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마이크로 스케일 실리콘 구조물과 통합되는 실리콘 나노 와이어 제조방법

  • 기술번호 : KST2018015935
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실시예들은 기판 상에 제1 산화막을 형성하는 단계(S100), 제1 산화막을 마스크로 이용하여, 나노 와이어 영역과 마이크로 스케일 구조물 영역을 구분하는 함몰영역이 생성되도록 기판을 식각하는 단계(S200), 식각된 기판 상에 열산화 공정을 통해 제2 산화막을 형성하는 단계(S300), 상기 함몰영역의 바닥면의 제2 산화막을 제거하는 단계(S400) 및 나노 와이어가 부유되도록, 상기 기판을 습식 식각하는 단계(S500)를 포함하는 마이크로 스케일 실리콘 구조물과 통합되는 실리콘 나노 와이어 제조방법에 관련된다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 29/06 (2006.01.01) H01L 21/306 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01)
CPC H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01)
출원번호/일자 1020170068582 (2017.06.01)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0131889 (2018.12.11) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.06.01)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조동일 대한민국 서울특별시 강남구
2 장서형 대한민국 대구광역시 동구
3 신종윤 대한민국 서울특별시 관악구
4 유형정 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.06.01 수리 (Accepted) 1-1-2017-0526786-39
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2017.06.02 수리 (Accepted) 1-1-2017-0530907-17
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.06.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.08.07 수리 (Accepted) 9-1-2018-0040477-69
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.09.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0642833-67
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2018-1149743-57
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.11.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1149742-12
8 등록결정서
Decision to grant		 2019.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0226947-51
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 제1 산화막을 형성하는 단계(S100);제1 산화막을 마스크로 이용하여, 나노 와이어 영역과 마이크로 스케일 구조물 영역을 구분하는 함몰영역이 생성되도록 기판을 식각하는 단계(S200);식각된 기판에 열산화 공정을 통해 제2 산화막을 형성하는 단계(S300);상기 함몰영역의 바닥면의 제2 산화막을 제거하는 단계(S400); 및마이크로 스케일 구조물의 적어도 일부 및 나노 와이어가 부유되도록, 상기 기판을 습식 식각하는 단계(S500)를 포함하는 마이크로 스케일 실리콘 구조물과 통합되는 실리콘 나노 와이어 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 식각된 기판 상에 열산화 공정을 통해 제2 산화막을 형성하는 단계(S300)는,목적하는 나노 와이어의 폭에 대응되도록 상기 함몰영역의 측면에 소정 두께의 제2 산화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로 스케일 실리콘 구조물과 통합되는 실리콘 나노 와이어 제조방법
3 3
제2항에 있어서,상기 열산화 공정의 시간을 조절하여 상기 함몰영역의 측면에 형성되는 제2 산화막의 두께를 조절하는 것을 특징으로 하는 마이크로 스케일 실리콘 구조물과 통합되는 실리콘 나노 와이어 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 기판을 습식 식각하는 단계(S500)는,목적하는 나노 와이어의 두께가 되도록 습식 식각 공정 시간을 조절하는 것을 특징으로 하는 마이크로 스케일 실리콘 구조물과 통합되는 실리콘 나노 와이어 제조방법
5 5
제4항에 있어서,상기 기판을 습식 식각하는 단계(S500)는,테트라메틸암모늄하이드록사이드(Tetra-methyl-ammonium-hydroxide; TMAH) 용액, 수산화 칼륨(KOH) 용액, 에틸렌다이민피로카테콜(ethylene diamine pyrocatechol, EDP) 또는 비등방 식각 특성을 가지는 알칼리계 수용액을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 마이크로 스케일 실리콘 구조물과 통합되는 실리콘 나노 와이어 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 함몰영역이 생성되도록 기판을 식각하는 단계(S200)는,제1 산화막 상에 감광제를 도포함으로써 마스크를 형성하는 단계(S210); 형성된 마스크를 이용하여 제1 산화막을 패터닝 하는 단계(S220);패터닝된 제1 산화막을 식각 마스크로 이용하여 기판을 소정 깊이로 식각하는 단계(S230)를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 스케일 실리콘 구조물과 통합되는 실리콘 나노 와이어 제조방법
7 7
제1항에 있어서,상기 단계(S400) 이후이면서 상기 단계(S500) 이전에,잔존하는 제1 산화막을 식각 마스크로 이용하여 수직 방향으로 상기 기판을 건식 식각하는 단계(S450)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 스케일 실리콘 구조물과 통합되는 실리콘 나노 와이어 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 서울대학교 원천기술개발사업 스마트센서를 위한 벌크 실리콘 SOLID NEMS 공정 플랫폼 개발