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반도체소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015214428
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 PR 애싱(ashing) 및 리프트-오프(lift-off) 방식을 이용하여 나노 규격을 갖는 다양한 형태 · 물질로 구성된 구조물을 형성한 후, 이 구조물을 마스크로 이용하여 마스크 하부의 물질을 식각하는 방식으로 PR의 두께 및 최소 선폭 구현에 제한이 없고, 종횡비가 큰 식각 구조물을 용이하게 형성할 수 있는 반도체소자의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 PR 애싱 및 리프트-오프 방식을 이용하여 형성한 나노 규격 구조물을 마스크로 이용한 반도체소자의 제조방법에 있어서, 식각하고자 하는 물질층 (예를 들어, 금속층 또는 절연층)의 상부에 포토레지스트로 패턴을 형성하는 공정; 상기 포토레지스트로 형성한 구조물의 양쪽 간격을 플라즈마 애싱 공정을 통하여 포토레지스트의 두께와 양 전극 사이의 폭을 수 나노미터까지 줄이는 공정; 상기 포토레지스트 및 식각하고자 하는 물질층 위에 마스크로 이용할 구조물의 물질층을 형성한 후, 리프트-오프 방식으로 상기 포토레지스트 상부에 존재하는 마스크 물질층을 제거하여 마스크 구조물을 형성하는 공정; 및 상기 마스크 구조물 하부의 물질층을 건식 또는 습식 식각하고, 상부의 마스크 구조물을 제거하여 수 나노미터 크기를 갖는 식각 구조물을 형성하는 공정을 포함하여 이루어진 것이다. PR 애싱, 리프트-오프 방식, 마스크, 식각, 구조물, 반도체소자
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/32 (2011.01)
CPC G03F 7/427(2013.01) G03F 7/427(2013.01) G03F 7/427(2013.01)
출원번호/일자 1020040043266 (2004.06.12)
출원인 학교법인 성균관대학
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2005-0117967 (2005.12.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.06.12)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 성균관대학 대한민국 서울 종로구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이영훈 대한민국 경기도 과천시
2 노용한 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인정직과특허 대한민국 서울 강남구 선릉로 ***(논현동, 썬라이더빌딩 *층)

최종권리자

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2004-0253981-51
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.10.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.11.18 수리 (Accepted) 9-1-2005-0075765-63
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.11.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0598842-41
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2006-0059573-10
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.02.24 수리 (Accepted) 1-1-2006-0135281-44
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2006-0208142-07
8 의견서
Written Opinion		 2006.04.25 수리 (Accepted) 1-1-2006-0289302-37
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.04.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0289307-65
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2006.06.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0282724-29
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
PR 애싱 및 리프트-오프 방식을 이용하여 형성한 나노 규격 구조물을 마스크로 이용한 반도체소자의 제조방법에 있어서, 식각하고자 하는 물질층의 상부에 포토레지스트로 패턴을 형성하는 공정; 상기 포토레지스트로 형성한 구조물의 양쪽 간격을 플라즈마 애싱 공정을 통하여 포토레지스트의 두께와 양 전극 사이의 폭을 수 나노미터까지 줄이는 공정; 상기 포토레지스트 및 식각하고자 하는 물질층 위에 마스크로 이용할 물질층을 형성한 후, 리프트-오프 방식으로 상기 포토레지스트 상부에 존재하는 마스크 물질층을 제거하여 마스크 구조물을 형성하는 공정; 및 상기 마스크 구조물 하부의 물질을 건식 또는 습식 식각하고, 상부의 마스크 구조물을 제거하여 수 나노미터 크기를 갖는 식각 구조물을 형성하는 공정을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 애싱 공정은 상기 포토레지스트의 노광되지 않은 부분에 대하여 최소 선폭까지 줄이는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 마스크 물질층은 금속층 또는 절연층인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법
4 3
제 1항에 있어서, 상기 마스크 물질층은 금속층 또는 절연층인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.