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제1반도체 화합물로 이루어진 클러스터(cluster),상기 클러스터의 적어도 일 표면을 덮고, 제2반도체 화합물을 함유하는 코어(core), 및상기 코어의 적어도 일 표면을 덮고, 제3반도체 화합물을 함유하는 쉘(shell)을 포함하고,상기 제1반도체 화합물 및 상기 제3반도체 화합물은 각각 아연(Zn)을 함유하고,상기 제2반도체 화합물은 아연, 텔루륨(Te) 및 셀레늄(Se)을 함유하고,상기 제1반도체 화합물과 상기 제2반도체 화합물은 서로 상이하고,상기 제2반도체 화합물과 상기 제3반도체 화합물은 서로 상이한, 반도체 나노입자
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제1항에 있어서,상기 제1반도체 화합물은 ZnSe를 포함하는, 반도체 나노입자
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제1항에 있어서,상기 제2반도체 화합물은 ZnSe1-xTex로 표시되고,상기 x는 0
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제3항에 있어서,상기 x는 0
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제1항에 있어서,상기 제3반도체 화합물은 ZnSe 또는 ZnSeyS1-y을 포함하고,상기 y는 0 ≤ y 003c# 1을 만족하는, 반도체 나노입자
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6
제1항에 있어서,상기 클러스터의 밴드갭은 상기 코어의 밴드갭보다 크고,상기 쉘의 밴드갭은 상기 코어의 밴드갭보다 큰, 반도체 나노입자
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7
제1항에 있어서,상기 반도체 나노입자는 구형 양자 우물(spherical quantum well)을 갖는, 반도체 나노입자
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8
제1항에 있어서,상기 반도체 나노입자는 최대 발광 파장이 445 nm 내지 550 nm인 광을 방출하는, 반도체 나노입자
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제1항에 있어서,상기 쉘의 적어도 일 표면을 덮고, 제4반도체 화합물을 함유한 외부 쉘(outer shell)을 더 포함하고,상기 제4반도체 화합물은 II족 원소를 함유하는, 반도체 나노입자
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10
제9항에 있어서,상기 제4반도체 화합물은 Zn을 함유하고, 이원소 화합물 또는 삼원소 화합물인, 반도체 나노입자
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11
제9항에 있어서,상기 제4반도체 화합물은 ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe 또는 이들의 임의의 조합을 포함하는, 반도체 나노입자
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12
제9항에 있어서,상기 반도체 나노입자는 최대 발광 파장이 470 nm 내지 650m인 광을 방출하는, 반도체 나노입자
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13
제1항에 있어서,상기 클러스터의 평균 직경은 1
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제1항에 있어서,상기 코어의 평균 직경은 2
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제1항에 있어서,상기 반도체 나노입자의 평균 직경이 3
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제1기판, 발광 소자 및 제2기판을 포함하고;상기 제2기판은 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 따른 반도체 나노입자를 포함하는, 전자 장치
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17
제16항에 있어서,상기 제2기판의 일 영역은 상기 반도체 나노입자를 포함하고, 상기 반도체 나노입자가 청색광을 흡수하고, 가시광을 방출하는, 전자 장치
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제17항에 있어서,상기 제2기판은 상기 일 영역과 구별되는 타 영역을 더 포함하고,상기 타 영역은 산란체를 포함하나, 상기 반도체 나노입자를 미포함하는, 전자 장치
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제16항에 있어서,상기 제2기판은 상기 발광 소자로부터 방출되는 광의 진행 방향 상에 위치하는 전자 장치
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제1전극, 제2전극 및 상기 제1전극 및 상기 제2전극 사이에 개재된 중간층을 포함하고,상기 중간층은 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 따른 반도체 나노입자를 포함하는, 전자 장치
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