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전극 및 상기 전극과 접촉하며, 상기 전극으로부터 발생한 열에 따라 상변화가 발생하는 상변화층을 포함하는 상변화 메모리 소자에 있어서,상기 전극과 결정화 및 비정질화가 일어나는 상변화층 사이에는 자기조립 블록공중합체로부터 형성된 절연 나노입자가 구비되며,액상으로 도포되는 블록공중합체는 실리콘과 같은 무기물질을 함유함으로써 산소 플라즈마 식각 공정에 의하여 무기산화물의 절연 나노입자를 형성하고,상기 액상의 블록공중합체는 소정 형태로 정렬되어, 소정의 크기와 형태를 가지는 블록 영역을 가지며, 상기 블록공중합체는 상기 산소 플라즈마 식각 공정에 의하여 패터닝되어 실리콘 함유 중합체 블록이 나노입자 형태의 실리콘 산화물로 산화되며,상기 블록공중합체를 패터닝하는 공정에서, 상기 전극 상에 남게 되는 중합체 블록은 상기 상변화층과 전극 사이의 접촉면적을 감소시켜 리셋 전류를 줄임에 따라 메모리의 소모전력을 감소시키는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자
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제 1항에 있어서, 상기 전극은 상기 상변화층 아래의 하부전극인 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자
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제 1항에 있어서, 상기 패터닝은 자기조립된 상기 블록공중합체의 특정 중합체 블록을 제거하는 방식으로 수행되는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자
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제 3항에 있어서, 상기 제거된 중합체 블록 영역에서 상기 상변화층과 전극은 접촉하며, 상기 전극에서 발생한 열에 따라 상기 상변화층의 결정형이 변화되는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자
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제 1항에 있어서, 상기 액상으로 도포되는 블록공중합체는 균일한 간격과 크기의 일정한 형태로 패터닝된 블록공중합체 기반 절연 나노입자로 상기 전극 상에 구비되는, 상변화 메모리 소자
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제 1항에 있어서, 상기 블록공중합체는 실리콘 함유 블록공중합체이며, 상기 절연 나노입자는 실리콘 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자
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제 6항에 있어서, 상기 블록공중합체는 폴리스티렌-폴리디메틸실록산 또는 폴리스티렌- 폴리페로세이닐실란인 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자
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제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 따른 상변화 메모리 소자가 플렉서블 기판 상에 구비된 플렉서블 상변화 메모리 소자
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상변화층 및 상기 상변화층에 열을 인가하여 상기 상변화층 물질의 결정화 또는 비정질화를 발생시키는 전극을 포함하는 상변화 메모리 소자의 제조방법에 있어서, 전극 상에 액상의 블록공중합체를 도포한 후, 어닐링하여 자기조립시키는 단계;자기조립된 상기 블록공중합체의 일부 중합체 블록을 제거하여 절연 나노입자를 형성하는 단계; 및상기 전극 및 절연 나노입자 상에 상변화층을 적층하는 단계;를 포함하며, 상기 블록공중합체는 실리콘과 같은 무기물질을 함유함으로써 산소 플라즈마 식각 공정에 의하여 무기산화물의 절연 나노입자를 형성하며,상기 어닐링을 통하여 상기 액상의 블록공중합체는 소정 형태로 정렬되어, 소정의 크기와 형태를 가지는 블록 영역을 가지며,상기 블록공중합체를 패터닝하는 공정은 상기 산소 플라즈마 식각에 의하여 실리콘 함유 중합체 블록이 나노입자 형태의 실리콘 산화물로 산화되며,상기 블록공중합체를 패터닝하는 공정에서, 상기 전극 상에 남게 되는 중합체 블록은 상기 상변화층과 전극 사이의 접촉면적을 감소시켜 리셋 전류를 줄임에 따라 메모리의 소모전력을 감소시키고,여기에서 상기 제거된 블록 영역에서 상기 상변화층과 전극은 서로 접촉하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
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제 9항에 있어서, 상기 방법은상기 전극 상에 브러쉬층을 적층하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
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제 9항에 있어서, 상기 전극은 질화티타늄(TiN), 상기 상변화층은 칼코게나이드 화합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
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제 9항에 있어서, 상기 블록공중합체는 폴리스티렌-폴리디메틸실록산 공중합체, 폴리(2-비닐피리딘)-폴리디메틸실록산, 폴리스티렌- 폴리페로세이닐실란으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
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제 9항 내지 제 12항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의하여 제조된 상변화 메모리 소자
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플렉서블 상변화 메모리 소자로서, 상기 소자는 플렉서블 기판; 및상기 플렉서블 기판에 구비되며, 상변화층 및 하부전극을 포함하는 상변화 메모리 소자를 포함하며, 여기에서 상기 상변화층 및 하부전극 사이에는 블록공중합체로부터 형성된 절연 나노입자가 구비되며,액상으로 도포되는 블록공중합체는 실리콘과 같은 무기물질을 함유함으로써 산소 플라즈마 식각 공정에 의하여 무기산화물의 절연 나노입자를 형성하고,상기 액상의 블록공중합체는 소정 형태로 정렬되어, 소정의 크기와 형태를 가지는 블록 영역을 가지며, 상기 블록공중합체는 상기 산소 플라즈마 식각에 의하여 실리콘 함유 중합체 블록이 나노입자 형태의 실리콘 산화물로 산화되며,상기 블록공중합체를 패터닝하는 공정에서, 상기 하부전극 상에 남게 되는 중합체 블록은 상기 상변화층과 하부전극 사이의 접촉면적을 감소시켜 리셋 전류를 줄임에 따라 메모리의 소모전력을 감소시키는 것을 특징으로 하는 플렉서블 상변화 메모리 소자
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제 14항에 있어서, 상기 상변화 메모리 소자는 유연한 실리콘 반도체; 상기 실리콘 반도체 상에 형성된 소스/드레인 도핑층;상기 소스/드레인 도핑층의 도핑영역에 각각 연결된 워드라인 전극 및 비트라인 전극; 및상기 비트라인 전극 상에 순차적으로 적층된 하부전극과 상변화층을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 상변화 메모리 소자
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제 15항에 있어서, 상기 실리콘 반도체는 단결정 실리콘인 것을 특징으로 하는 플렉서블 상변화 메모리 소자
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