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금 나노구조체를 용매에 분산시키는 단계; 및상기 분산된 금 나노구조체를 고분자 기재에 전사하는 단계를 포함하는, 유연 전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 금 나노구조체는 금 전구체를 함유하는 금 전구체-함유 수용액을 열처리하여 수득하는 것을 포함하는 공정에 의하여 수득되는 것인, 유연 전극의 제조 방법
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제 2 항에 있어서,상기 금 전구체는 AuCl3, AuCl, AuBr3, NaAuCl4·xH2O, HAuCl4·xH2O, K(AuCl4), AuCN, Au2S, Au2S3, Au(OH)3 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금 이온 화합물을 포함하는 것인, 유연 전극의 제조 방법
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제 2 항에 있어서,상기 금 전구체- 함유 수용액은 안정화제 및 환원제를 추가 포함하는 것인 , 유연 전극의 제조 방법
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제 4 항에 있어서,상기 안정화제 및 상기 환원제는 각각 독립적으로 아르기닌, 히스티딘, 리신, 아스파틱산, 글루타믹산, 세린, 트레오닌, 아스파라긴, 글루타민, 시스테인, 셀레노시스테인, 글리신, 프롤린, 알라닌, 발린, 이소류신, 류신, 메티오닌, 페닐알라닌, 티로신, 트립토판, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 아미노산을 포함하는 것인, 유연 전극의 제조 방법
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제 2 항에 있어서,상기 열처리 온도는 20℃ 내지 100℃ 온도 범위에서 진행하는 것을 포함하는 것인, 유연 전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 용매는 알코올, 헵탄, 헥산, 시클로헥산, 옥탄, 이소옥탄, 데칸, 도데칸, 헥사데칸, 벤젠, 에틸벤젠, 디비닐벤젠, 톨루엔, 자일렌, N-메틸피롤리돈, 디메틸포름아마이드, 디메틸설폭사이드, 클로로포름, 스타이렌, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 유연 전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 고분자 기재는 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane, PDMS), 폴리우레탄, 스타이렌-부타디엔-스타이렌(SBS), 폴리이미드, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 유연 전극의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항의 방법에 따라 제조되며, 고분자 기재에 전사된 금 나노구조체를 포함하는, 유연 전극
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제 9 항에 따른 유연 전극을 포함하는 스트레인 센서 소자
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제 10 항에 있어서,상기 스트레인 센서 소자는, 전자 기기, 인공피부, 웨어러블 기기 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것에 추가 포함되는 것인, 스트레인 센서 소자
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