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기판 처리 장치

  • 기술번호 : KST2021002634
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 챔버; 상기 챔버의 내측에 위치되어, 공정이 이루어질 기판을 지지하는 서셉터; 설정 면적을 가지고, 상기 챔버의 내부의 상부 영역에 위치되는 전극판; 플라즈마 여기를 위한 전력을 제공하고, 상기 서셉터에 연결되는 RF 전원; 상기 전극판을 접지 시키는 도선 상에 위치되는 플라즈마 제어 유닛; 및 제어기를 포함한다.
Int. CL H01J 37/32 (2006.01.01) H01L 21/67 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/3065 (2006.01.01)
CPC H01J 37/32174(2013.01) H01J 37/32532(2013.01) H01L 21/67017(2013.01) H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/3065(2013.01)
출원번호/일자 1020190082435 (2019.07.09)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0012073 (2021.02.03) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.07.09)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정진욱 서울특별시 송파구
2 문호준 경기도 고양시 일산동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상열 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.07.09 수리 (Accepted) 1-1-2019-0699985-00
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2020.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2020.04.10 수리 (Accepted) 9-1-2020-0015630-21
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.05.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0334573-58
7 [지정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
 2020.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2020-0729269-90
8 [지정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
 2020.08.14 수리 (Accepted) 1-1-2020-0858238-77
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.09.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0926474-64
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.09.02 수리 (Accepted) 1-1-2020-0926473-18
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2020.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0807182-71
12 [법정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
 2020.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2020-1402774-34
13 법정기간연장승인서
 2020.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2020-0196480-53
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2021.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2021-0086424-56
15 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2021.01.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2021-0086430-20
16 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2021.02.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0099189-61
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
챔버;상기 챔버의 내측에 위치되어, 공정이 이루어질 기판을 지지하는 서셉터;설정 면적을 가지고, 상기 챔버의 내부의 상부 영역에 위치되는 전극판;플라즈마 여기를 위한 전력을 제공하고, 상기 서셉터에 연결되는 RF 전원; 상기 전극판을 접지 시키는 도선 상에 위치되는 플라즈마 제어 유닛; 및 제어기를 포함하는 기판 처리 장치
2 2
제1항에 있어서,상기 제어기는 공정 처리 과정에서 상기 플라즈마 제어 유닛이 공진 상태가 되도록 제어를 수행하는 기판 처리 장치
3 3
제1항에 있어서,상기 제어기는 공정 처리 과정에서 상기 전극판에 형성된 쉬스와 상기 플라즈마 제어 유닛 사이에 공진 상태가 되도록 상기 플라즈마 제어 유닛의 제어를 수행하는 기판 처리 장치
4 4
제1항에 있어서,상기 플라즈마 제어 유닛은인덕터; 및가변 커패시터를 포함하는 기판 처리 장치
5 5
제1항에 있어서,상기 플라즈마 제어 유닛은 가변 인덕터로 제공되는 기판 처리 장치
6 6
챔버;상기 챔버의 내측에 위치되어, 공정이 이루어질 기판을 지지하는 서셉터;설정 면적을 가지고, 상기 챔버의 내부의 상부 영역에 위치되는 전극판;플라즈마 여기를 위한 전력을 제공하고, 상기 전극판에 연결되는 RF 전원; 상기 챔버를 접지 시키는 도선 상에 위치되는 플라즈마 제어 유닛; 및 제어기를 포함하는 기판 처리 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.