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하기 화학식 1 내지 화학식 4 중 어느 하나로 표시되는 층상형 화합물
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제1항에 있어서,상기 화학식 1 내지 화학식 4 중 어느 하나로 표시되는 층상형 화합물은 P4/nmms, P63/mmc 또는 P63mc 의 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 층상형 화합물
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제 1항에 있어서
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제 1항에 있어서상기 화학식 1 내지 화학식 4 중 어느 하나로 표시되는 층상형 화합물은 반도체 특성을 가지는 것을 특징으로 하는 층상형 화합물
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(a) A, Mn 및 As를 포함하는 합성 원료 또는 B, Zn 및 As를 포함하는 합성 원료를 반응 용기에 삽입하는 단계(여기서, A는 Li, Na 및 K 중 어느 하나이고, B는 Na 또는 K임); 및(b) 상기 반응 용기에 삽입된 합성 원료를 용융-냉각을 통해 결정화 하여 결정화물을 제조하는 단계;를 포함하는 층상형 화합물을 합성하는 방법
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제 5항에 있어서, 단계 (a) 이후에,상기 반응 용기에 Sn을 추가로 삽입하는 것을 특징으로 하는 층상형 화합물을 합성하는 방법
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제 5항에 있어서, 상기 용융은 650~800℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 층상형 화합물을 합성하는 방법
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제 5항에 있어서,상기 냉각은 상기 용융된 합성 원료를 급냉 또는 서냉하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 층상형 화합물을 합성하는 방법
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제 8항에 있어서,상기 서냉은 300-500℃의 온도까지 시간당 0
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제 5항에 있어서, 단계 (b) 이후에, (c) 유기용매, 물 또는 이들의 혼합물을 이용하여 상기 결정화물로부터 이온을 제거하여 층상형 화합물을 제조하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 층상형 화합물을 합성하는 방법
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제 10항에 있어서,상기 이온은 Li, Na 및 K 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 층상형 화합물을 합성하는 방법
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제 10항에 있어서,상기 유기용매는 환상 카보네이트계 용매, 쇄상 카보네이트계 용매, 에스테르계 용매, 에테르계 용매, 니트릴계 용매, 아미드계 용매 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 층상형 화합물을 합성하는 방법
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하기 화학식 1 내지 화학식 4 중 어느 하나로 표시되는 나노시트
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(a) A, Mn 및 As를 포함하는 합성 원료 또는 B, Zn 및 As를 포함하는 합성 원료를 반응 용기에 삽입하는 단계(여기서, A는 Li, Na 및 K 중 어느 하나이고, B는 Na 또는 K임); (b) 상기 반응 용기에 삽입된 합성 원료를 용융-냉각을 통해 결정화 하여 결정화물을 제조하는 단계;(c) 유기용매, 물 또는 이들의 혼합물을 이용하여 상기 결정화물로부터 이온을 제거하여 층상형 화합물을 제조하는 단계; 및(d) 상기 층상형 화합물을 박리하여 나노시트를 제조하는 단계;를 포함하는 나노시트를 합성하는 방법
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제 14항에 있어서,상기 박리는 초음파에 의한 에너지로 박리, 용매의 침입에 의한 박리, 용매와 이온이 형성하는 염 및 반응 기체에 의한 박리, Tape를 이용한 박리 및 접착성 표면을 가진 물질을 이용한 박리로 이루어진 군에서 선택되는 1 또는 2 이상의 공정을 이용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노시트를 합성하는 방법
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