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결정 구조를 가지는 양자점을 포함하는 나노 소재에 있어서, 상기 양자점은 특정 방향의 노출면을 포함하고, 상기 노출면에 리간드가 결합되는 것인, 나노 소재
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제 1 항에 있어서,상기 노출면의 비율 또는 상기 리간드의 양에 따라 에너지 준위가 상이한 것인, 나노 소재
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제 2 항에 있어서,상기 노출면과 상기 리간드의 전기음성도 차이에 의해 에너지 준위가 조절되는 것인, 나노 소재
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제 1 항에 있어서,상기 노출면은 (111), (100), (110) 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것인, 나노 소재
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제 4 항에 있어서, 상기 노출면은 1 개의 성분만으로 이루어진 것인, 나노 소재
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제 1 항에 있어서,상기 리간드는 F, Cl, Br, I, 3-머캅토프로피온산(Mercaptopropionic acid), 에탄디티올(Ethandithiol), 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 나노 소재
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제 1 항에 있어서,상기 양자점은 정사면체, 원통형, 막대형, 삼각형, 원판형, 트리포드형, 테트라포드형, 큐브형, 박스형, 스타형, 튜브형, 사면체형, 팔면체형, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 구조를 가지는, 나노 소재
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제 1 항에 있어서,상기 양자점은 인화인듐(InP), 황화납(PbS), 비화인듐(InAs), 안티몬화인듐(InSb), 비화갈륨(GaAs), 인화갈륨(GaP), 안티몬화갈륨(GaSb), 셀렌화카드뮴(CdSe), 황화카드뮴(CdS), 텔루르화카드뮴(CdTe), 황화아연(ZnS), 셀레늄화아연(ZnSe), 텔루르화아연(ZnTe), 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 나노 소재
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결정 구조를 가지는 양자점의 특정 방향의 노출면의 비율을 제어하는 단계; 및상기 노출면에 리간드를 결합시키는 단계를 포함하는, 나노 소재의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 리간드를 다른 리간드로 교환하는 단계를 추가 수행하는 것인, 나노 소재의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 리간드는 아민계 리간드, 티올계 리간드, 포스핀계 리간드, 포스핀 옥사이드계 리간드 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 포함하는 것인, 나노 소재의 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 다른 리간드는 F, Cl, Br, I, 3-머캅토프로피온산(Mercaptopropionic acid), 에탄디티올(Ethandithiol), 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 나노 소재의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 결정 구조를 가지는 양자점의 특정 방향의 노출면의 비율은 결정의 성장을 조절하여 제어되는 것인, 나노 소재의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 따른 나노 소재를 포함하는,전자 소자
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