포함하는 태양 전지
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제3항에서,상기 나노체는 5nm 내지 100nm의 직경 및 50nm 내지 1000nm의 길이를 가지는 태양 전지
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제1항에서,상기 복수의 중공은 3차원 방향으로 서로 접하여 연결되어 있는 태양 전지
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제6항에서,상기 각 중공은 구형(spherical shape)인 태양 전지
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제1항에서,상기 광 전극은 산화티타늄을 포함하는 태양 전지
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제8항에서,상기 광 전극은 산화티타늄, 또는 알루미늄(Al), 구리(Cu), 란탄(La), 리튬(Li), 니오븀(Ni), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 질소(N) 또는 이들의 조합이 도핑된 산화티타늄을 포함하는 태양 전지
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제8항에서,상기 광 산란체와 상기 복수의 나노체는 아나타제 상(anatase phase)의 산화티타늄을 포함하는 태양 전지
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제1항에서,상기 광 흡수체는 상기 광 산란체의 표면 및 상기 복수의 나노체의 표면에 흡착되어 있는 태양 전지
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제1항에서,상기 광 흡수체는 염료, 양자점 또는 이들의 조합을 포함하는 태양 전지
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제1 전극을 형성하는 단계,상기 제1 전극 위에 활성층을 형성하는 단계, 그리고상기 활성층 위에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 활성층을 형성하는 단계는상기 제1 전극 위에 복수의 고분자 입자들을 배치하는 단계,상기 고분자 입자들의 표면에 산화물 반도체를 공급하는 단계,열처리하여 상기 고분자 입자들을 열분해 제거하고 상기 산화물 반도체를 결정화하여 복수의 중공을 가지는 광 산란체를 형성하는 단계,상기 광 산란체에 나노체 형성용 전구체 용액을 접촉시켜 상기 광 산란체로부터 뻗은 복수의 나노체를 형성하는 단계, 그리고상기 광 산란체와 상기 복수의 나노체의 표면에 광 흡수체를 공급하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제13항에서,상기 산화물 반도체를 공급하는 단계는 원자층증착법(atomic layer deposition), 화학기상증착법(chemical vapor deposition), 레이어-바이-레이어 증착법(layer-by-layer deposition) 또는 이들의 조합을 사용하는 태양 전지의 제조 방법
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제13항에서,상기 열처리하는 단계는 450℃ 이상에서 수행하는 태양 전지의 제조 방법
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제13항에서,상기 나노체 형성용 전구체 용액은 벌키한 알킬 사슬을 가지는 금속염을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제16항에서,상기 벌키한 알킬 체인을 가지는 금속염은 금속염과 벌키한 알킬 사슬을 가지는 유기용매를 혼합하는 단계, 그리고상기 금속염을 상기 벌키한 알킬 사슬로 치환하는 단계에 의해 얻어지는 태양 전지의 제조 방법
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제16항에서,상기 금속염은 티타늄염인 태양 전지의 제조 방법
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제16항에서,상기 나노체 형성용 전구체 용액은 에틸렌디아민, 아세틸아세톤, 디에틸암모늄 또는 이들의 조합을 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제13항에서,상기 산화물 반도체는 산화티타늄을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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