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복수의 암(arm)을 포함하는 테트라포드(tetrapod) 형상을 가지는 양자점에 있어서,상기 각각의 복수의 암은 결정 방향에 따라 성장 정도가 상이한 것인,테트라포드 형상의 양자점
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제 1 항에 있어서,상기 암은 003c#110003e# 결정 방향에 수직인 면 및 003c#111003e# 방향에 수직인 면을 갖도록 성장한 것인, 테트라포드 형상의 양자점
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제 2 항에 있어서,상기 003c#110003e# 결정 방향에 수직인 면은 상기 각각의 암의 두께 방향으로 성장하고, 상기 003c#111003e# 방향에 수직인 면은 상기 각각의 암의 길이 방향으로 성장한 것인, 테트라포드 형상의 양자점
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제 1 항에 있어서,상기 테트라포드 형상의 양자점은 600 nm 내지 690 nm 의 파장에서 35 nm 내지 45 nm 의 반치폭(FWHM) 값을 가지는, 테트라포드 형상의 양자점
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제 1 항에 있어서,상기 테트라포드 형상의 양자점은 InP, InAs, InSb, GaAs, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 포함하는 것인, 테트라포드 형상의 양자점
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제 1 전구체 및 제 1 용매를 혼합한 제 1 용액을 가열하는 단계;제 2 전구체, 제 2 용매 및 전구체 활성화 물질을 혼합하여 제 2 용액을 형성하는 단계;상기 제 1 용액 및 상기 제 2 용액을 반응시켜 테트라포드 형상의 양자점을 합성하는 단계; 및상기 테트라포드 형상의 양자점을 후처리하는 단계;를 포함하는, 테트라포드 형상의 양자점의 제조 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 테트라포드 형상의 양자점을 합성하는 단계에서 상기 암의 003c#110003e# 결정 방향에 수직인 면 및 003c#111003e# 결정 방향에 수직인 면이 상이한 성장 속도로 성장하는 것인, 테트라포드 형상의 양자점의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 제 1 용액을 상기 제 2 용액과 반응시키기 전에 상기 제 1 용액을 진공화(degassing)하는 단계를 추가 포함하는, 테트라포드 형상의 양자점의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 테트라포드 형상의 양자점을 합성하는 단계는 100℃ 내지 220℃ 에서 수행되는 것인, 테트라포드 형상의 양자점의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 테트라포드 형상의 양자점을 후처리하는 단계는 상기 테트라포드 형상의 양자점을 에칭하는 단계 및/또는 상기 테트라포드 형상의 양자점을 쉘링(shelling)하는 단계를 포함하는 것인, 테트라포드 형상의 양자점의 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 테트라포드 형상의 양자점을 에칭하는 단계는 HF, C4H9OH, 트리옥틸포스핀 옥사이드 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택된 것에 의해 수행되는 것인, 테트라포드 형상의 양자점의 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 테트라포드 형상의 양자점은 Zn, Cd, Se, S, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것에 의해 쉘링되는 것인, 테트라포드 형상의 양자점의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 전구체 활성화 물질은 리튬 비스(트리메틸실릴)아미드(LiHMDS), 리튬 테트라메틸피페리다이드(LiTMP), 리튬 아세틸아세토네이트(LiAcac), 리튬-2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디오네이트(LiTMHD), 디이소부틸알루미늄하이드라이드(DIBALH) 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택된 물질을 포함하는, 테트라포드 형상의 양자점의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 제 1 전구체는 InCl2, InO, CdO, In(CH3CO2)3, Cd(CH3CO2)2, CdCl2, Ga(C2H3O2)3, Ga2O3, GaCl3, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 포함하는, 테트라포드 형상의 양자점의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 제 1 용매 및 상기 제 2 용매는 각각 독립적으로 올레일아민(oleylamine), 도데실아민(dodecylamine), 헥사데실아민(hexadecylamine), 옥타데실아민(octadecylamine), 옥틸아민(octylamine), 트라이옥틸아민(trioctylamine) 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 포함하는, 테트라포드 형상의 양자점의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 제 2 전구체는 트리스(디메틸아미노)포스핀(DMAP), 트리스(디에틸아미노)포스핀(DEAP), 설퍼-트리옥틸포스핀(S-TOP), 설퍼-트리부틸포스핀(S-TBP), 설퍼-트리페닐포스핀(S-TPP), 설퍼-트리옥틸아민(S-TOA), 디에틸 디셀레나이드(Diethyl diselenide), 디메틸 셀레나이드(Dimethyl selenide), 셀렌-트리페닐포스핀(Se-TPP), 트리스(디메틸아미노)알세인, 트리스(디에틸아미노)알세인, 트리스(디메틸아미노)안티모니(Tris(dimethylamino)Antimony), AsCl3, AsBr3, As2S3, As2O3, AsI3, 트리스(디에틸아미노)안티모니(Tris(diethylamino)Antimony), 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 포함하는, 테트라포드 형상의 양자점의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 5 항에 따른 테트라포드 형상의 양자점을 포함하는, 전자 소자
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