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제 1 금속을 포함하는 기판 상에 형성된 이종금속 산화물 층을 포함하는 이종금속 산화물 나노구조체에 있어서, 상기 이종금속 산화물 층은 상기 제 1 금속 및 상기 제 1 금속과 상이한 제 2 금속을 포함하는 이종금속 산화물 나노 입자를 포함하는 것인,이종금속 산화물 나노구조체
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 금속은 상기 제 2 금속보다 환원 전위가 낮은 것인, 이종금속 산화물 나노구조체
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제 1 항에 있어서,상기 이종금속 산화물 나노 입자는 제 1 나노 입자단 및 제 2 나노 입자단을 포함하고,상기 제 1 나노 입자단 및 상기 제 2 나노 입자단은 서로 상이한 크기를 가지는 것인, 이종금속 산화물 나노구조체
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제 3 항에 있어서, 상기 제 1 나노 입자단은 20 nm 이상의 입경을 가지는 이종금속 산화물 나노 입자를 포함하고, 상기 제 2 나노 입자단은 10 nm 이하의 입경을 가지는 이종금속 산화물 나노 입자를 포함하는 것인, 이종금속 산화물 나노구조체
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 금속 및 상기 제 2 금속은 각각 독립적으로 Ni, Fe, Al, Cu, Mn, Na, K, Ru, Au, Pt, Sn, Pd, Zn, Ti, Ir, 및 Ce 으로 이루어진 군으로부터 선택된 금속을 포함하는 것인, 이종금속 산화물 나노구조체
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제 1 금속을 포함하는 기판을 상기 제 1 금속과 상이한 제 2 금속을 함유하는 용액 상에 함침시키는 단계; 및상기 제 1 금속을 포함하는 기판 상에서, 상기 제 1 금속 및 상기 제 2 금속을 포함하는 이종금속 산화물 나노 입자를 형성하는 단계;를 포함하는, 이종금속 산화물 나노구조체의 제조 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 제 1 금속은 상기 제 2 금속보다 환원 전위가 낮은 것인,이종금속 산화물 나노구조체의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 제 1 금속이 상기 용액 상에서 부식되는 것인, 이종금속 산화물 나노구조체의 제조 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 이종금속 산화물 나노 입자를 형성하는 단계에서, 상이한 크기를 가지는 제 1 나노 입자단 및 제 2 나노 입자단이 순서대로 형성되는 것인, 이종금속 산화물 나노구조체의 제조 방법
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10
제 6 항에 있어서, 상기 용액은 유기용매를 포함하지 않는 것인, 이종금속 산화물 나노구조체의 제조 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 용액은 용매로서 초순수(deionized water)를 포함하는 것인, 이종금속 산화물 나노구조체의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 함침시키는 단계 전, 상기 제 1 금속을 포함하는 기판 표면의 산화막을 제거하는 단계를 추가 포함하는 것인, 이종금속 산화물 나노구조체의 제조 방법
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제 12 항에 있어서,상기 산화막은 산성 용액 또는 열처리에 의해 제거되는 것인, 이종금속 산화물 나노구조체의 제조 방법
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제 1 항 내지 5 항 중 어느 한 항에 따른 이종금속 산화물 나노구조체를 포함하는,산소 발생 반응(OER)용 전극
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제 1 항 내지 5 항 중 어느 한 항에 따른 이종금속 산화물 나노구조체를 포함하는,수소 발생 반응(HER)용 전극
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